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확산 방지막의 제조방법과 이에 의한 확산 방지막

  • 기술번호 : KST2015169130
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 TFT-LCD용 금속배선으로 Cu를 적용함에 있어 문제가 되는 확산현상을 해결하기 위해 적용되는 확산 방지막의 성능을 효과적으로 개선할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 확산 방지막을 물리적 기상 증착법으로 증착할 때 초기압력을 낮게 조절하여 형성되는 박막 내에 불순물 함량을 높이고, 이 불순물을 미세구조 제어에 이용함으로써, 기존의 순수 전이금속 확산 방지막이 갖는 결정립계를 통한 확산현상을 효과적으로 극복하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 확산 방지막 제조기술은 초기압력을 조절하는 것만으로도 효과적인 성능개선을 가져올 수 있고, 더욱이 10-5torr 레벨의 비교적 저진공에서 확산 방지막이 제조되기 때문에 고진공을 뽑기 위해 필요한 시간 및 에너지 절감효과를 가져올 수 있어 제품의 생산단가를 낮출 수 있다. 확산 방지막, Mo, Cu, TFT-LCD, 미세조직 제어
Int. CL C23C 14/00 (2011.01) C23C 14/14 (2011.01) C23C 14/06 (2011.01)
CPC C23C 14/14(2013.01) C23C 14/14(2013.01) C23C 14/14(2013.01) C23C 14/14(2013.01) C23C 14/14(2013.01) C23C 14/14(2013.01)
출원번호/일자 1020080010488 (2008.02.01)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0980039-0000 (2010.08.30)
공개번호/일자 10-2009-0084357 (2009.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20100906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.01)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구길호 대한민국 충남 서천군
2 박찬경 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0084826-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.12.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0003754-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0471687-19
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0031958-67
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0104643-81
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0169573-39
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0169585-87
9 등록결정서
Decision to grant
2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0229356-71
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
물리적 기상 증착법을 이용하여 확산 방지막을 증착함에 있어서, 챔버내 초기압력의 조절을 통해 확산 방지막 내 불순물의 함량을 조절함으로써, 확산 방지막의 결정립 형상, 결정립의 크기 또는 불순물과 불순물을 포함하는 화합물의 존재 위치에 대한 제어를 행하며, 상기 불순물은 산소, 질소 또는 탄소인 것을 특징으로 하는 확산 방지막 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 챔버내 초기압력은 1× 10-5torr ~ 5× 10-5torr로 유지되는 것을 특징으로 하는 확산 방지막 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 확산 방지막은 전이 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 확산 방지막 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 전이 금속은 Mo인 것을 특징으로 하는 확산 방지막 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 불순물의 함량은 1500 ~ 2000ppm인 것을 특징으로 하는 확산 방지막 제조방법
8 8
물리적 기상 증착법을 이용하여 형성된 확산 방지막으로서, 불순물의 함량이 1500 ~ 2000ppm이며, 평균 결정립 크기가 20nm이하의 나노 결정립 구조를 갖고, 상기 불순물은 산소, 질소 또는 탄소인 것을 특징으로 하는 확산 방지막
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 불순물 또는 불순물을 포함하는 화합물이 상기 나노 결정립의 입계(grain boundary)에 위치하는 것을 특징으로 하는 확산 방지막
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 확산 방지막은 전이 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 확산 방지막
11 11
삭제
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 확산 방지막은 Mo로 이루어지며, 구리배선의 확산 방지에 적용되는 것을 특징으로 하는 확산 방지막
13 13
제 8 항에 있어서, 상기 확산 방지막의 평균결정립 크기는 10nm 이하인 것을 특징으로 하는 확산 방지막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.