맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

고유전율 박막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015168981
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물의 증착과 질화처리를 동시에 수행할 수 있으며, 제조비용도 현저하게 절감할 수 있는 고유전율 박막의 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 기판상에 박막을 형성하는 방법으로서, (a) 기판이 장착된 반응용기에 금속원자를 포함하는 전구체를 주입하여 상기 기판상에 상기 금속원자를 함유하는 흡착층을 형성하는 단계와; (b) 상기 반응용기에 암모니아수를 주입하여 상기 금속원자를 포함하는 흡착층과 반응시켜 박막을 형성하는 단계를 포함하는 박막의 형성방법을 제공한다.고유전율, 암모니아수
Int. CL H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/28202(2013.01) H01L 21/28202(2013.01) H01L 21/28202(2013.01)
출원번호/일자 1020060084900 (2006.09.04)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0754012-0000 (2007.08.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070903) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.04)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 경북 포항시 남구
2 임성준 대한민국 서울 강남구
3 맹완주 대한민국 울산 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0639475-82
2 등록결정서
Decision to grant		 2007.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0450840-04
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 박막을 형성하는 방법으로서,(a) 기판이 장착된 반응용기에 금속원자를 포함하는 전구체를 주입하여 상기 기판상에 상기 금속원자를 함유하는 흡착층을 형성하는 단계와;(b) 상기 반응용기에 암모니아수(NH4OH)를 주입하여 상기 금속원자를 포함하는 흡착층과 반응시켜 박막을 형성하는 단계를 포함하는 박막의 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 금속은 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈룸(Ta), 티타늄(Ti), 스트론튬(Sr), 란타늄(La), 바륨(Ba), 납(Pb), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 이트륨(Y) 및 망간(Mn)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 박막의 형성방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 또는 전극인 것을 특징으로 하는 박막의 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서, 박막을 형성한 후, 추가로 증착후 어닐링 또는 형성가스 어닐링을 실시하는 것을 특징으로 하는 박막의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.