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양극 산화 알루미늄과 원자층 증착 공정을 이용한 루테늄 나노 구조물의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169084
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 균일하며 높은 정렬도를 갖고 다양한 형상으로 구현될 수 있는 나노 구조물의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 (a) 산 용액에 기판을 투입하고 상기 기판상에 알루미늄을 양극산화시킴으로써, 상기 기판의 표면으로부터 수직하게 나노 크기의 구멍이 형성된 산화 알루미늄 나노 템플릿을 형성하는 단계와; (b) 원자층 증착법을 이용하여, 상기 나노 구조물을 이루는 물질로 상기 나노 템플릿에 형성된 구멍을 채우는 단계와; (c) 상기 산화 알루미늄을 제거하는 단계를 포함하는 나노 구조물의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 나노 구조물의 제조방법은 대면적으로 제조가능하며, 환경 센서나 바이오 센서로의 응용이 직접적으로 가능할 뿐 아니라, 메모리 축전기의 제작이나 연료 전지용 전극 분야 등 다양한 분야에 응용이 가능하다. 자기 조립 나노 템플릿, 양극 산화 알루미늄, 원자층 증착, 나노 구조물, 환경 센서, 바이오 센서, 대면적 공정
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020070078440 (2007.08.06)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0973522-0000 (2010.07.27)
공개번호/일자 10-2009-0014469 (2009.02.11) 문서열기
공고번호/일자 (20100802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.06)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김우희 대한민국 서울 성북구
2 손종역 대한민국 부산광역시 해운대구
3 김형준 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0569096-40
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5195152-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0039824-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0632925-34
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0094662-44
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0160604-99
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0232162-21
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0232172-88
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2009.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0349311-95
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0638427-36
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0042013-41
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.02.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0008040-25
14 등록결정서
Decision to grant		 2010.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0182866-19
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
루테늄(Ru) 나노 구조물의 제조방법으로서, (a) 산 용액에 기판을 투입하고 상기 기판상에 알루미늄을 양극산화시킴으로써, 상기 기판에 나노 크기의 구멍이 형성된 산화 알루미늄 나노 템플릿을 형성하는 단계와, (b) 원자층 증착법을 이용하여, 상기 나노 구조물을 이루는 물질로 상기 나노 템플릿에 형성된 구멍을 채우는 단계와, (c) 상기 산화 알루미늄 나노 템플릿을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 (b)단계는 액체주입장치가 장착된 원자층 증착장비를 통해, Ru(DMPD)(EtCp)(DER)을 주입하는 단계와, DER을 노출시키는 단계, Ar을 통해 DER을 제거하는 단계, O2를 노출하는 단계 및 Ar을 통해 미반응물을 제거하는 단계의 5단계로 이루어진 사이클을 반복수행하는 것을 특징으로 하는 루테늄 나노 구조물의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (c)단계 전에, 식각공정을 통해 나노 템플릿에 형성된 저항층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 루테늄 나노 구조물의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (a) 단계의 나노 템플릿은, 양극산화 공정과, 양극산화를 통해 형성된 나노 템플릿의 일부를 식각하는 식각공정을 반복수행함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 루테늄 나노 구조물의 제조방법
4 4
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