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유기 태양전지 제조 방법에 있어서,기판 상에 버퍼 일체형 투명 전극을 형성하는 단계; 상기 투명 전극 상에 정공수송층을 형성하는 단계; 상기 정공수송층에 상에 광활성층을 형성하는 단계; 상기 광활성층상에 전자수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자수송층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 버퍼 일체형 투명 전극은, 인듐산화물 및 탄탈륨산화물의 동시 증착 공정에 의해 형성되는 유기 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 버퍼 일체형 투명 전극 내에서 상기 탄탈륨산화물은 상기 인듐산화물 대비 1 내지 10 중량 퍼센트를 갖는 유기 태양전지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 버퍼 일체형 투명 전극은 코-스퍼터링 공정에 의해 형성되며, 상기 탄탈륨산화물의 타겟이 인가되는 파워는 상기 인듐산화물의 타겟에 인가되는 파워는 대비 20 내지 40 퍼센트로 설정되는 유기 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 탄탈륨산화물의 Ta5+이온이 상기 인듐산화물의 In3+이온과 치환 고용됨으로써 ITaO(Ta2O5-DOPEDIn2O3)을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지의 제조 방법
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기판 위에 형성된 버퍼 일체형 투명 전극;상기 버퍼 일체형 투명 전극 상에 형성되는 정공수송층;상기 정공수송층 상에 형성되는 광활성층;상기 광활성층에 형성되는 전자수송층; 및상기 전자수송층 상에 형성되는 음극을 포함하되,상기 버퍼 일체형 투명 전극은 인듐산화물 및 탄탈륨산화물의 동시 증착 공정에 의해 형성되는 유기 태양전지
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제5항에 있어서,상기 버퍼 일체형 투명 전극 내에서 상기 탄탈륨산화물은 상기 인듐산화물 대비 1 내지 10 중량 퍼센트를 갖는 유기 태양전지
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제5항에 있어서,상기 버퍼 일체형 투명 전극은 코-스퍼터링 공정에 의해 형성되며, 상기 탄탈륨산화물의 타겟이 인가되는 파워는 상기 인듐산화물의 타겟에 인가되는 파워는 대비 20 내지 40 퍼센트로 설정되는 유기 태양전지
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제6항에 있어서,상기 탄탈륨산화물의 Ta5+ 이온이 상기 인듐산화물의 In3+이온과 치환 고용됨으로써 ITaO(Ta2O5-DOPED In2O3)을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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전자소자를 위한 투명 전극으로서, 인듐산화물 및 탄탈륨산화물의 동시 증착 공정에 의해 형성되어 정공의 추출 및 양극으로 기능하는 버퍼 일체형 투명 전극
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