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산화아연계 미세 구조물 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015168956
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요약 본 발명은 산화아연계 미세 구조물을 선택적으로 성장시키는 방법 및 그 제조된 산화아연계 미세 구조물에 관한 것이며, 더욱 구체적으로 본 발명은 기판 상에 유기물 또는 무기물을 코팅하는 단계, 물리적 또는 화학적 식각 방법을 이용하여 기판 상에 특정한 위치와 일정한 간격을 가지는 패턴을 가하는 단계, 수열 합성법, 물리기상 증착법, 화학기상 증착법 등 다양한 성장방법을 통해서 상기 패턴이 가해진 위치에 선택적으로 산화아연계 미세 구조물를 성장시키는 단계를 포함하는 산화아연계 미세 구조물의 선택성장 방법 및 이로부터 제조된 산화아연계 미세 구조물을 제공한다.산화아연계 미세 구조물, 유기물, 무기물 코팅, 선택성장
Int. CL G03F 7/00 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC C30B 7/10(2013.01) C30B 7/10(2013.01) C30B 7/10(2013.01) C30B 7/10(2013.01)
출원번호/일자 1020060027425 (2006.03.27)
출원인 학교법인 포항공과대학교, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0767284-0000 (2007.10.09)
공개번호/일자 10-2007-0096607 (2007.10.02) 문서열기
공고번호/일자 (20071017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.03.27)
심사청구항수 32

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규철 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김용진 대한민국 경북 포항시 남구
3 이철호 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강경찬 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *동***호(양재동,양재역환승주차장)(특허법인 태웅)
2 김동진 대한민국 경기도 성남시 분당구 성남대로***번길**, ***호(야탑동, 글라스타워)(특허법인유아이피(성남분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0213069-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2007-0003132-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0098922-81
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0304238-45
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0371554-17
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0445163-37
8 의견서
Written Opinion		 2007.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0445164-83
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0490888-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 유기물 또는 무기물을 코팅하는 단계,(b) 상기 유기물 또는 무기물 코팅층에 리소그라피 공정과 물리적 또는 화학적 식각방법으로 패턴을 가하여 상기 기판 상에 패턴영역을 형성시키는 단계, 및(c) 상기 패턴영역 상에 선택적으로 산화아연층을 성장시키는 단계를 포함하되,상기 산화아연층은 Si, Ge, Ce, Cu, W, Ba, Al, In, Cs, Ni, Pt, Mg, Cd, Al, Fe, Ga, Se, Mn, Ti, Ni, N, P, As 및 C 중에서 선택된 1종 이상의 이종 물질을 추가로 포함하는 것임을 특징으로 하는산화아연계 미세 구조물의 제조방법
2 2
(a) 기판 상에 버퍼층을 성장시키는 단계,(b) 상기 버퍼층 상에 유기물 또는 무기물을 코팅하는 단계,(c) 상기 유기물 또는 무기물 코팅층에 리소그라피 공정과 물리적 또는 화학적 식각방법으로 패턴을 가하여 상기 버퍼층 상에 패턴영역을 형성시키는 단계, 및(d) 상기 패턴영역 상에 선택적으로 산화아연층을 성장시키는 단계를 포함하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
3 3
제2항에서 있어서, 상기 버퍼층은 상기 산화아연층과 격자 상수의 차이가 20% 이하이며, 적어도 10-200 nm의 두께를 가지는 층인 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 버퍼층은 GaN, ZnO 및 이들의 조합막 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 Si, Al2O3, GaN, GaAs, ZnO, InP, SiC, 유리 및 고분자 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기물은 포토레지스트(photo resist) 물질, 전자빔(e-beam) 레지스트 물질 및 고분자 물질 중에서 선택되고, 상기 무기물은 세라믹 물질 및 반도체 물질 중에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 전자빔 레지스트 물질은 PMMA, 폴리(부텐-1-술폰 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물
8 8
제2항에 있어서, 상기 산화아연층은 Si, Ge, Ce, Cu, W, Ba, Al, In, Cs, Ni, Pt, Mg, Cd, Al, Fe, Ga, Se, Mn, Ti, Ni, N, P, As 및 C 중에서 선택된 1종 이상의 이종 물질을 추가로 포함하는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 패턴영역 형성단계는 리소그라피 공정과 화학적 또는 물리적 식각방법을 이용하여 수행되는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
10 10
