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유리 기판 위에 유리 결정 원자보다 결정 원자의 사이즈가 크고, 전하차가 하나 이하인 분자 치환층을 형성하는 분자 치환층 형성 단계, 상기 유리 기판 위에 가공하고자 하는 형상과 대칭되게 상기 분자 치환층을 패터닝(patterning) 하는 패터닝 단계, 상기 유리 기판의 상기 유리 결정 원자와 상기 분자 치환층을 이루는 결정 원자를 서로 치환시키는 분자 치환 단계, 상기 유리 기판으로부터 패터닝된 상기 분자 치환층을 제거하는 분자 치환층 제거 단계, 및상기 유리 기판에서 분자 치환되어 유리 결정 구조가 약화된 부분을 식각하여 가공하는 가공 단계 를 포함하는 유리 나노 가공 방법
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제1항에 있어서, 상기 분자 치환층 형성 단계에서,상기 분자 치환층은 상기 유리 기판의 결정 원자와 분자 치환이 가능한 금속막으로 이루어지는 유리 나노 가공 방법
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제2항에 있어서, 상기 금속막은, 스퍼터링(sputtering)에 의해 형성되는 유리 나노 가공 방법
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제2항에 있어서, 상기 금속막은, 필라멘트 증착, 전자빔 증착, RF 전력 증착 및 플래쉬 증착 중 어느 하나의 열 증착법에 의해 형성되는 유리 나노 가공 방법
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제4항에 있어서, 상기 유리 기판은 붕규산 유리 기판을 포함하는 유리 나노 가공 방법
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제5항에 있어서, 상기 금속막은 알루미늄인 것을 포함하는 유리 나노 가공 방법
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제1항에 있어서, 상기 분자 치환층 형성 단계에서,상기 분자 치환층은 상기 유리 기판의 결정 원자와 분자 치환이 가능한 비금속막으로 이루어지는 유리 나노 가공 방법
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제7항에 있어서, 상기 비금속막은, 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition)에 의해 형성되는 유리 나노 가공 방법
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제1항에 있어서, 상기 패터닝 단계에서, 상기 분자 치환층은 노광, 현상 및 식각 공정에 의해 패터닝되는 유리 나노 가공 방법
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제9항에 있어서, 상기 분자 치환층의 패턴닝 두께와 상기 유리 기판의 가공 깊이가 비례하는 유리 나노 가공 방법
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제 1항에 있어서, 상기 분자 치환 단계는, 상기 유리 기판과 상기 금속막에 열과 전기장을 가하여 분자 치환시키는 유리 나노 가공 방법
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제11항에 있어서, 상기 전기장을 형성하는 전압의 세기와 상기 유리 기판의 가공 깊이가 서로 비례하는 유리 나노 가공 방법
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제11항에 있어서, 상기 열처리 온도와 상기 유리 기판의 가공 깊이가 서로 비례하는 유리 나노 가공 방법
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제11항에 있어서,상기 열처리 온도 및 상기 전기장을 형성하는 전압의 세기의 조합에 의해 상기 유리 기판의 가공 깊이를 조절하는 유리 나노 가공 방법
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