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촉매의 사용 없이 전자기파 방사를 통한 나노와이어의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노와이어

  • 기술번호 : KST2015168941
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 위에 박막 증착된 물질로부터 촉매를 사용하지 아니하고 전자기파 방사(Electromagnetic wave irradiation)를 통해 나노와이어(nanowire)를 제조하는 방법 및 그에 의해 제조된 나노 와이어를 제공한다. 본 발명에 따른 전자기파 방사법을 사용한 나노와이어의 제조시 기존의 촉매를 사용한 제조 방법에서의 복잡한 공정이 필요 없으며 수초의 반응시간 내에 나노와이어의 합성이 가능하므로 다양한 기판이 선택되어 사용될 수 있다는 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020050110074 (2005.11.17)
출원인 학교법인 포항공과대학교, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0772661-0000 (2007.10.26)
공개번호/일자 10-2007-0052436 (2007.05.22) 문서열기
공고번호/일자 (20071101) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.17)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심대섭 대한민국 경북 포항시 남구
2 이건홍 대한민국 경북 포항시 남구
3 윤범진 대한민국 경북 포항시 남구
4 김은하 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
2 학교법인 포항공과대학교 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0661342-45
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2005.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-5137852-55
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.09.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.10.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0065762-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0658533-79
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0018331-18
7 의견서
Written Opinion		 2007.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0018330-62
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2007.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0199580-50
9 의견서
Written Opinion		 2007.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0424239-72
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0424240-18
11 등록결정서
Decision to grant		 2007.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0500557-94
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
촉매를 사용하지 않고 전자기파 방사를 통해 기판 위의 박막 증착된 물질로부터 직접 나노와이어를 합성하는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, (a) 박막 증착된 물질을 포함하는 기판을 전자기파 반응기에 인입하는 단계; (b) 상기 반응기 내에 불활성 가스를 주입하여 반응기 내의 잔존 공기를 제거하는 단계; 및 (c) 전자기파를 상기 기판에 박막 증착된 물질에 방사하여 나노와이어를 합성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 박막 증착된 물질이 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 황화물인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 금속이 금, 티타늄, 니오븀, 알루미늄, 인듐 또는 철을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 박막 증착된 물질이 비금속, 비금속 산화물, 비금속 질화물 또는 비금속 황화물인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 비금속이 실리콘 또는 게르마늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 불활성 가스가 아르곤, 헬륨 및 네온으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 불활성 가스가 산소, 질소 또는 황화수소와 혼합 사용되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 기판이 실리콘 기판, SiO2 기판, Al2O3 기판 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 플라스틱 기판이 폴리스티렌 기판, 폴리에틸렌 기판 또는 폴리테트라플루오로에틸렌 기판인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조 방법
11 11
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 나노와이어
12 12
제 11 항에 있어서,상기 나노와이어가 금속 나노와이어, 금속 산화물 나노와이어, 금속 질화물 나노와이어 또는 금속 황화물 나노와이어인 것을 특징으로 하는 나노와이어
13 13
제 12 항에 있어서,상기 금속이 크롬, 티타늄, 금, 니오븀, 알루미늄, 인듐 또는 철인 것을 특징으로 하는 나노와이어
14 14
제 11 항에 있어서,상기 나노와이어가 비금속 나노와이어, 비금속 산화물 나노와이어, 비금속 질화물 나노와이어 또는 비금속 황화물 나노와이어인 것을 특징으로 하는 나노와이어
15 15
제 14 항에 있어서,상기 비금속이 실리콘 또는 게르마늄인 것을 특징으로 하는 나노와이어
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.