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탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169064
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 유기분자를 사용하지 않고서도 간단하게 자외선 조사에 의해 탄소나노튜브 측벽에 무기산화물 나노입자를 자기조립시키는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 유기 분자를 사용하지 않고도 자외선 조사만으로 무기산화물 나노입자를 탄소나노튜브에 높은 선택성을 가지고 자기조립의 방법으로 결합시킬 수 있으므로 공정이 매우 단순하며 경제적이다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020070069806 (2007.07.11)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0899806-0000 (2009.05.21)
공개번호/일자 10-2009-0006449 (2009.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20090528) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.11)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최희철 대한민국 경북 포항시 남구
2 김승빈 대한민국 경북 포항시 남구
3 신현석 대한민국 대구 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0506353-70
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document		 2007.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-5066721-19
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2008-0026482-13
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0558808-86
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0003590-44
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0003589-08
9 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2009.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0001358-15
10 등록결정서
Decision to grant		 2009.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0156622-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재 표면에 금속염으로 코팅된 무기산화물 나노입자를 부착하는 단계; 상기 기재 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계; 상기 탄소나노튜브가 성장된 기재를 물 또는 수용액에 침지하여 무기산화물 나노입자를 대전시키는 단계; 및 상기 침지된 기재에 자외선을 조사하여 무기산화물 나노입자와 동일 극성으로 대전되는 기재로부터 무기산화물 나노입자를 탈착시켜 무기산화물 나노입자와 반대 극성으로 대전되는 탄소나노튜브에 정전기적으로 결합시키는 단계를 포함하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
2 2
기재 표면에 금속산화물 촉매입자를 침적시키는 단계; 상기 기재 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계; 상기 기재를 무기산화물 나노입자가 분산된 물 또는 수용액에 침지하는 단계; 및 상기 침지된 기재에 자외선을 조사하여, 무기산화물 나노입자와 반대 극성으로 대전되는 탄소나노튜브에 정전기적으로 결합시키는 단계를 포함하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속염의 금속은 Fe, Co, 및 Ni로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기재는 p형 또는 n형 도핑된, Si, Ge, Sn, Se, Te, GaAs, GaN, GaP, GaSb, AlSb, InP, SiC, SiGe, ZnS, CdTe, InGaN, GaAs1-yPy, AlxGa1-xAs, HgxCd1-xTe, Inx1Alx2Ga1-x1-x2P, In1-xGaxAsyP1-y, AlxGa1-xAsySb1-y(각 x, x1, x2, 및 y는 각각 독립적으로 0보다 크고 1보다 작은 값을 가진다)로 이루어진 군으로부터 선택되는 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 기판은 절연층으로 코팅된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 절연층은 산화규소, 질산화규소, 및 질화규소로 이루어진 군에서 선택되는 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 기재 표면에 금속염으로 코팅된 무기산화물 나노입자를 부착하는 단계는 금속염의 수용액과 무기산화물 나노입자 분산액을 혼합 및 교반하여 금속염으로 코팅된 무기산화물 나노입자 분산액을 형성하는 단계; 상기 기재를 상기 분산액에 딥코팅(dip coating)하여 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
8 8
제2항에 있어서, 상기 기재 표면에 금속산화물 촉매입자를 침적시키는 단계는 상기 기재를 금속염 또는 금속염 및 하이드록실 아민의 수용액에 침지 및 교반한 다음 600 내지 1000℃의 온도에서 1 내지 10 분 동안 소성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 무기산화물은 반도체 또는 절연체인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
10 10
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 무기산화물은 TiO2 또는 SiO2인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
11 11
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 전기방전법(arc-discharge), 레이저 증착법(laser evaporation), 플라즈마화학기상증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition), 열화학기상증착법(thermal chemical vapor deposition), 기상합성법(vapor phase growth), 전기분해법(electrolysis), 및 플레임 합성법으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의해 성장시키는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
12 12
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
13 13
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수용액의 pH가 무기산화물의 등전점보다 크고 상기 기재가 p형 Si인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
14 14
제1항에 또는 제2항에 있어서, 상기 수용액의 pH가 무기산화물의 등전점보다 작고 상기 기재가 n형 Si인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
15 15
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 자외선을 1 시간 내지 10 시간 동안 조사하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
16 16
제2항에 있어서, 상기 무기산화물 나노입자 분산액의 농도가 0
17 17
제2항에 있어서, 상기 금속산화물 촉매입자의 금속은 Fe, Co, 및 Ni로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-무기산화물 나노입자 복합체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.