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잉크젯 프린트 잉크 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015169177
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기물 반도체의 잉크젯 프린트용 용액에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 균일하고 결정성 있는 박막을 형성할 수 있는 유기물 반도체의 잉크젯 프린트용 용액에 관한 것이다. 본 발명에 따른 잉크젯 프린트용 용액은 제1용매와 제1용매보다 비점이 높고 표면장력이 낮은 혼합용매로 이루어져, 증발과정에서 균일하고 결정성 있는 원형의 박막을 형성한다. 본 발명에 따른 원형 박막을 이용한 원형 트랜지스터는 0.12㎠V-1s-1 정도의 높은 전계효과 유동성을 가진다. 잉크젯 프린팅
Int. CL B41M 5/00 (2014.01) H01L 51/30 (2014.01) H01L 29/786 (2014.01) C09D 11/38 (2014.01)
CPC C09D 11/36(2013.01) C09D 11/36(2013.01) C09D 11/36(2013.01) C09D 11/36(2013.01) C09D 11/36(2013.01) C09D 11/36(2013.01) C09D 11/36(2013.01)
출원번호/일자 1020080064335 (2008.07.03)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0004258 (2010.01.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.03)
심사청구항수 34

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조길원 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 박영돈 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 이화성 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 이지황 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 임정아 대한민국 경기도 고양시 일산서구
6 이위형 대한민국 경상북도 경주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0481172-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0018906-83
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0648804-25
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0656043-29
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0508984-21
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0090586-03
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0151936-44
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0231306-55
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0298562-29
11 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2010.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0043279-93
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0374228-56
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0467622-91
14 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0470483-12
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0465573-41
16 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.11.17 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2010-0749421-57
17 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2010.11.18 수리 (Accepted) 7-1-2010-0047726-96
18 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2010.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0103457-10
19 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2010.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0113499-06
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1용매계; 상기 제1용매보다 높은 비점과 낮은 표면장력을 가지는 제2용매계로 이루어진 혼합 용매에 유기물 반도체를 용해시켜 적하시키는 것을 특징으로 하는 인쇄 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1용매계는 비점이 100 ℃ 이상이며, 표면장력이 20 mJ/m 이상인 것을 특징으로 하는 인쇄방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1용매계는 물, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠, 톨루엔, 자일렌, 테트랄린, 데칼린, 옥탄, 데칸, 도데칸, 아니솔, 에탄올, 이소프로필로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 또는 2 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 인쇄방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1용매계와 상기 제2용매계의 비점차가 10-100 ℃ 인 것을 특징으로 하는 인쇄방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1용매계와 상기 제2용매계의 표면장력차가 5 dyn/cm 이상인 것을 특징으로 하는 인쇄방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1용매계가 주용매인 것을 특징으로 하는 인쇄 방법
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기물 반도체는 저분자 유기물 반도체인 것을 특징으로 하는 인쇄 방법
