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표면에 나노 입체 구조가 형성되고, 양극산화 알루미늄 및 수산화 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 세라믹 기판상에 2 x 1015 ions/㎠ 내지 1 x 1020 ions/㎠의 방사선을 조사하는 단계를 포함하는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 1항에 있어서,상기 방사선은 100 keV 내지 200 keV의 강도를 갖는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 1항에 있어서,상기 방사선은 0
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제 1항에 있어서,상기 양극산화 알루미늄을 포함하는 세라믹 기판 표면에는 나노 다공성 구조가 형성된, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 4항에 있어서,상기 나노 다공성 구조에는 직경이 3 ㎚ 내지 500 ㎚인 기공이 분포하는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 4항에 있어서,상기 양극산화 알루미늄을 포함하는 세라믹 기판의 두께는 50 ㎚ 내지 50,000 ㎚인, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 4항에 있어서,상기 양극산화 알루미늄을 포함하는 세라믹 기판상에 수소 양이온 이온빔 방사선을 조사하는 단계를 포함하는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 7항에 있어서,상기 방사선 조사 이후에 상기 양극산화 알루미늄을 포함하는 세라믹 기판이 70˚내지 80˚의 접촉각을 갖는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 7항에 있어서,상기 방사선 조사 전후 상기 양극산화 알루미늄을 포함하는 세라믹 기판의 접촉각 변화율이 60% 내지 110%인, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 7항에 있어서,상기 방사선 조사 이후에 상기 양극산화 알루미늄을 포함하는 세라믹 기판은 5
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제 7항에 있어서,상기 양극산화 알루미늄을 포함하는 세라믹 기판상에 수소 양이온 이온빔 방사선을 조사하는 단계 이전에,알루미늄 기판을 양극산화하여 표면에 나노 다공성 구조가 형성된 산화 알루미늄층을 포함한 세라믹 기판을 형성하는 단계를 더 포함하는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 11항에 있어서,상기 양극산화 단계는 상기 알루미늄 기판을 양극으로 하여 옥살산 수용액을 전기분해하는 단계를 포함하는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 12항에 있어서,상기 전기분해 단계는 10 ℃ 내지 20 ℃ 온도에서, 30 V 내지 50 V 의 일정한 전압으로, 10 시간 내지 14 시간 동안 옥살산 수용액을 전기분해하는 것을 특징으로 하는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 1항에 있어서,상기 수산화 알루미늄을 포함하는 세라믹 기판 표면에는 판상 형태의 나노 입체 돌기가 형성된, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 14항에 있어서,상기 판상 형태의 나노 입체 돌기는 5 ㎚ 내지 20 nm의 폭, 50 ㎚ 내지 500 nm의 선길이 및 100 ㎚ 내지 500 nm의 높이를 갖는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 14항에 있어서, 상기 판상 형태의 나노 입체 돌기와 상기 세라믹 기판이 이루는 각도가 0°초과 90°이하인, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 14항에 있어서,상기 수산화 알루미늄을 포함하는 세라믹 기판상에 제논 양이온 이온빔 방사선을 조사하는 단계를 포함하는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 17항에 있어서,상기 제논 양이온 이온빔 방사선 조사 이후에 상기 수산화 알루미늄을 포함하는 세라믹 기판이 40˚내지 130˚의 접촉각을 갖는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 17항에 있어서,상기 제논 양이온 이온빔 방사선 조사 전후 상기 수산화 알루미늄을 포함하는 세라믹 기판의 접촉각 변화율이 3,000% 이상인, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 17항에 있어서,상기 수산화 알루미늄을 포함하는 세라믹 기판상에 제논 양이온 이온빔 방사선을 조사하는 단계 이전에,알루미늄 기판을 알카리 처리하여 판상 형태의 나노 입체 돌기가 형성된 수산화 알루미늄층을 포함한 세라믹 기판을 형성하는 단계를 더 포함하는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 20항에 있어서,상기 알카리는 수산화 나트륨 수용액을 사용하는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제 21항에 있어서,상기 수산화 나트륨 수용액의 온도가 70 ℃ 내지 90 ℃인, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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제20항에 있어서,상기 알루미늄 기판을 5분 내지 20분 동안 알카리 처리하는, 세라믹 소재의 표면 개질 방법
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