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스위칭 전압을 공급하는 게이트 라인 및 박막트랜지스터에 저장된 전하를 외부로 출력하는 데이터 라인에 접속되는 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터의 드레인에 접속되어, 가시광 입력에 따라 상기 박막트랜지스터에 전달할 전하를 축적하는 포토다이오드; 및상기 포토다이오드에 음 전위의 바이어스 전압을 공급하는 바이어스 라인과 접속되는 바이어스 전극을 포함하고, 상기 바이어스 전극은, 전자빔에 의하여 상기 박막트랜지스터 상부와 상기 포토다이오드의 외곽에 축적되는 전하가 상기 바이어스 전압에 의하여 외부로 배출되도록 상기 박막트랜지스터 상부와 상기 포토다이오드의 외곽을 덮도록 형성된 전자빔용 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는, 상기 게이트 라인과 접속되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막;상기 데이터 라인이 접속된 소스 전극;상기 소스 전극과 마주보도록 형성된 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 오믹 접촉되도록 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 일부 중첩되며, 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기게이트 전극과 중첩되도록 상기 게이트 절연막 상에 형성된 액티브층; 및 상기 액티브층 상에 상기 드레인 전극이 노출되도록 화소 컨택홀이 형성된 제1 보호막을 포함하는 전자빔용 이미지 센서
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제2항에 있어서,상기 액티브층은, 비정질실리콘, 다결정 실리콘, ZnO(Zinc Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 중 어느 하나로 형성된 박막 반도체인 것을 특징으로 하는 전자빔용 이미지 센서
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제3항에 있어서,상기 액티브층의 두께는 10~1000nm인 것을 특징으로 하는 전자빔용 이미지 센서
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제2항에 있어서,상기 포토다이오드는 상기 제1 보호막상에 형성되어, 상기 드레인 전극과 접속되는 전자빔용 이미지 센서
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제5항에 있어서, 상기 포토다이오드는, 상기 드레인 전극과 전기적으로 접속되는 제1 전극; 및 상기 제1 전극 상에 형성되며, N형 반도체층, 진성 반도체층, P형 반도체층이 순차적으로 적층된 형태인 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔용 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 포토다이오드 상부에 음극을 형성하는 제2 전극;상기 제2 전극이 일부 노출되도록 공통 컨택홀이 형성된 제2 보호막; 및 상기 전자빔용 이미지 센서 전체를 보호하는 제3 보호막을 더 포함하고, 상기 바이어스 전극은 상기 제2 보호막 및 상기 제3 보호막 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자빔용 이미지 센서
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스위칭 전압을 공급하는 게이트 라인 및 박막트랜지스터에 저장된 전하를 외부로 출력하는 데이터 라인에 접속되는 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터의 드레인에 접속되어, 가시광 입력에 따라 상기 박막트랜지스터에 전달할 전하를 축적하는 포토다이오드를 형성하는 단계; 및상기 포토다이오드에 음 전위의 바이어스 전압을 공급하는 바이어스 라인과 접속되는 바이어스 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 바이어스 전극은, 전자빔에 의하여 상기 박막트랜지스터 상부와 상기 포토다이오드의 외곽에 축적되는 전하가 상기 바이어스 전압에 의하여 외부로 배출되도록 상기 박막트랜지스터 상부와 상기 포토다이오드의 외곽을 덮도록 형성된 전자빔용 이미지 센서 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는, 상기 게이트 라인과 접속되는 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계;소스 전극 및 드레인 전극과 오믹 접촉되도록 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 일부 중첩되며, 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극과 중첩되도록 상기 게이트 절연막 상에 형성된 액티브층을 형성하는 단계; 상기 데이터 라인이 접속된 상기 소스 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극과 마주보도록 형성된 상기 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 액티브층 상에 상기 드레인 전극이 노출되도록 화소 컨택홀이 형성된 제1 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 전자빔용 이미지 센서 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 포토다이오드 상부에 음극을 형성하는 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 전극이 일부 노출되도록 공통 컨택홀이 형성된 제2 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 전자빔용 이미지 센서 전체를 보호하는 제3 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 전자빔용 이미지 센서 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 바이어스 전극은 상기 제2 보호막 및 상기 제3 보호막 사이에 형성되고, 상기 포토다이오드는 상기 화소 컨택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접속되도록 상기 제1 보호막 상에 형성되는 전자빔용 이미지 센서 제조 방법
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