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서브마운트 기판;상기 서브마운트 기판 상에 형성되며 반사 특성을 갖는 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성된 제 1 도전층;상기 제 1 도전층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성되며, 상부에 다수의 회절 홈으로 구성된 광결정층이 형성된 제 2 도전층;상기 제 2 도전층 상에 형성된 제 2 전극;을 포함하여 구성되며,상기 제 1 도전층,제 2 도전층, 활성층은 발광되는 빛의 공진 공동을 제공하는 두께를 가지며, 상기 제 1 도전층의 두께(d1), 제 2 도전층의 두께(d2), 활성층의 두께(d3)는 수학식(1)를 만족하며, (여기서, Φ1은 상기 제 1 전극의 반사율에 의한 위상변화이고, Φ2는 상기 광결정층의 반사에 의한 위상변화이며, λ는 상기 활성층에서 발생하는 빛의 파장이며, η는 발광 다이오드의 굴절률이며, r은 0 보다 크고 1 보다 작거나 1과 같은 범위 내에서 설정된 매개변수이고, m은 정수(0, ±1, ±2, ±3,
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도전층은 p형 반도체 또는 n형 반도체 중 어느 하나이며, 상기 제 2 도전층은 p형 반도체 또는 n형 반도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 5 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 도전층은 GaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 은(Ag), 알루미늄(Al) 및 그 합금 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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발광 다이오드 성장용 기판을 준비하는 단계;상기 발광 다이오드 성장용 기판 상에 제 1 도전층, 활성층, 제 2 도전층을 순차적으로 형성하되, 상기 활성층과 제 2 도전층은 발광되는 빛의 공진 공동을 제공하는 두께를 갖도록 형성하는 단계;상기 제 2 도전층 상에 반사 특성을 갖는 제 2 전극을 형성하는 단계;상기 발광 다이오드 성장용 기판을 제거하고, 상기 제 2 전극의 하부에 서브마운트 기판을 형성하는 단계;발광되는 빛의 공진 공동을 제공하는 두께가 되도록 제 1 도전층을 식각하는 단계;상기 제 1 도전층의 상부에 다수의 회절 홈으로 구성된 광결정층을 형성하는 단계;상기 제 1 도전층의 상부에 제 1 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 도전층의 두께(d1), 제 2 도전층의 두께(d2), 활성층의 두께(d3)는 수학식(1)를 만족하며, (여기서, Φ1은 상기 제 1 전극의 반사율에 의한 위상변화이고, Φ2는 상기 광결정층의 반사에 의한 위상변화이며, λ는 상기 활성층에서 발생하는 빛의 파장이며, η는 발광 다이오드의 굴절률이며, r은 0 보다 크고 1 보다 작거나 1과 같은 범위 내에서 설정된 매개변수이고, m은 정수(0, ±1, ±2, ±3,
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제 8 항에 있어서, 상기 제 1 도전층은 p형 반도체 또는 n형 반도체 중 어느 하나이며, 상기 제 2 도전층은 p형 반도체 또는 n형 반도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 도전층은 GaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 은(Ag), 알루미늄(Al) 및 그 합금 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
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