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화아연층을 성장시키는 단계는 수열 합성법, 화학기상 증착법 및 물리기상 증착법 중에서 선택된 방법에 의해서 수행되는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 수열 합성법을 이용한 산화아연층 성장단계는탈이온수(deionized water)에 반응 전구체를 녹여 전구체 용액을 제조하는 단계, 및상기 용액 및 상기 기판을 반응기에 넣어 가열하는 단계를 포함하는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 반응 전구체는 2종 이상의 전구체의 혼합물임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
13 13
제 12항에 있어서, 상기 반응 전구체는 아연 아세테이트, 아연 나이트레이트 및 아연 중에서 선택된 하나 이상의 제1 반응 전구체 및 헥사메틸렌테트라아민 및 시트르산나트륨 중에서 선택된 제2 반응 전구체의 혼합물임을 특징으로 하는 선택성장한 산화아연계 미세 구조물의 제조 방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기　혼합물은 Si, Ge, Ce, Cu, W, Ba, Al, In, Cs, Ni, Pt, Mg, Cd, Al, Fe, Ga, Se, Mn, Ti, Ni, N, P, As 및 C 중에서 선택된 1종 이상의 이종 물질의 반응 전구체를 추가로　포함하는　것을　특징으로　하는　산화 아연계 미세 구조물의 제조 방법
15 15
제 11항에 있어서, 상기 가열단계는 상기 반응기의 온도를 30-400 ℃로 유지함으로써 수행되는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조 방법
16 16
제10항에 있어서, 상기 화학기상 증착법을 이용한 산화아연층 성장단계는반응 전구체를 반응기 내로 주입하는 단계, 및상기 반응기 내에서 상기 반응 전구체를 화학반응시키는 단계를 포함하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
17 17
제15항에 있어서, 상기 반응 전구체는 2종 이상의 반응 전구체의 혼합물이고, 상기 2종 이상의 반응 전구체는 개별적인 라인을 통해 상기 반응기 내로 주입되는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
18 18
제 16항에 있어서, 상기 반응 전구체는 디에틸아연(DEZn) 및 디메틸아연(DMZn) 중에서 선택된 제1 반응 전구체 및 제2 반응 전구체로 산소(O2)를 사용하는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
19 19
제 16항에 있어서, 상기 화학반응 단계는 상기 반응기의 온도를 200-800 ℃로 유지하면서 수행되는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
20 20
제10 항에 있어서, 상기 물리기상 증착법에 의한 산화아연층 성장단계는패턴영역이 포함된 기판을 반응기로 장입하는 단계, 및펄스 레이저, 전자빔, 화학빔(chemical beam) 중에서 선택된 물리기상 증착법에 의해서 상기 패턴영역에 반응 전구체를 증착하는 단계를 포함하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 증착단계는 상기 반응기의 온도를 200-800 ℃℃유지하면서 수행되는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물의 제조방법
22 22
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화아연층은 상기 성장시키는 단계의 성장조건에 따라서 형상, 직경, 길이가 달라지는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물 제조방법
23 23
기판,상기 기판 상에 존재하며, 패턴이 가해진 패턴영역을 포함하는 유기물 또는 무기물층, 및 상기 패턴영역 상에만 선택적으로 성장한 산화아연층을 포함하되,상기 산화아연층은 Si, Ge, Ce, Cu, W, Ba, Al, In, Cs, Ni, Pt, Mg, Cd, Al, Fe, Ga, Se, Mn, Ti, Ni, N, P, As 및 C 중에서 선택된 1종 이상의 이종 물질을 포함하는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물
24 24
기판,상기 기판 상에 존재하는 버퍼층,상기 버퍼층 상에 존재하며, 패턴이 가해진 패턴영역을 포함하는 유기물 또는 무기물층, 및 상기 패턴영역 상에만 선택적으로 성장한 산화아연층을 포함하는 산화아연계 미세 구조물
25 25
제24항에서 있어서, 상기 버퍼층은 상기 산화아연층과 격자 상수의 차이가 20% 이하이며, 적어도 10-200 nm의 두께를 가지는 층인 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물
26 26
제24항에 있어서, 상기 버퍼층은 GaN, ZnO 및 이들의 조합막 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물
27 27
제23항 또는 제24항에 있어서, 상기 기판은 Si, Al2O3, GaN, GaAs, ZnO, InP, SiC, 유리 및 고분자 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물
28 28
제27항에 있어서, 상기 유리는 파이렉스(Pyrex) 유리 또는 산화주석 유리(tin oxide glass)이고, 상기 고분자는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 또는 폴리프로필렌(PP)인 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물
29 29
제23항 또는 제24항에 있어서, 상기 유기물은 포토 레지스트(photo resist) 물질, 전자빔(e-beam) 레지스트 물질 및 고분자 물질 중에서 선택되고, 상기 무기물은 세라믹 물질 및 반도체 물질 중에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물
30 30
제29항에 있어서, 상기 전자빔 레지스트 물질은 PMMA, 폴리(부텐-1-술폰 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물
31 31
제24항에 있어서, 상기 산화아연층은 Si, Ge, Ce, Cu, W, Ba, Al, In, Cs, Ni, Pt, Mg, Cd, Al, Fe, Ga, Se, Mn, Ti, Ni, N, P, As 및 C 중에서 선택된 1종 이상의 이종 물질을 포함하는 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물
32 32
제23항 또는 제24항에 있어서, 상기 산화아연층은 직경 및 두께가 10 nm 내지 10 μm이고, 길이가 1-100 μm인 것임을 특징으로 하는 산화아연계 미세 구조물
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