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n형 그래핀 양자점 및 질소 도핑에 의하여 n형 그래핀 양자점의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015167047
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 베어(bare) 그래핀 양자점에 질소 함유 화합물을 처리하는 단계; 및 결과물을 열처리하는 단계;를 포함하는 n형 그래핀 양자점의 제조방법 및 질소(N)원자가 도핑된 그래핀 양자점에 관한 것이다.
Int. CL C09K 11/65 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01)
CPC C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01)
출원번호/일자 1020130167218 (2013.12.30)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1556584-0000 (2015.09.23)
공개번호/일자 10-2015-0078108 (2015.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20151001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석호 대한민국 경기 수원시 영통구
2 신동희 대한민국 충남 천안시 서북구
3 김성 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-1205629-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0062849-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0176052-58
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.04.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0345563-40
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0345564-96
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0654511-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베어(bare) 그래핀 양자점을 탈 이온수와 혼합하여 베어 그래핀 양자점 수용액을 제조하는 단계; 상기 베어 그래핀 양자점 수용액에 하이드라진(N2H4)을 첨가하여 하이드라진 혼합 용액을 제조하는 단계; 및상기 하이드라진 혼합 용액을 30~180℃의 온도에서 10~24 시간 동안 반응시키는 단계;를 포함하는 n형 그래핀 양자점의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 하이드라진은 하이드라진 제1 수화물(hydrazine monohydrate)인 n형 그래핀 양자점의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 베어 그래핀 양자점은 그라파이트(graphite)로부터 그래핀 산화물 시트(sheet)를 제조하고, 그래핀 산화물을 반복적으로 산화, 환원, 및 열처리하는 화학적 과정을 거쳐서 분산액을 만든 이후, 기판에 코팅하여 제작되는 n형 그래핀 양자점의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 나노 기공의 멤브레인을 이용하여 필터링하여 크기 및 형태가 균일한 그래핀 양자점을 제작하는 n형 그래핀 양자점의 제조방법
7 7
삭제
8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 경희대학교 일반과제 그래핀 양자점의 제작 및 특성 연구