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기판 상부에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상부에 탄소 나노튜브를 형성하는 단계; 및상기 탄소 나노튜브가 형성된 절연층의 탄소용융 환원 (carbothermal reduction) 반응으로 절연층에 나노트렌치를 형성하는 단계;를 포함하는 탄소 나노튜브를 이용한 절연층의 식각 방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판이 실리콘 웨이퍼, 사파이어, 유리, 석영, 금속, 알루미나, 및 플라스틱으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 절연층이 규소를 포함하는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 절연층이 산화규소, 이산화규소, 질산화규소, 및 질화규소로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 탄소 나노튜브가 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 레이저 어블레이션법(laser ablation), 전기방전법(arc-discharge), 플라즈마강화화학기상증착법 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD), 기상합성법 (vapor phase growth), 초음파 합성법 (sonication method), 전기분해법(electrolysis) 및 플레임 합성법(flame synthesis)으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브는 단일벽 탄소 나노튜브(SWNT: single-walled carbon nanotube), 이중벽 탄소 나노튜브 (DWNT: double-walled carbon nanotube), 다중벽 탄소 나노튜브(MWNT: multi-walled carbon nanotube), 다발형 탄소 나노튜브(rope carbon nanotube) 및 촉매를 탄소입자로 감싸고 있는 구조체로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 탄소 나노튜브가 0
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제 1항에 있어서,상기 탄소용융 환원 반응이 산소 및 비활성기체를 주입하면서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
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제 8항에 있어서,상기 산소의 함량이 총 기체 부피의 0
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제 1항에 있어서,상기 탄소용융 환원 반응이 700 내지 1200 ℃ 의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 절연층의 나노트렌치가 0
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제 1항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브의 형성 단계와 상기 탄소용융 환원 반응이 동시에 일어나는 것을 특징으로 하는 방법
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제 12항에 있어서,상기 탄소 나노튜브의 형성 단계 및 상기 탄소용융 환원 반응이 산소, 수소 및 탄화수소를 동시에 주입하면서 일어나는 것을 특징으로 하는 방법
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제 13항에 있어서,상기 산소의 함량이 총 기체 부피의 0
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제 13항에 있어서, 상기 탄화수소가 메탄, 에탄, 아세틸렌, 에틸렌, 부탄 및 프로판으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항에 있어서, 상기 절연층이 형성된 기판 상부가 금속 혹은 전이금속 촉매로 증착되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 16항에 있어서, 상기 금속 혹은 전이금속 촉매가 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 이트륨(Y), 몰리브데늄(Mo), 알루미늄(Al), 로듐 (Rh), 팔라듐 (Pd), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항 내지 제 17항 중 어느 한 항의 방법을 이용하여 제조된 나노 구조물
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제 18항에 있어서, 상기 나노 구조물이 금속/반도체 나노 와이어, 반도체용 기판의 식각 구조물, 또는 금속/반도체 나노 입자의 배열인 것을 특징으로 하는 나노 구조물
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