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질화물계 반도체 발광 소자의 오믹 전극 형성 방법에 있어서기판 상에 질화물계 반도체층을 형성하는 단계와;상기 반도체층 상에 접합층, 반사층 및 보호층을 순차로 적층하는 단계와;열처리 공정을 실시하여 상기 접합층과 반사층 사이에 오믹 접합을 형성하고 상기 보호층에 산화막을 형성하여 오믹 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극 형성 방법
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청구항 1 있어서,상기 접합층은 Ni, Pt, Pd, Ir, Ru, Mo, Rh, Os, Re, W, Ta, Tl, Hf, Cr, Co, Nb, Pb 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극 형성 방법
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청구항 1에 있어서,상기 접합층은 Cu, In, Mg, Zn, Sb, Sn, Li, Be, B, Al, Ca, Sr, Ba 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극 형성 방법
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청구항 1에 있어서,상기 반사층은 Ag, Al 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극 형성 방법
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청구항 1에 있어서,상기 보호층은 Mg 또는 Mg와 Al, Ag, Zr, Zn, Y, U, Tl, Ti, Sn, Si, Sc, Sb, Pu, Pb, Pr, Ni, Na, Mn 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 형성된 합금을 사용하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극 형성 방법
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청구항 1에 있어서,상기 열처리 공정은 200 내지 500도의 온도에서 30분 이내로 실시하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극 형성 방법
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청구항 6에 있어서,상기 열처리 공정은 산소를 포함하는 분위기에서 실시하는 것을 특징으로 하는 오믹 전극 형성 방법
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청구항 7에 있어서,상기 산소를 포함하는 분위기는 산소 분위기, 산소와 질소의 혼합 분위기 및 산소와 아르곤의 혼합 분위기 중 어느 하나의 분위기인 것을 특징으로 하는 오믹 전극 형성 방법
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청구항 7에 있어서,상기 산소를 포함하는 분위기의 압력은 대기압 이하인 것을 특징으로 하는 오믹 전극 형성 방법
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질화물계 반도체 발광 소자에 있어서,질화물계 반도체층과,상기 반도체층 상에 순차로 적층된 접합층, 반사층 및 보호층을 포함하는 오믹 전극을 포함하며,상기 접합층과 상기 반사층은 오믹 접합을 형성하며 상기 보호층은 산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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청구항 10에 있어서,상기 반도체층은 순차로 적층된 n형층, 활성층, p형층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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청구항 10에 있어서,상기 접합층은 Ni, Pt, Pd, Ir, Ru, Mo, Rh, Os, Re, W, Ta, Tl, Hf, Cr, Co, Nb, Pb 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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청구항 10에 있어서,상기 접합층은 Cu, In, Mg, Zn, Sb, Sn, Li, Be, B, Al, Ca, Sr, Ba 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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청구항 10에 있어서,상기 반사층은 Ag, Al 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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청구항 10에 있어서,상기 보호층은 Mg 또는 Mg와 Al, Ag, Zr, Zn, Y, U, Tl, Ti, Sn, Si, Sc, Sb, Pu, Pb, Pr, Ni, Na, Mn 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 형성된 합금을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
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