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미세 압전 외팔보 센서 및 이를 위한 발진회로

  • 기술번호 : KST2015169060
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 미세 압전 외팔보 센서 및 이를 위한 발진회로에 관한 것이다.본 발명이 개시하는 미세 압전 외팔보 센서는, 상부 실리콘에 외팔보를 형성한 SOI 구조의 베이스 기판과, 제1 산화막을 개재하여 외팔보 상부에 구비되는 압전체, 그리고 압전체의 상·하부 전극 각각으로부터 연장되는 금속 패턴 간의 절연을 위한 제2 산화막을 포함한다. 본 발명의 특징적인 양상에 따라, 베이스 기판의 상부 실리콘 상부에 소정 크기의 제1 옴 접촉이 형성되고, 베이스 기판의 하부 실리콘 상부에 소정 크기의 제2 옴 접촉이 형성되어, 이들이 전기적으로 연결된다.본 발명에 의하면, 누설전류 및 부유전류를 차단할 수 있으므로 전기적인 특성과 아울러 정밀도를 향상시킬 수 있다. 외팔보 센서, 압전체, 옴 접촉, 누설전류, 부유전류, 발진회로, 자가발진
Int. CL G01N 27/00 (2006.01) G01N 27/22 (2006.01)
CPC G01N 29/036(2013.01) G01N 29/036(2013.01) G01N 29/036(2013.01) G01N 29/036(2013.01) G01N 29/036(2013.01)
출원번호/일자 1020070010026 (2007.01.31)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0849466-0000 (2008.07.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080730) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.31)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문원규 대한민국 경북 포항시 남구
2 이열호 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0095654-88
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0242625-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0061414-50
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0018733-39
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0034861-04
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0034860-58
9 등록결정서
Decision to grant
2008.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0381205-69
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0651067-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부 실리콘에 외팔보를 형성한 SOI 구조의 베이스 기판;제1 산화막을 개재하여 상기 외팔보 상부에 구비되는 압전체; 및상기 압전체의 상·하부 전극 각각으로부터 연장되는 금속 패턴 간의 절연을 위한 제2 산화막; 을 포함하며,상기 베이스 기판의 상부 실리콘 상부에 소정 크기의 제1 옴 접촉이 형성되고, 베이스 기판의 하부 실리콘 상부에 소정 크기의 제2 옴 접촉이 형성되어, 상기 제1 옴 접촉, 제2 옴 접촉 및 하부 전극이 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 미세 압전 외팔보 센서
2 2
청구항 1에 있어서,상기 상부 전극의 금속 패턴과 하부 전극의 금속 패턴 사이의 상부 실리콘이 제거된 것을 특징으로 하는 미세 압전 외팔보 센서
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제1 옴 접촉, 제2 옴 접촉 및 하부 전극은 와이어 본딩되는 것을 특징으로 하는 미세 압전 외팔보 센서
4 4
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 미세 압전 외팔보 센서를 위한 발진회로에 있어서,압전체의 상부 전극으로부터 출력되는 전류신호를 전압신호로 변환하는 전압변환부;상기 전압신호의 위상을 조정하기 위한 위상조정 수단을 포함하는 1차 전압증폭부;상기 1차 전압증폭부로부터 출력되는 신호의 잡음을 제거하는 잡음제거부; 및 상기 잡음제거부로부터 출력되는 신호를 증폭하여 상기 압전체의 하부 전극으로 되먹임하는 2차 전압증폭부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 발진회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.