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국부 전기 화학 도금법을 이용한 전도성 고분자의 제조방법및 이에 의해 제조된 전도성 고분자 마이크로 와이어

  • 기술번호 : KST2015168990
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 국부 전기 화학 도금법을 이용한 전도성 고분자의 제조방법으로서, (a) 미세 전극의 하단부를 전도성 기판의 표면 부근에 근접하게 이격되도록 소정의 거리를 두어 위치시키는 단계; (b) 상기 미세 전극과 상기 전도성 기판의 표면이 전기 화학적으로 접촉하도록 모노머 수용액을 도입하는 단계; (c) 상기 모노머 및 상기 모노머가 결합된 다이머의 산화를 유발하여 상기 전도성 기판상에 올리고머를 석출하도록, 상기 모노머 수용액을 가로질러 상기 미세 전극과 상기 전도성 기판 사이에 전기적 포텐셜을 인가하는 단계; 및 (d) 상기 석출된 올리고머가 치밀하면서도 고 종횡비를 갖는 전도성 고분자로 성장하도록, 상기 전도성 고분자의 성장 속도와 같은 속도로 일정하게 유지하면서 상기 전도성 고분자의 성장 방향으로 상기 미세 전극을 이동시키는 단계를 포함한다.국부 전기 화학 도금법, 종횡비, 전도성 고분자, 전도성 고분자 마이크로 와이어
Int. CL C08J 7/04 (2006.01) C08J 5/00 (2006.01) C08G 61/12 (2006.01)
CPC C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01)
출원번호/일자 1020060080437 (2006.08.24)
출원인 학교법인 포항공과대학교, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0727394-0000 (2007.06.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.24)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 설승권 대한민국 경북 포항시 남구
2 김지태 대한민국 경북 포항시 남구
3 제정호 대한민국 경북 포항시 남구
4 후유광 대만 대만, 타이뻬이, 난강,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인세신 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동, 월드메르디앙벤처센터II)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0605545-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2007-0018126-18
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0236431-79
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
국부 전기 화학 도금법을 이용한 전도성 고분자의 제조방법으로서,(a) 미세 전극의 하단부를 전도성 기판의 표면 부근에 근접하게 이격되도록 소정의 거리를 두어 위치시키는 단계;(b) 상기 미세 전극과 상기 전도성 기판의 표면이 전기 화학적으로 접촉하도록 모노머 수용액을 도입하는 단계;(c) 상기 모노머 및 상기 모노머가 결합된 다이머의 산화를 유발하여 상기 전도성 기판상에 올리고머를 석출하도록, 상기 모노머 수용액을 가로질러 상기 미세 전극과 상기 전도성 기판 사이에 전기적 포텐셜을 인가하는 단계; 및(d) 상기 석출된 올리고머가 치밀하면서도 고 종횡비를 갖는 전도성 고분자로 성장하도록, 상기 전도성 고분자의 성장 속도와 같은 속도로 일정하게 유지하면서 상기 전도성 고분자의 성장 방향으로 상기 미세 전극을 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 단계 (a)의 상기 소정의 거리는 1μm 내지 100μm 범위에서 결정되는 것을 특징으로 하는 국부 전기 화학 도금법을 이용한 고 종횡비를 갖는 전도성 고분자의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 단계 (b)에서의 두 전극 사이의 전기적 포텐셜은 0
4 4
제 1항에 있어서, 상기 단계 (d)에서 상기 미세 전극의 상기 이동 속도는 1μm/sec 내지 15μm/sec 인 것을 특징으로 하는 국부 전기 화학 도금법을 이용한 고 종횡비를 갖는 전도성 고분자의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 미세 전극의 이동은 스테핑 모터에 의해 마이크론 단위로 조절되는 것을 특징으로 하는 고 종횡비의 전도성 고분자의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 모노머 수용액은 피롤 모노머 및 H2SO4의 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 고 종횡비의 전도성 고분자의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 모노머 수용액은 피롤 모노머 50g/L 및 H2SO4 30g/L를 포함하는 것을 특징으로 하는 고 종횡비의 전도성 고분자의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 단계 (a)의 상기 소정의 거리는 20μm로 설정하는 것을 특징으로 하는 국부 전기 화학 도금법을 이용한 고 종횡비를 갖는 전도성 고분자의 제조방법
9 9
제 2항에 있어서, 상기 단계 (b)에서의 두 전극 사이의 전기적 포텐셜은 4
10 10
제 2항에 있어서, 상기 단계(d)에서 상기 미세 전극의 상기 이동 속도는 6
11 11
제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조되는 전도성 고분자 마이크로 와이어
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.