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니켈 실리사이드 나노 구조체를 포함하는 전자 방출원
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제1항에 있어서, 상기 니켈 실리사이드는 니켈 대 실리콘의 함량비가 1 : 0
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제1항에 있어서, 상기 니켈 실리사이드의 비저항이 300℃에서 10 μΩ·cm 내지 10 mΩ·cm인 것을 특징으로 하는 전자 방출원
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제1항에 있어서, 방출 필드 (turn on field)가 0
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제1항에 있어서, 상기 니켈 실리사이드 나노 구조체가 단결정인 것을 특징으로 하는 전자 방출원
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제1항에 있어서, 상기 나노 구조체는 나노 튜브 또는 나노 와이어, 또는 이들의 다발로 형성된 것을 특징으로 하는 전자 방출원
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7
제6항에 있어서, 상기 나노 와이어의 직경은 10nm 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 전자 방출원
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제6항에 있어서, 상기 나노 와이어의 종횡비가 1 : 170 내지 1 : 250인 것을 특징으로 하는 전자 방출원
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9
기판;
상기 기판 상에 배치된 캐소드 전극;
상기 캐소드 전극과 전기적으로 절연되도록 배치된 게이트 전극;
상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극을 절연시키는 절연체층;
전자 방출원 홀;
상기 전자 방출원 홀에 구비되어 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결된 전자 방출원; 및
상기 전자 방출원과 대향되는 형광체층을 포함하는 전자 방출 소자로서,
상기 전자 방출원은 니켈 실리사이드 나노 구조체인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자
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10
제9항에 있어서, 상기 기판은 쿼츠 기판, ITO 기판 또는 SiO2/Si 기판인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자
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(a) 기판 위에 니켈을 증착하여 니켈층을 형성하는 단계; 및
(b) 상기 니켈층이 형성된 기판을 챔버 내에 위치시키고 Si 전구체 화합물 기체를 주입하고 열처리하여 니켈 실리사이드 나노 구조체를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 나노 구조체 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 기판에 니켈을 증착하기 전에, 산화 공정을 실시하여 상기 기판 위에 산화층을 형성시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 나노 구조체 제조 방법
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13
제11항에 있어서, 상기 (a) 단계의 상기 니켈층은 50 내지 80 nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 나노 구조체 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 (b) 단계의 열처리는 350 내지 450℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 나노 구조체 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 (b) 단계의 Si 전구체 화합물 기체는 Si2H6, Si3H8, Si2Cl6, SiH4 또는 SiHxCly (x는 0 내지 4의 정수, y는 0 내지 4의 정수)인 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 나노 구조체 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 (b) 단계는 45 내지 55 Torr 압력 조건 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 니켈 실리사이드 나노 구조체 제조 방법
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제11항 내지 제16항의 방법으로 제조된 니켈 실리사이드 나노 구조체
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