맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

필름 및 이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015169050
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 필름을 제공하기 위한 것으로, 비정질 및 다결정 중 어느 하나로 이루어진 기판; 상기 기판 위에 증착된 중간층; 상기 중간층에 형성된 적어도 하나의 산화물 나노막대; 및 상기 산화물 나노막대에 형성된 산화물 막을 포함하는 필름을 제공한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020070056681 (2007.06.11)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0108734 (2008.12.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.11)
심사청구항수 40

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김용진 대한민국 경북 포항시 남구
2 이규철 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강경찬 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *동***호(양재동,양재역환승주차장)(특허법인 태웅)
2 김동진 대한민국 경기도 성남시 분당구 성남대로***번길**, ***호(야탑동, 글라스타워)(특허법인유아이피(성남분사무소))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0421210-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0019985-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0483815-69
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0652019-52
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비정질 및 다결정 중 어느 하나로 이루어진 기판; 상기 기판 위에 증착된 중간층;상기 중간층에 형성된 적어도 하나의 산화물 나노막대; 및 상기 산화물 나노막대에 형성된 산화물 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 필름
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 비정질 기판은 파이렉스(Pyrex) 유리, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 및 폴리프로필렌(PP) 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 필름
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 다결정 기판은 CaO, SrO, BaO WO3, UO2, NiO, Cu2O, CuO, HgO, PbO2, Bi2O5, Al2O3, Ta2O5, HfO2, FeO, CoO, Cr2O3, MnO, P2O5, Co3O4, Fe3O4, BeO, B2O3, MgO, Nb2O5, MoO3, CdO, SnO2, ZnO, GeO2, Sb2O5, As2O5, Fe2O3, ZrO2, Sc2O3, TiO2, BeO, V2O5, Sn2O3, Eu2O3, Gd2O3, Er2O3, Lu2O3, Yb2O3, RuO2, Y2O3, La2O3, Ga2O3, MgO, SnO3, Sb3O3 와 같은 다결정 산화물 또는 이들의 조합으로 이루어진 다결정 산화물인 것인 것을 특징으로 하는 필름
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 중간층은 상기 산화물 나노막대와 결정 구조가 유사한 것을 특징으로 하는 필름
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 중간층은 상기 산화물 나노막대와 결정 상수 차이가 20% 이내인 것을 특징으로 하는 필름
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 나노막대는 상기 중간층에 대하여 수직 방향으로 랜덤(random)하게 또는 규칙적으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 필름
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 나노막대는CaO, SrO, BaO WO3, UO2, NiO, Cu2O, CuO, HgO, PbO2, Bi2O5, Al2O3, Ta2O5, HfO2, FeO, CoO, Cr2O3, MnO, P2O5, Co3O4, Fe3O4, BeO, B2O3, MgO, Nb2O5, MoO3, CdO, SnO2, ZnO, GeO2, Sb2O5, As2O5, Fe2O3, ZrO2, Sc2O3, TiO2, BeO, V2O5, Sn2O3, Eu2O3, Gd2O3, Er2O3, Lu2O3, Yb2O3, RuO2, Y2O3, La2O3, Ga2O3, MgO, SnO3, Sb3O3 와 같은 산화물 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 필름
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 산화물 나노막대는 Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H 중 적어도 하나를 포함하는 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 필름
