맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

나노 핀 어레이의 제조방법 및 나노 핀 어레이를 이용한 전자방출소자

  • 기술번호 : KST2015169174
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 종래의 나노 막대에 비해 우수한 전자 방출 효율을 나타낼 뿐 아니라 위치와 형상의 제어가 용이한 나노 핀 어레이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 제조방법은 기판상에 나노 핀을 구성하는 물질의 박막을 형성하고, 상기 박막 상에 나노템플레이트를 형성한 후, 상기 나노 템플레이트가 완전히 제거될 때까지 나노 템플레이트와 박막을 함께 에칭함으로써, 기판상에 상기 나노 템플레이트의 패턴에 따른 나노 핀 어레이가 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따라 형성된 나노 핀 어레이는 수 나노미터 이하의 아주 날카로운 형태를 가지게 되어 전계 방출원으로서 우수한 효율을 나타낸다. 양극산화 알루미나, 금속 나노핀, 습식 에칭
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) H01J 1/304 (2006.01)
CPC H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01)
출원번호/일자 1020080093535 (2008.09.24)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1024594-0000 (2011.03.17)
공개번호/일자 10-2010-0034417 (2010.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20110331) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.24)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 손종역 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김형준 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 신영한 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0669991-46
2 선행기술조사의뢰서(내부)
Request for Prior Art Search (Inside)		 2009.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2009-0012212-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0447893-11
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0810697-37
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0064982-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0065289-61
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0231515-37
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.06.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0027799-49
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0336419-36
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0600881-31
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0600894-24
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0503011-96
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0733856-85
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0733872-16
16 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0012437-83
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 나노 핀을 구성하는 물질의 박막을 형성하는 단계, 상기 박막 상에 복수 개의 홈 또는 홀이 형성된 나노 템플레이트를 형성하는 단계 및 상기 박막과 나노 템플레이트의 에칭이 가능한 에칭공정에서, 상기 나노 템플레이트가 형성된 면을 상기 나노 템플레이트가 제거될 때까지 에칭할 때 발생하는, 상기 홈 또는 홀의 아래에 위치한 박막과 그렇지 않은 박막 간의 에칭 차이를 이용하여, 나노 핀 어레이가 형성되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 핀 어레이의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 에칭은 습식에칭인 것을 특징으로 하는 나노 핀 어레이의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 나노 템플레이트는 양극 산화, 전자빔 리소그래피, FBI 또는 레이저 간섭 패턴 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 핀 어레이의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 나노 템플레이트는 습식에칭으로 에칭되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 핀 어레이의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 나노 핀을 구성하는 물질은 금속 또는 반도체인 것을 특징으로 하는 나노 핀 어레이의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 나노 템플레이트는 양극 산화 알루미늄 또는 이중 공중합체(diblock copolymer)로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 핀 어레이의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 나노 핀을 구성하는 물질은 Nb, Mn, Lu, La, Ba, Ce, Cs, Eu, Gd, Hf, Rb, Sc, Sr, Tb, Th, Ti, Y로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 나노 핀 어레이의 제조방법
9 9
제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조된 나노 핀 어레이를 이용한 전자방출소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.