| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
발광 구조의 반도체층 상에 형성되는 오믹 전극의 형성 방법에 있어서,
상기 반도체층 상에 접합층과 반사층을 순차로 반복 적층하는 단계;
상기 반복 적층을 통해 형성한 최상위 반사층 상에 보호층을 형성하는 단계; 및
상기 보호층에 의해 Ag 입자의 외부 확산이 억제됨과 동시에 내부 확산된 Ag 입자의 일부가 상기 반도체층과 상기 반사층의 계면에서 고용체를 형성하도록 상기 접합층, 반사층 및 보호층을 열처리하는 단계; 를 포함하고,
상기 반사층은 Ag 금속 또는 Ag 합금으로 형성하는 오믹 전극의 형성 방법
|
| 7 |
7
청구항 6에 있어서,
상기 접합층은 Ni, Pt, Ir, Mg, Pd, Ru, Zn, Ta, ITO, ZnO 및 IZO 중 적어도 어느 하나로 형성하는 오믹 전극의 형성 방법
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서,
상기 접합층은 100 내지 3000Å의 두께로 형성하는 오믹 전극의 형성 방법
|
| 9 |
9
청구항 6에 있어서,
상기 반사층의 Ag 합금은 Ag와, Cu, Al, Ir, In, Ni, Mg, Pt 및 Pd 중 적어도 어느 하나를 포함하는 오믹 전극의 형성 방법
|
| 10 |
10
청구항 9에 있어서,
상기 반사층은 20 내지 1000Å의 두께로 형성하는 오믹 전극의 형성 방법
|
| 11 |
11
청구항 6에 있어서,
상기 보호층은 Pt, Ni, Ru, Ir, Rh, W, Ta, Ti 및 Co 중 적어도 어느 하나로 형성하는 오믹 전극의 형성 방법
|
| 12 |
12
청구항 11에 있어서,
상기 보호층은 10 내지 1000Å 두께로 형성하는 오믹 전극의 형성 방법
|
| 13 |
13
청구항 6에 있어서,
상기 접합층과 상기 반사층은 2 내지 9번 반복 적층하여 형성하는 오믹 전극의 형성 방법
|
| 14 |
14
청구항 6에 있어서,
상기 열처리 단계는 150 내지 600도의 온도에서 실시하는 오믹 전극의 형성 방법
|
| 15 |
15
청구항 14에 있어서,
상기 열처리 단계는 급속 열처리 방식으로 실시하는 오믹 전극의 형성 방법
|
| 16 |
16
청구항 14에 있어서,
상기 열처리 단계는 산소를 포함하는 분위기에서 실시하는 오믹 전극의 형성 방법
|
| 17 |
17
청구항 16에 있어서,
상기 산소를 포함하는 분위기는 산소 분위기, 오존 분위기, 대기 분위기, 산소와 질소의 혼합 분위기 및 산소와 아르곤의 혼합 분위기 중 적어도 하나를 포함하는 오믹 전극의 형성 방법
|
