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(a) 기판 위에 버퍼층을 코팅하는 단계;(b) 상기 버퍼층이 코팅된 기판을 0
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제1항에 있어서,상기 (a)단계의 상기 기판이 60℃ 이상의 알칼리 용액에서 열적으로 안정한 기판인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 기판이 유리 기판, 고분자 수지 기판, 실리콘 기판 또는 스테인레스강 기판인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a)단계의 상기 버퍼층이 Zn, Ag, ZnO, GaN, SiC 또는 TiN인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a)단계의 버퍼층의 코팅이 화학증착법, 스퍼터링법, 증발법 또는 졸-겔법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대의 제조방법
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6
제1항에 있어서,상기 (a)단계의 버퍼층의 두께가 2 내지 1000 nm인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b)단계의 상기 아연염이 질산아연, 황산아연, 염화아연, 아세트산아연 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c)단계에서 성장이 종료된 ZnO 나노막대를 포함하는 기재를 회수하여, 상기 (b)단계 및 (c)단계를 반복함으로써 ZnO 나노막대의 크기를 성장시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대의 제조방법
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(1) 기판 위에 버퍼층을 코팅하는 단계;(2) 상기 버퍼층이 코팅된 기판을 0
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제12항에 있어서,상기 (4)단계의 상기 리트스트층의 패턴화가 자외선(UV), 전자빔 또는 이온빔을 조사함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 (6)단계에서 성장이 종료된 ZnO 나노막대를 포함하는 기재를 회수하여, 상기 아연염 및 암모니아수를 포함하는 수용액에 침지하고 가열하는 것을 반복함으로써 ZnO 나노막대의 크기를 성장시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대의 제조방법
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(1') 기판 위에 버퍼층을 코팅하는 단계;(2') 상기 버퍼층 위에 리지스트(resist)층을 형성시키는 단계;(3') 상기 리지스트층 위에 패턴화된 마스크를 적층시킨 후 마스크에 의해 차폐되지 않은 리지스트층을 식각시켜 제거함으로써 기재를 패턴화시키는 단계; 및(4') 상기 패턴화된 기재를 0
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