| 1 |
1
챔버 내에 실리콘 소스 가스를 공급하는 단계,
상기 챔버 내에 수납된 기판의 온도를 상기 실리콘 소스 가스의 온도와 별개로 제어하는 단계,
상기 기판을 냉각하여 상기 기판 위에 상기 기판의 판면에 실질적으로 수직인 방향으로 온도 구배를 형성하는 단계, 및
상기 온도 구배에 따라 상기 기판의 판면에 실질적으로 수직인 방향으로 뻗은 실리콘 나노 와이어를 형성하는 단계
를 포함하는 실리콘 나노 와이어의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 기판의 온도를 제어하는 단계에서,
상기 기판에 공기 또는 냉각수를 제공하여 상기 기판을 냉각하는 실리콘 나노 와이어의 제조 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,
상기 공기 또는 상기 냉각수는 상기 기판과 간접 접촉하는 실리콘 나노 와이어의 제조 방법
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,
상기 공기의 유입 압력 또는 상기 냉각수의 유입 압력은 상기 기판의 온도 구배에 비례하는 실리콘 나노 와이어의 제조 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,
상기 기판의 온도를 제어하는 단계에서, 상기 기판의 온도와 상기 실리콘 소스 가스와의 온도 차이는 100℃ 내지 200℃인 실리콘 나노 와이어의 제조 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,
상기 기판의 온도와 상기 실리콘 소스 가스와의 온도 차이는 실질적으로 130℃인 실리콘 나노 와이어의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,
상기 실리콘 나노 와이어를 형성하는 단계에서, 상기 기판의 온도는 0℃보다 크고 600℃ 이하인 실리콘 나노 와이어의 제조 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,
상기 기판의 온도를 제어하는 단계에서, 상기 기판은 실리콘 및 석영으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 소재를 포함하는 실리콘 나노 와이어의 제조 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,
상기 기판의 온도를 제어하는 단계에서, 상기 기판 위에 산화막이 형성된 실리콘 나노 와이어의 제조 방법
|
| 10 |
10
실리콘 소스 가스를 함유하도록 적용된 챔버,
챔버 내에 수납되고, 그 위에 온도 구배를 형성함으로써 실리콘 나노 와이어를 성장시키도록 적용된 기판, 및
상기 챔버를 관통하여 상기 기판 내에 삽입된 냉각관
을 포함하고,
상기 냉각관을 통하여 공기 또는 냉각수를 유입함으로써 상기 기판을 냉각시키고,
상기 온도 구배를 상기 기판의 판면에 실질적으로 수직인 방향으로 형성함으로써 상기 실리콘 나노 와이어는 상기 판면에 실질적으로 수직인 방향으로 성장하는 실리콘 나노 와이어의 제조 장치
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,
상기 기판은 실리콘 및 석영으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 소재를 포함하는 실리콘 나노 와이어의 제조 장치
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,
상기 냉각관은,
상기 챔버를 관통하고 선형을 가진 한 쌍의 제1 냉각관부들, 및
상기 한 쌍의 제1 냉각관부들과 각각 연결되어 상기 기판 내에 삽입되는 원형의 제2 냉각관부
를 포함하는 실리콘 나노 와이어의 제조 장치
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,
상기 원형의 제2 냉각관부의 중심과 상기 기판의 중심이 일치하는 실리콘 나노 와이어의 제조 장치
|
| 14 |
14
제12항에 있어서,
상기 챔버를 관통하고 상기 제1 냉각관부들을 감싸며 형성되는 보호관을 더 포함하는 실리콘 나노 와이어의 제조 장치
|
| 15 |
15
제10항에 있어서,
상기 기판 위에 산화막이 형성된 실리콘 나노 와이어의 제조 장치
|
