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유체를 저장하는 유체 저장부;SiC 전구체를 저장하는 전구체 저장부;상기 유체 저장부로부터 공급되는 유체가 가열 및 가압되어 초임계 상태로 변화되고, 초임계 상태의 유체에 상기 전구체 저장부로부터 공급되는 SiC 전구체가 용해되는 혼합부;SiC와 복합재를 형성하는 물질이 배치되어 있으며, 상기 SiC 전구체가 용해된 초임계 상태의 유체가 공급되는 반응부; 상기 반응부 내부를 감압하여 초임계 상태의 유체를 기체 상태로 상변화시킴으로써 상기 SiC 전구체의 용해도 감소를 통하여 상기 SiC와 복합재를 형성하는 물질 내부에 SiC 전구체를 석출하는 압력조절부; 및상기 SiC와 복합재를 형성하는 물질 내부에 석출된 SiC 전구체를 제외한 나머지 SiC 전구체와 유체를 상기 반응부로부터 공급받는 회수부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 전구체 충진 장치
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제1항에 있어서,상기 유체 저장부에는 기체 상태의 유체가 저장되고, 상기 유체 저장부와 상기 혼합부 사이에 형성되어, 상기 유체를 액체 상태로 미리 변화시키는 유체 냉각부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 전구체 충진 장치
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제2항에 있어서,상기 유체 냉각부와 상기 혼합부 사이에 형성되어, 상기 냉각된 유체를 가압하는 유체 가압부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 전구체 충진 장치
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제1항에 있어서,상기 회수부는 유체와 SiC 전구체를 분리하는 분리부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 전구체 충진 장치
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유체를 저장하는 유체 저장부;SiC 전구체를 저장하는 전구체 저장부;SiC와 복합재를 형성하는 물질이 배치되어 있으며, 상기 유체 저장부로부터 공급되는 유체가 가열 및 가압되어 초임계 상태로 변화되고, 초임계 상태의 유체에 상기 전구체 저장부로부터 공급되는 SiC 전구체가 용해되어 상기 SiC 전구체가 용해된 초임계 상태의 유체가 상기 SiC와 복합재를 형성하는 물질 내부에 침투되는 초임계 상태의 유체가 공급되는 혼합/반응부; 상기 혼합/반응부 내부를 감압하여 초임계 상태의 유체를 기체 상태로 상변화시킴으로써 상기 SiC 전구체의 용해도 감소를 통하여 상기 SiC와 복합재를 형성하는 물질 내부에 SiC 전구체를 석출하는 압력조절부; 및 상기 SiC와 복합재를 형성하는 물질 내부에 석출된 SiC 전구체를 제외한 나머지 SiC 전구체와 유체를 상기 혼합/반응부로부터 공급받는 회수부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 전구체 충진 장치
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(a) SiC 전구체를 초임계 상태의 유체에 용해시키는 단계;(b) SiC와 복합재를 형성하는 물질이 배치된 반응부 내부에, 상기 SiC 전구체가 용해된 초임계 상태의 유체를 공급하여, 상기 SiC와 복합재를 형성하는 물질 내부에 상기 SiC 전구체가 용해된 초임계 상태의 유체를 침투시키는 단계; (c) 상기 반응부 내부를 감압하여 상기 초임계 상태의 유체를 기체 상태로 상변화시킴으로써 상기 SiC 전구체의 용해도 감소를 통하여 상기 SiC와 복합재를 형성하는 물질 내부에 SiC 전구체를 석출하는 단계; 및(d) 상기 SiC와 복합재를 형성하는 물질 내부에 석출된 SiC 전구체를 제외한 나머지 SiC 전구체와 유체를 배출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 전구체 충진 방법
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제6항에 있어서,상기 유체는 이산화탄소, 메탄, 에탄, 프로판, 부탄 및 클로로디플루오르메탄 중에서 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 전구체 충진 방법
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제6항에 있어서,상기 SiC 전구체는 폴리카보실란(polycarbosilane) 또는 폴리카보실록산(polycarbosiloxane)인 것을 특징으로 하는 SiC 전구체 충진 방법
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제6항에 있어서,상기 SiC와 복합재를 형성하는 물질은 SiC 섬유(SiCf) 또는 탄소 섬유(Cf)인 것을 특징으로 하는 SiC 전구체 충진 방법
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제6항에 있어서,상기 (b) 단계 이전에, 상기 반응부 내부의 공기를 제거하는 것을 특징으로 하는 SiC 전구체 충진 방법
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제6항에 있어서,상기 (b) 단계에서 상기 유체의 초임계 상태가 유지되도록, 상기 반응부 내부의 온도 및 압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 SiC 전구체 충진 방법
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(a) SiC와 복합재를 형성하는 물질이 배치된 혼합/반응부 내부에, SiC 전구체와 유체를 공급하는 단계;(b) 상기 혼합/반응부 내부를 상기 유체의 초임계 온도 및 초임계 압력 이상으로 가열 및 가압하여, SiC 전구체가 초임계 상태의 유체에 용해되고, 상기 SiC와 복합재를 형성하는 물질 내부에 상기 SiC 전구체가 용해된 초임계 상태의 유체를 침투시키는 단계; (c) 상기 혼합/반응부 내부를 감압하여 상기 초임계 상태의 유체를 기체 상태로 상변화시킴으로써 상기 SiC 전구체의 용해도 감소를 통하여 상기 SiC와 복합재를 형성하는 물질 내부에 SiC 전구체를 석출하는 단계; 및(d) 상기 SiC와 복합재를 형성하는 물질 내부에 석출된 SiC 전구체를 제외한 나머지 SiC 전구체와 유체를 배출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 전구체 충진 방법
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금속관에 SiC 섬유(SiCf) 또는 탄소 섬유(Cf)를 와인딩(winding)하는 단계;제6항 내지 제12항 중 어느 하나의 방법에 기재된 방법으로 SiC 전구체를 상기 와인딩된 SiC 섬유(SiCf) 또는 탄소 섬유(Cf) 내부에 틈새 및 기공에 충진하는 단계; 및충진된 SiC 전구체를 경화 및 열분해하여 SiC를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 복합재 보호막이 형성된 금속 피복관 제조 방법
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