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유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015168921
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 애노드, 캐소드 및 애노드와 캐소드 사이에 개재된 발광층을 구비하고, 상기 캐소드와 상기 발광층 사이에 금속 질화물 및 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함한 전자주입층이 개재된 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 유기 발광 다이오드는 우수한 전기적 특성을 갖는 바, 이를 이용하면 신뢰성이 향상된 평판 디스플레이를 얻을 수 있다.유기 발광 다이오드
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5092(2013.01)H01L 51/5092(2013.01)H01L 51/5092(2013.01)H01L 51/5092(2013.01)H01L 51/5092(2013.01)H01L 51/5092(2013.01)H01L 51/5092(2013.01)H01L 51/5092(2013.01)H01L 51/5092(2013.01)H01L 51/5092(2013.01)
출원번호/일자 1020050081199 (2005.09.01)
출원인 학교법인 포항공과대학교, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0721429-0000 (2007.05.17)
공개번호/일자 10-2007-0025253 (2007.03.08) 문서열기
공고번호/일자 (20070523) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.01)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경북 포항시 남구
2 김수영 대한민국 경북 포항시 남구
3 최호원 대한민국 대구 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2005-0490131-52
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2005.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-5109016-12
3 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2005.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2005-5120135-40
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0059484-08
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0628432-18
7 의견서
Written Opinion
2006.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0971108-40
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0971109-96
9 등록결정서
Decision to grant
2007.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0230041-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
애노드, 캐소드 및 애노드와 캐소드 사이에 개재된 발광층을 구비하고, 상기 캐소드는 전자 주입 전극이고, 상기 캐소드는 Al, Ca, Ce, Co, Cr, Cu, Fe, Ga, Gd, Ge, In, La, Ni, Mg, Mn, Na, Pb, Pd, Pt, Sb, Se, Si, Sn, Te, Ti, Zn 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하고, 상기 캐소드와 상기 발광층 사이에 a) 금속 질화물 및 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질 및 b) 알칼리 금속의 할로겐화물 중 2 이상의 물질을 포함한 전자주입층이 개재되고, 상기 전자주입층이 서로 다른 물질로 이루어진 2 이상의 다층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속 질화물은 Mg 질화물, Al 질화물, Ti 질화물, Ag 질화물 및 Ta 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 금속 산화물은 Mg 산화물, Al 산화물, Ti 산화물, Ag 산화물 및 Ta 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
4 4
제1항에 있어서, 상기 전자주입층은 캐소드 표면을 N2, O2 또는 N2O 플라즈마 처리하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
5 5
제1항에 있어서, 상기 금속 질화물이 TaN, TiN 또는 AlNx(x≥1)이고, 상기 금속 산화물이 Al2O3, TiO2, Ta2O3 또는 MgO인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
6 6
제1항에 있어서, 상기 전자주입층의 두께가 0
7 7
삭제
8 8
제7항에 있어서, 상기 전자주입층이 AlNx(x≥1)층/LiF층, AlNx(x≥1)층/MgO층, MgO층/LiF층 또는 LiF층/MgO층의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서, 상기 캐소드가 Ti층/Al층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
11 11
제1항에 있어서, 상기 발광층과 상기 애노드 사이에 정공주입층 및 정공수송층 중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
12 12
기판 상부에 전자 주입 전극으로서 Al, Ca, Ce, Co, Cr, Cu, Fe, Ga, Gd, Ge, In, La, Ni, Mg, Mn, Na, Pb, Pd, Pt, Sb, Se, Si, Sn, Te, Ti, Zn 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함한 캐소드를 형성하는 단계;상기 캐소드 상부에 a) 금속 질화물 및 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질 및 b) 알칼리 금속의 할로겐화물 중 2 이상의 물질을 포함하고, 서로 다른 물질로 이루어진 2 이상의 다층 구조를 갖는 전자주입층을 형성하는 단계;상기 전자주입층 상부에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상부에 애노드를 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 전자주입층 형성 단계를, 상기 캐소드 표면을 O2, N2 또는 N2O 플라즈마 처리함으로써 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 전자주입층 형성 단계를, 상기 캐소드 상부에 금속 질화물 및 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 증착시킴으로써 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
15 15
제12항에 있어서, 상기 전자주입층 형성 단계 후, 상기 전자주입층 표면을 O2, N2, N2O 또는 Ar 플라즈마로 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
16 16
제12항에 있어서, 상기 발광층 형성 단계와 상기 애노드 형성 단계 사이에 정공수송층 형성 단계 및 정공주입층 형성 단계 중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
17 17
제1항에 있어서, 상기 금속 질화물 또는 금속 산화물이 상기 캐소드에 포함된 금속의 질화물 또는 산화물인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
18 18
제13항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 시 플라즈마 파워가 25W 내지 75W인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
19 19
제13항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 시 플라즈마 처리 시간이 15초 내지 60초인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.