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발광 구조의 반도체층 상에 형성되는 오믹 전극에 있어서,일부 입자가 상기 반도체층으로 내부 확산 되면서 금속화 반응을 일으켜 형성된 계면을 갖는 Ag 합금으로 이루어진 반사층과,상기 반사층 상에 형성되어 상기 반사층의 외부 확산을 억제하는 보호층을 포함하는 오믹 전극
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청구항 1에 있어서,상기 Ag 합금은 Ag와, Cu, Al, Ir, In, Ni, Mg, Pt 및 Pd 중 적어도 하나를 포함하는 합금 성분으로 형성되는 오믹 전극
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청구항 2에 있어서,상기 Ag 합금은 합금 성분이 0
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청구항 1에 있어서,상기 보호층은 Ru, Ir, Rh, Pt, W, Ta, Ti 및 Co 중 적어도 하나의 물질로 형성되는 오믹 전극
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청구항 1에 있어서,상기 반사층의 두께는 50 내지 5000Å, 상기 보호층의 두께는 50 내지 1000Å로 형성되는 오믹 전극
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청구항 5에 있어서,상기 반사층 및 상기 보호층의 전체 두께는 100 내지 5000Å로 형성되는 오믹 전극
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발광 구조의 반도체층 상에 형성되는 오믹 전극의 형성 방법에 있어서,상기 반도체층 상에 Ag 합금으로 이루어진 반사층을 형성하는 단계;상기 반사층 상에 Ag 입자의 외부 확산을 억제하기 위한 보호층을 형성하는 단계;상기 보호층에 의해 Ag 입자의 외부 확산이 억제됨과 동시에 내부 확산된 Ag 입자의 일부가 상기 반도체층과 상기 반사층의 계면에서 금속 반응을 일으키도록 상기 반사층 및 상기 보호층을 열처리하는 단계; 를 포함하는 오믹 전극의 형성 방법
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청구항 7에 있어서,상기 Ag 합금은 Ag와, Cu, Al, Ir, In, Ni, Mg, Pt 및 Pd 중 적어도 하나를 포함하는 합금 성분으로 형성되는 오믹 전극의 형성 방법
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청구항 8에 있어서,상기 Ag 합금은 합금 성분이 0
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청구항 7에 있어서,상기 보호층은 Ru, Ir, Rh, Pt, W, Ta, Ti 및 Co 중 적어도 하나의 금속으로 형성하는 오믹 전극의 형성 방법
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청구항 7에 있어서,상기 열처리 공정은 150 내지 600도의 온도에서 실시하는 오믹 전극의 형성 방법
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청구항 11에 있어서,상기 열처리 공정은 산소를 포함하는 분위기에서 실시하는 오믹 전극의 형성 방법
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청구항 12에 있어서,상기 산소를 포함하는 분위기는 산소 분위기, 대기 분위기, 산소와 질소의 혼합 분위기 및 산소와 아르곤의 혼합 분위기 중 적어도 하나를 포함하는 오믹 전극의 형성 방법
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