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기공, 및 허니콤 구조의 탄소 골격을 포함하는 산화 그래핀을 포함하고, 상기 탄소 골격은 실리콘 코팅층을 포함하는 3차원의 다공성 산화 그래핀 나노 구조체
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제1항에 있어서,밀도가 5 mg/cm3 내지 20 mg/cm3 인 3차원의 다공성 산화 그래핀 나노 구조체
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제1항에 있어서,공극율이 95% 내지 99
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제1항에 있어서,상기 실리콘 코팅층의 두께는 2 nm 내지 5 nm인 3차원의 다공성산화 그래핀 나노 구조체
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산화그래핀을 박리/분산하여 산화그래핀 분산 용액을 제조하는 단계;상기 산화그래핀 분산 용액을 용기에 담아 액체 질소로 동결시키는 단계;상기 동결된 산화그래핀 분산 용액을 동결 건조하여 분산매가 제거된 산화그래핀 분산체를 제조하는 단계; 및상기 산화 그래핀 분산체를 PDMS(polydimethylsiloxane)로 증기 증착하여 표면 처리하는 단계를 포함하는 3차원의 다공성 산화 그래핀 나노 구조체의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 산화그래핀을 박리/분산하여 산화그래핀 분산 용액을 제조하는 단계는, 산화 그래핀을 증류수에서 30분 내지 2시간 동안 초음파 분산 처리함으로써 수행되는 것인 3차원의 다공성 산화 그래핀 나노 구조체의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 산화그래핀 분산 용액은 산화그래핀이 1 mg/mL 내지 10 mg/mL의 농도로 포함되는 것인 3차원의 다공성 산화 그래핀 나노 구조체의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 산화그래핀 분산 용액을 용기에 담아 액체 질소로 동결시키는 단계는, -180℃ 내지 -200℃의 온도에서 30분 내지 1시간 동안 수행되는 것인 3차원의 다공성 산화 그래핀 나노 구조체의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 동결된 산화그래핀 분산 용액을 동결 건조하여 분산매를 제거하는 단계는, -60℃ 내지 -55℃의 온도에서 40 시간 내지 50 시간 동안 수행되는 것인 3차원의 다공성 산화 그래핀 나노 구조체의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 산화 그래핀은 PDMS(polydimethylsiloxane) 1 중량부에 대하여 10 내지 20 중량부인 3차원의 다공성 산화 그래핀 나노 구조체의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 증기 증착은 200℃ 내지 300℃의 온도에서 30분 내지 2시간 동안 수행되는 것인 3차원의 다공성 산화 그래핀 나노 구조체의 제조 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 3차원의 다공성 산화 그래핀 나노 구조체를 포함하는 유기물 흡착제
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