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양극, 정공수송층, 광활성층, 전자수송층, 및 음극을 포함하는 태양전지에 있어서, 상기 정공수송층은 Ga이 포함된 p형 산화물 반도체이며, 상기 p형 산화물 반도체는 CuS 및 SnO에 상기 Ga이 포함된 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 Ga은 전체 조성 대비, 10 내지 70 퍼센트(atomic 퍼센트) 범위인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 p형 산화물 반도체는 하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3에서 선택되는 1종 이상으로 표현되는 것인 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 태양전지는 유기 반도체를 이용한 유기 태양전지인 것을 특징으로 하는 태양전지
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진공증착공정에 의해 기판 상에 양극을 형성하는 단계;용액공정에 의해, 상기 양극 상에 정공수송층을 형성하는 단계;용액공정에 의해, 상기 정공수송층 상에 광활성층을 형성하는 단계;용액공정에 의해, 상기 광활성층 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자수송층 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 정공수송층은, 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 용매에 혼합한 용액으로 성막하여 형성되며, 상기 p형 산화물 반도체는 CuS 및 SnO에 상기 Ga이 포함된 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 Ga은 전체 조성 대비, 10 내지 70 퍼센트(atomic 퍼센트) 범위인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 p형 산화물 반도체는 하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3에서 선택되는 1종 이상으로 표현되는 것인 태양전지 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 용매는 에틸렌 글리콜에 아세토나이트릴, DI water, 알코올, 사이클로헥산(cyclohexane), 톨루엔(toluene) 및 유기 용매 중 적어도 하나를 5 내지 50 부피 퍼센트로 혼합한 것인 태양전지 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 p형 산화물 반도체는, (a) Cu, S, M, 및 Ga이 포함된 전구체 용액을 제조하는 단계(여기서, M은, SnO, ITO, IZTO, IGZO, 및 IZO에서 선택되는 1종 이상의 화합물이다);(b) 상기 전구체 용액을 기판 상에 도포하여 코팅층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 코팅층을 열처리하는 단계를 순차적으로 포함하는 과정에 의해 제조되는 태양전지 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 전구체 용액은, [CuTu3]Cl를 포함하는 것임을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 전구체 용액은, Thiourea를 포함하는 것임을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
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