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금속층;상기 금속층 위에 배치되며, 적어도 하나의 홀을 포함하는 광 추출층;상기 금속층과 상기 광 추출층 사이에서 상기 적어도 하나의 홀과 접하여 배치되며, 상기 금속층을 평탄화시키는 투광성 평탄층; 및상기 광 추출층 위에 배치된 발광 구조물을 포함하고,상기 투광성 평탄층은 원자 두께를 갖고 탄소를 포함하는 적어도 하나의 그래핀층을 포함하고,상기 광 추출층은상기 투광성 평탄층과 상기 발광 구조물 사이에 배치된 유전체층을 포함하고,상기 유전체층과 상기 발광 구조물 사이에 배치된 투명 전극층을 더 포함하고,상기 광 추출층은 적어도 한 방향으로 유전율이 공간적으로 변하는 구조를 갖는 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 그래핀층은 0
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제1 항에 있어서, 상기 투광성 평탄층은 아래와 같은 유전율을 갖는 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 투광성 평탄층은 전기적 전도성을 갖는 물질을 포함하는 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 투광성 평탄층은 전기적 절연성을 갖는 물질을 포함하고, 수 ㎚ 이하의 두께를 갖는 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 광 추출층과 상기 발광 구조물 사이에 배치된 투명 전극층을 더 포함하고,상기 광 추출층은상기 금속층과 대향하며 상기 적어도 하나의 홀이 배치된 하부; 및상기 발광 구조물과 대향하는 상부를 포함하는 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 발광 구조물은제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치된 활성층; 및상기 활성층과 상기 광 추출층 사이에 배치된 제2 도전형 반도체층을 포함하고,상기 발광 소자는상기 제1 도전형 반도체층 위에 배치된 제1 전극; 및상기 금속층 아래에 배치된 지지 기판을 더 포함하고,상기 발광 구조물은 광 결정을 갖고, 상기 광 결정은 상기 발광 구조물의 상부에 형성되는 발광 소자
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제1 항에 있어서,상기 발광 구조물은제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층 아래에 배치된 활성층; 및상기 활성층과 상기 광 추출층 사이에 배치된 제2 도전형 반도체층을 포함하고,상기 발광 소자는상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층과 상기 제1 도전형 반도체층을 메사식각하여 노출된 상기 제1 도전형 반도체층의 아래에 배치된 제1 전극;상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치된 제2 전극; 및상기 제1 도전형 반도체층 위에 배치되며, 상부에 형성된 광 결정을 갖는 기판을 더 포함하고,상기 광 결정은 상기 기판의 상부에 형성된 발광 소자
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패키지 몸체부; 및상기 패키지 몸체부에 배치된 제1 및 제2 리드 프레임;상기 패키지 몸체부에 배치되어 상기 제1 및 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 발광 소자; 및상기 발광 소자를 포위하는 몰딩 부재를 포함하고,상기 발광 소자는금속층;상기 금속층 위에 배치되며, 적어도 하나의 홀을 포함하는 광 추출층;상기 금속층과 상기 광 추출층 사이에서 상기 적어도 하나의 홀과 접하여 배치되며, 상기 금속층을 평탄화시키는 투광성 평탄층; 및상기 광 추출층 위에 배치된 발광 구조물을 포함하고,상기 광 추출층은상기 투광성 평탄층과 상기 발광 구조물 사이에 배치된 유전체층을 포함하고,상기 유전체층과 상기 발광 구조물 사이에 배치된 투명 전극층을 더 포함하고,상기 광 추출층은 적어도 한 방향으로 유전율이 공간적으로 변하는 구조를 갖는 발광 소자 패키지
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