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 나노막대는 직경이 1 nm 내지 1000 nm이고, 길이가 10 ㎛ 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 필름
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 막은CaO, SrO, BaO WO3, UO2, NiO, Cu2O, CuO, HgO, PbO2, Bi2O5, Al2O3, Ta2O5, HfO2, FeO, CoO, Cr2O3, MnO, P2O5, Co3O4, Fe3O4, BeO, B2O3, MgO, Nb2O5, MoO3, CdO, SnO2, ZnO, GeO2, Sb2O5, As2O5, Fe2O3, ZrO2, Sc2O3, TiO2, BeO, V2O5, Sn2O3, Eu2O3, Gd2O3, Er2O3, Lu2O3, Yb2O3, RuO2, Y2O3, La2O3, Ga2O3, MgO, SnO3, Sb3O3 와 같은 산화물 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 필름
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 산화물 막은 Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H 중 적어도 하나를 포함하는 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 필름
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 막은두께가 1 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 필름
13 13
비정질 또는 다결정 기판 위에 중간층을 증착하는 단계; 상기 중간층 상에 소정의 반응전구체들을 반응시켜 수직 방향으로 성장된 적어도 하나의 산화물 나노막대를 형성하는 단계;상기 산화물 나노막대를 씨드(Seed)로 이용하여 상기 산화물 나노막대가 형성된 기판 상에 산화물 막을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 비정질 기판은 파이렉스(Pyrex) 유리, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 및 폴리프로필렌(PP) 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
15 15
제 13 항에 있어서, 상기 다결정 기판은 CaO, SrO, BaO WO3, UO2, NiO, Cu2O, CuO, HgO, PbO2, Bi2O5, Al2O3, Ta2O5, HfO2, FeO, CoO, Cr2O3, MnO, P2O5, Co3O4, Fe3O4, BeO, B2O3, MgO, Nb2O5, MoO3, CdO, SnO2, ZnO, GeO2, Sb2O5, As2O5, Fe2O3, ZrO2, Sc2O3, TiO2, BeO, V2O5, Sn2O3, Eu2O3, Gd2O3, Er2O3, Lu2O3, Yb2O3, RuO2, Y2O3, La2O3, Ga2O3, MgO, SnO3, Sb3O3 와 같은 다결정 산화물 또는 이들의 조합으로 이루어진 다결정 산화물인 것인 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
16 16
제 13 항에 있어서, 상기 중간층은 상기 산화물 나노막대와 결정 구조가 유사한 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
17 17
제 13 항에 있어서, 상기 중간층은 상기 산화물 나노막대와 결정 상수 차이가 20% 이내인 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
18 18
제 13 항에 있어서, 상기 산화물 나노막대는 상기 중간층에 대하여 수직 방향으로 랜덤(random)하게 또는 규칙적으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
19 19
제 13 항에 있어서, 상기 산화물 나노막대는CaO, SrO, BaO WO3, UO2, NiO, Cu2O, CuO, HgO, PbO2, Bi2O5, Al2O3, Ta2O5, HfO2, FeO, CoO, Cr2O3, MnO, P2O5, Co3O4, Fe3O4, BeO, B2O3, MgO, Nb2O5, MoO3, CdO, SnO2, ZnO, GeO2, Sb2O5, As2O5, Fe2O3, ZrO2, Sc2O3, TiO2, BeO, V2O5, Sn2O3, Eu2O3, Gd2O3, Er2O3, Lu2O3, Yb2O3, RuO2, Y2O3, La2O3, Ga2O3, MgO, SnO3, Sb3O3 와 같은 산화물 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
20 20
제 19 항에 있어서, 상기 산화물 나노막대는 Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H 중 적어도 하나를 포함하는 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
21 21
제 13 항에 있어서, 상기 산화물 나노막대는 직경이 1 nm 내지 1000 nm이고, 길이가 10 ㎛ 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
22 22
제 13 항에 있어서, 상기 산화물 막은CaO, SrO, BaO WO3, UO2, NiO, Cu2O, CuO, HgO, PbO2, Bi2O5, Al2O3, Ta2O5, HfO2, FeO, CoO, Cr2O3, MnO, P2O5, Co3O4, Fe3O4, BeO, B2O3, MgO, Nb2O5, MoO3, CdO, SnO2, ZnO, GeO2, Sb2O5, As2O5, Fe2O3, ZrO2, Sc2O3, TiO2, BeO, V2O5, Sn2O3, Eu2O3, Gd2O3, Er2O3, Lu2O3, Yb2O3, RuO2, Y2O3, La2O3, Ga2O3, MgO, SnO3, Sb3O3 와 같은 산화물 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
