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텅스텐 카바이드 결정 입자를 포함하고 표면적이 100 m2/g 내지 500 m2/g이고, 상기 텅스텐 카바이드 결정 입자의 화학식이 WC, W2C, WC1-x 또는 WO3인 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매(여기서, x는 0과 1 사이의 임의의 실수임)
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제 1 항에 있어서, 평균 입경이 0
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제 1 항에 있어서, 상기 텅스텐 카바이드 결정 입자가 탄소에 의하여 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매
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삭제
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제 1 항에 있어서, 텅스텐과 탄소와 산소의 원자비가 1 : m : n이고, 0
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제 1 항에 있어서, 표면에 금속 활성 성분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매
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제 6 항에 있어서, 상기 금속 활성 성분이 백금, 루테늄, 오스뮴, 코발트, 팔라듐, 갈륨, 티타늄, 바나듐, 크롬, 망간, 철, 니켈, 구리, 아연, 알루미늄, 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매
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(a) 고분자로 중합 가능한 단량체 및 텅스텐 전구체를 용매에 용해시켜 혼합하는 단계;(b) 상기 단량체를 중합하여 생성된 고분자와 텅스텐 전구체가 결합한 텅스텐-고분자 복합체를 제조하는 단계;(c) 상기 텅스텐-고분자 복합체를 분리하여 소성하는 단계를 포함하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 중합 온도가 20 ℃ 내지 200 ℃인 것을 특징으로 하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매의 제조방법
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10
제 8 항에 있어서, 상기 텅스텐 전구체가 텅스텐산염인 것을 특징으로 하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 텅스텐산염이 암모늄 메타 텅스테이트, 암모늄 텅스테이트, 소디움 텅스테이트, 텅스텐 클로라이드, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 단량체가 레소시놀/포름알데히드, 페놀/포름알데히드, 피롤, 티오펜, 아크로네이트, 염화비닐인 것을 특징으로 하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 용매가 물 또는 알코올계 용매인 것을 특징으로 하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (a)에서 텅스텐 전구체와 용매의 몰비가 1 : 500 내지 1 : 3000인 것을 특징으로 하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (a)에서 텅스텐 전구체와 단량체의 몰비가 1 : 5 내지 1 : 200인 것을 특징으로 하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 중합 시간이 5 시간 내지 48 시간인 것을 특징으로 하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 소성이 600 ℃ 내지 1200 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 소성한 후 생성된 입자 표면에 금속 활성 성분을 담지시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매의 제조방법
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제 1 항 내지 제 3 항, 및 제 5 항 내지 제 7 항 중의 어느 한 항에 따른 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매를 포함하는 연료전지용 전극
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촉매층과 확산층을 포함하는 캐소드; 촉매층과 확산층을 포함하는 애노드; 및 상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 위치하는 전해질막을 포함하는 연료전지에 있어서, 상기 캐소드 및 상기 애노드 중의 적어도 하나가 제 1 항 내지 제 3 항, 및 제 5 항 내지 제 7 항 중의 어느 한 항에 따른 고표면적 텅스텐 카바이드 촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는 연료전지
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