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ＦＥＴ 기반 생분자 검출 센서, 그의 제조 방법 및 그를이용한 생분자 검출 방법

  • 기술번호 : KST2015168946
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 증가된 쇼트키 접촉 영역(Schottky contact area)을 포함하는 단일벽 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터(SWNT-FET) 기반 생분자 검출 센서에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 단일벽 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터 기반 생분자 검출 센서의 제조 방법 및 그를 이용한 생분자 검출 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조 방법에 따르면 얇고 증가된 면적의 쇼트키 접촉 영역을 갖는 SWNT-FET 기반 생분자 검출 센서를 얻을 수 있다. 본 발명의 생분자 검출 센서는 매우 우수한 감도를 가지고, 예컨대, 1 pM의 농도에서 생분자의 비특이적인 흡착 및 특이적인 생분자-생분자 상호결합 모두를 효과적으로 검출할 수 있다. 탄소나노튜브, 전계 효과 트랜지스터, 쇼트키 접촉 영역, 생분자 검출 센서
Int. CL G01N 27/414 (2006.01.01) C12Q 1/6825 (2018.01.01) C01B 32/158 (2017.01.01) G01N 33/543 (2006.01.01) B82Y 5/00 (2017.01.01)
CPC G01N 27/4146(2013.01)G01N 27/4146(2013.01)G01N 27/4146(2013.01)G01N 27/4146(2013.01)G01N 27/4146(2013.01)G01N 27/4146(2013.01)
출원번호/일자 1020050117687 (2005.12.05)
출원인 학교법인 포항공과대학교, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0732610-0000 (2007.06.20)
공개번호/일자 10-2007-0058880 (2007.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20070627) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.05)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최희철 대한민국 경북 포항시 남구
2 변혜령 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2005-0709657-25
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2005.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2005-5146585-70
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0074124-84
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0678713-59
6 의견서
Written Opinion		 2007.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0019164-57
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0019165-03
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0298787-48
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 네트워크 형태의 고밀집 탄소나노튜브를 증착하는 단계; 새도우 마스크(shadow mask)를 상기 기판으로부터 이격시켜 평행하게 배치하는 단계; 및 상기 새도우 마스크의 수직면을 기준으로 기울어진 각으로 금속을 조사하여 소스 및 드레인 금속 전극을 증착하는 단계; 를 포함하는 전계 효과 트랜지스터(FET) 기반 생분자 검출 센서의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 증착은 화학기상증착법(CVD), 레이저 어블레이션법(laser ablation), 전기방전법(arc-discharge), 플라즈마강화화학기상증착법, 열화학기상증착법, 기상합성법 (vapor phase growth), 전기분해법 및 플레임 합성법으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 웨이퍼, 유리, 석영, 금속 및 플라스틱으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 나노튜브(SWNT; single-walled nanotube)인 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 새도우 마스크는 금속 또는 반도체 박막인 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 새도우 마스크는 10~2000 ㎛의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 새도우 마스크를 상기 기판으로부터 30~1000 ㎛ 이격시켜 배치하는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 기울어진 각은 5~35˚인 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 금속 전극의 증착은 물리기상증착법(PVD), 전자빔 증발법(e-beam evaporation) 또는 열 증발법(thermal evaporation)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 금속은 백금, 금, 크롬, 구리, 알루미늄, 니켈, 팔라듐 및 티타늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 방법
11 11
제 1항에 있어서, 상기 증착되는 금속의 두께는 15~200 nm인 것을 특징으로 하는 방법
12 12
제 1항에 있어서, 상기 생분자는 핵산 또는 단백질인 것을 특징으로 하는 방법
13 13
기판; 상기 기판의 양측에 서로 분리되어 형성되는 소스 및 드레인 금속 전극들; 및 상기 소스 및 드레인 금속 전극들과 접촉하고 상기 기판 상에 구비되며 채널을 형성하는 고밀집 탄소나노튜브 층을 포함하고, 상기 소스 및 드레인 금속 전극들 각각은 서로에 대한 방향의 상기 고밀집 탄소나노튜브 층 상으로 연장되고, 상기 금속 전극들의 두께는 연장 방향에 대해 점진적으로 얇아지는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터(FET) 기반 생분자 검출 센서
14 14
제 13항에 따른 전계 효과 트랜지스터(FET) 기반 생분자 검출 센서의 소스 전극 표면, 게이트 표면 및 드레인 전극 표면에 생분자를 도입하는 단계; 및 상기 전계 효과 트랜지스터(FET) 기반 생분자 검출 센서의 소스 및 드레인 사이의 채널 영역에 흐르는 전류 값을 측정하는 단계;를 포함하는 생분자 검출 방법
15 15
제 14항에 있어서, 상기 생분자 도입 단계는 상기 전계 효과 트랜지스터(FET) 기반 생분자 검출 센서의 소스 전극 표면, 게이트 표면 및 드레인 전극 표면에 프로브 생분자를 도입하는 단계; 및 상기 전계 효과 트랜지스터(FET) 기반 생분자 검출 센서의 소스 전극 표면, 게이트 표면 및 드레인 전극 표면에 표적 생분자를 도입하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
16 16
제 14항에 있어서, 상기 생분자는 핵산 또는 단백질인 것을 특징으로 하는 방법
17 17
제 16항에 있어서, 상기 핵산은 DNA, RNA, PNA, LNA 및 그 혼성체로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
18 18
제 16항에 있어서, 상기 단백질은 효소, 기질, 항원, 항체, 리간드, 압타머 및 수용체로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20090208922 US 미국 FAMILY
2 WO2007066954 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009208922 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2007066954 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.