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레이저를 이용한 플렉서블 소자의 제조방법 및 플렉서블소자

  • 기술번호 : KST2015168983
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플렉서블 소자 특히 유기 발광 다이오드에 관한 것으로, 유리 기판상에 패터닝된 박리층을 형성하는 단계와; 상기 박리층 상에 불순물 방지층을 형성하는 단계와; 상기 불순물 방지층 상에 전사층을 형성하는 단계와; 상기 전사층 상에 플라스틱을 접합시키는 단계와; 상기 유리 기판상에 레이저를 조사하여 상기 박리층을 분리시킴으로써 상기 유리 기판을 전사층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명은 유리를 기판으로 사용한 유기 발광 다이오드의 모든 공정을 사용하여 플렉서블 소자를 제작할 수 있다는 장점을 지니고 있다. 따라서 고온 공정이 가능하고, 소자 제작시 열 및 화학약품에 의한 기판 변형이 없으며 기판 정렬도 쉽게 가능하다.플렉서블 소자, 레이저, 유기발광소자
Int. CL H05B 33/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060074084 (2006.08.07)
출원인 학교법인 포항공과대학교, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0013068 (2008.02.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020090000402;
심사청구여부/일자 Y (2006.08.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김수영 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0563128-49
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0261689-16
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0515807-18
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0590547-23
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0590565-45
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0620017-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.01.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0001304-17
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0059355-89
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0225824-49
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0310069-56
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0310082-40
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0410483-15
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0696043-11
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0766476-42
16 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0840279-79
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0003199-05
18 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2009.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0003225-05
19 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.01.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0003255-64
20 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2009.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0094084-11
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플렉서블 소자를 제조하는 방법으로,유리 기판상에 패터닝된 박리층을 형성하는 단계와;상기 박리층 상에 불순물 방지층을 형성하는 단계와;상기 불순물 방지층 상에 전사층을 형성하는 단계와;상기 전사층 상에 플라스틱을 접합시키는 단계와;상기 유리 기판상에 레이저를 조사하여 상기 박리층을 분리시킴으로써 상기 유리 기판을 상기 전사층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 플렉서블 소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 박리층은 상기 레이저의 파장에 해당하는 에너지보다 작은 밴드갭을 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 박리층은 Ag, Cu, Au, Al, W, Rh, Ir, Mo, Ru, Zn, Co, Cd, Ni, GaN, ZnO, ITO, GaOx 로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 페터닝은 셀 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 셀 구조는 10㎛×10㎛ ~ 1㎝×1㎝의 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
6 6
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 패터닝된 박리층의 각 패턴 간의 간격이 30㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
7 7
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 불순물 방지층은 산화 실리콘, 질화 실리콘, 또는 산화 실리콘과 질화 실리콘의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
8 8
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 불순물 방지층의 상부, 하부 또는 내부에 열 방지층이 형성되는 단계를 추가로 포함하는 플렉서블 소자의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 열 방지층은 Ag, Cu, Au, Al, W, Rh, Ir, Mo, Ru, Zn, Co, Cd, Ni로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
10 10
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전사층은 유기 발광 다이오드 또는 유기 전계 트랜지스터 소자인 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
11 11
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저의 파장은 200nm ~ 400nm 인 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자의 제조방법
12 12
플렉서블 소자로서,플라스틱층과;상기 플라스틱층의 상부에 형성되는 불순물 방지층과;상기 불순물 방지층의 상부에 형성되는 전사층과;상기 전사층의 상부에 형성되는 플라스틱층을 포함하는 플렉서블 소자
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 전사층은 유기 발광 다이오드 또는 유기 전계 트랜지스터 소자인 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR100913124 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2008018737 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2008018737 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.