23 23
제 22 항에 있어서, 상기 산화물 막은 Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H 중 적어도 하나를 포함하는 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
24 24
제 13 항에 있어서, 상기 산화물 막은두께가 1 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
25 25
제 13 항에 있어서, 상기 중간층 증착 단계는수열합성법(hydrothermal synthesis), 화학기상증착법(chemical vapor deposition), 스퍼터링 법(sputtering), 열 또는 전자빔 증발법(thermal or electron beam evaporation), 펄스레이저 증착법(pulse laser deposition) 또는 기상 이송법(vapor-phase transport process) 중 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
26 26
제 13 항에 있어서, 상기 산화물 나노막대 형성 단계는수열합성법, 화학기상증착법, 스퍼터링 법, 열 또는 전자빔 증발법, 펄스레이저 증착법 또는 기상 이송법 중의 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
27 27
제 13 항에 있어서, 상기 산화물 막 성장 단계는수열합성법, 화학기상증착법, 스퍼터링 법, 열 또는 전자빔 증발법, 펄스레이저 증착법 또는 기상 이송법 중 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
28 28
제 25 항에 있어서, 상기 중간층 증착 단계를 유기금속 화학기상증착법을 이용하여 수행할 경우, 상기 중간층 증착 단계는상기 기판을 반응기 내로 장입하는 단계;제1 반응전구체와 제2 반응전구체를 운반기체를 이용하여 상기 반응기 내로 각각 주입하는 단계;소정 범위의 온도와 소정 범위의 압력에서 상기 제1 반응 전구체와 상기 제2 반응 전구체를 화학 반응시켜 상기 기판 상에 중간층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
29 29
제 28 항에 있어서, 상기 제1 반응전구체는 디메틸아연(Zn(CH3)2)이고, 상기 제2 반응전구체는 산소(O2)인 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
30 30
제 28 항에 있어서, 상기 소정 범위의 온도는 400℃ 내지 900℃이고, 상기 소정 범위의 압력은 10-5 ~ 760 mmHg인 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
31 31
제 26 항에 있어서, 상기 산화물 나노막대 형성 단계를 상기 수열합성법을 이용하여 수행할 경우, 상기 나노막대 형성 단계는탈이온수(deionized water)에 반응 전구체를 녹여 전구체 용액을 제조하는 단계; 및상기 전구체 용액 및 상기 기판을 반응기에 넣어 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
32 32
제 31 항에 있어서, 상기 반응 전구체는 2종 이상의 전구체의 혼합물임을 특징으로 하는 필름의 제조방법
33 33
제 32 항에 있어서, 상기 반응 전구체는 아연 아세테이트, 아연 나이트레이트 및 아연 중에서 선택된 하나 이상의 제1 반응 전구체 및 헥사메틸렌테트라아민 및 암모니아수 중에서 선택된 제2 반응 전구체의 혼합물임을 특징으로 하는 필름의 제조방법
34 34
제 33 항에 있어서, 상기　혼합물은 Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H 중 적어도 하나를 포함하는 물질의 반응 전구체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
35 35
제 31 항에 있어서, 상기 가열단계는 상기 반응기의 온도를 30℃ 내지 400 ℃로 유지하여 수행하는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
36 36
제 27 항에 있어서, 상기 산화물 막 성장 단계를 상기 수열합성법을 이용하여 수행할 경우, 상기 산화물 막 성장 단계는탈이온수(deionized water)에 반응 전구체를 녹여 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 전구체 용액 및 상기 기판을 반응기에 넣어 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
37 37
제 26 항에 있어서, 상기 반응 전구체는 3종 이상의 전구체의 혼합물임을 특징으로 하는 필름의 제조방법
38 38
제 37 항에 있어서, 상기 반응 전구체는아연 아세테이트, 아연 나이트레이트 및 아연 중에서 선택된 하나 이상의 제1 반응 전구체 및 헥사메틸렌테트라아민 및 암모니아수 중에서 선택된 제2 반응 전구체 및 시트르산나트륨을제 3 반응 전구체의 혼합물임을 특징으로 하는 필름의 제조방법
39 39
제 38 항에 있어서, 상기　혼합물은Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H 중 적어도 하나를 포함하는 물질의 반응 전구체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
40 40
제 36 항에 있어서, 상기 가열단계는 상기 반응기의 온도를 30℃ 내지 400 ℃로 유지하여 수행하는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.