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기물 반도체는 상기 혼합 용액은 잉크젯 프린트 방식으로 적하되는 것을 특징으로 하는 인쇄 방법
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1용매는 클로로벤젠이며, 제2용매는 도데칸인 것을 특징으로 하는 인쇄방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 유기물 반도체는 6,13-비스((트리이소프로필실릴에티닐)펜타센인 것을 특징으로 하는 인쇄방법
11 11
제1용매계; 상기 제1용매계보다 높은 비점과 낮은 표면장력을 가지는 제2용매계로 이루어진 혼합 용매에 유기물이 용해시켜 잉크젯 프린트하고 이를 건조하여 제조되는 박막
12 12
제11항에 있어서, 상기 유기물은 유기물 반도체인 것을 특징으로 하는 박막
13 13
제11항에 있어서, 상기 유기물은 절연체인 것을 특징으로 하는 박막
14 14
제11항에 있어서, 상기 유기물은 전극체인 것을 특징으로 하는 박막
15 15
제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1용매계와 상기 제2용매계의 비점차가 10-100 ℃ 인 것을 특징으로 하는 박막
16 16
제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1용매계와 상기 제2용매계의 표면장력차가 5 dyn/cm 이상인 것을 특징으로 하는 박막
17 17
제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1용매계가 주용매인 것을 특징으로 하는 박막
18 18
용액에 비점과 표면장력이 상이한 보조 용매를 첨가하여 잉크젯 프린트된 액적이 건조된 박막에서 용질의 분포를 조절하는 방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 용질은 유기물 반도체, 유기물 절연체, 유기물 전극체인 것을 특징으로 하는 방법
20 20
제18항 또는 제19항에 있어서, 용액의 용매보다 비점이 높고 표면장력인 낮은 보조 용매를 투입하여 액적이 건조된 박막에서 용질 분포를 균일하게 하는 방법
21 21
제18항 또는 제19항에 있어서, 용액의 용매와 보조 용매의 비점 차이가 10-100 ℃인 방법
22 22
제18항 또는 제19항에 있어서, 용액의 용매와 보조 용매의 표면장력차이가 5 dyne/cm 이상인 방법
23 23
유기물 반도체가 제1용매계와 상기 제1용매계보다 높은 비점과 낮은 표면장력을 가지는 제2용매계로 이루어진 혼합 용매에 용해된 용액을 적하시켜 건조된 박막에 의해 소스와 드레인 전극이 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
24 24
제23항에 있어서, 제1용매는 클로로벤젠이며, 제2용매는 도데칸인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
25 25
제24항에 있어서, 유기물 반도체는 6,13-비스((트리이소프로필실릴에티닐)펜타센인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
26 26
기판을 마련하는 단계; 상기 기판에 게이트를 형성하는 단계; 상기 게이트 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막에 소스와 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소스와 드레인 전극 사이에, 제1용매와 상기 제1용매보다 비점이 높이 표면장력이 작은 제2용매로 이루어진 유기물 반도체 용액을 잉크젯 프린팅하여 연결하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트렌지스터 제조 방법
27 27
제26항에 있어서, 상기 제1용매는 클로로벤젠인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
28 28
제26항에 있어서, 상기 제2용매는 도데칸인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
29 29
제26항에 있어서, 상기 유기물 반도체는 6,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐)펜타센인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
30 30
제1용매와 상기 제1용매보다 높은 비점과 낮은 표면장력을 가지는 제2용매로 이루어진 혼합 용매에 유기물 반도체가 용해된 잉크젯 프린트용 잉크
31 31
제30항에 있어서, 상기 제1용매는 클로로벤젠인 잉크젯 프린트용 잉크
32 32
제30항에 있어서, 상기 제2용매는 도데칸인 것을 특징으로 잉크젯 프린트용 잉크
33 33
제30항 내지 제32항 중 어느 한 항에 따른 잉크젯 프린트용 잉크를 이용하여 제조되는 반도전성 또는 전하 수송 물질, 요소 또는 디바이스
34 34
제33항에 따른 반도전성 또는 전하 수송물질, 요소 또는 디바이스로부터 수득된 광학, 전자광학 또는 전자 디바이스, FET, 집적 회로(IC), TFT 또는 OLED
35 35
제30항 내지 제32항 중 어느 한 항에 따른 잉크젯 프린트용 잉크를 이용하여 제조되는 박막을 포함하는 평면 디스플레이용 TFT, TFT 어레이, 전파 식별(RFID) 태그, 전기발광 디스플레이, 백라이트, 반도전성 또는 전하 수송 물질, 요소 또는 디바이스, FET, IC, TFT 또는 OLED
36 36
기판상에 형성된 소스 전극과 드레인 전극; 상기 소스 전극과 드레인 전극에 각각 접하면서, 유기 반도체 용액이 잉크젯 프린트된 원형의 유기 반도체층, 상기 소스전극과 상기 드레인 전극 사이에는 원형갭이 형성되며; 상기 소스 전극과 드레인 전극의 상부 또는 하부에 배치되는 게이트 전극; 및 상기 소스 및 드레인 전극을 상기 게인트 전극과 절연시키는 게이트 절연막을 구비하는 유기 박막 트랜지스터
37 37
제36항에 있어서, 상기 원형의 유기 반도체층은 주변에서 원의 중심방향으로 결정성을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트갠지스터
38 38
제35항 또는 제36항에 있어서, 상기 드레인 전극이 원형의 유기반도체층의 중심부에 원형으로 형성되고, 상기 소스 전극이 원형의 유기 반도체층의 주변부에 원형으로 형성되어, 상기 소스 전극과 드레인 전극사이에 원형의 갭이 형성되는 ㄱ것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
39 39
제35항 또는 제36항에 있어서, 상기 잉크젯 프린트되는 유기 반도체 용액은 유기물 반도체가 제1용매계와 상기 제1용매계보다 높은 비점과 낮은 표면장력을 가지는 제2용매계로 이루어진 혼합 용매에 용해된 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
40 40
제35항 또는 제36항에 있어서, 상기 유기 반도체층은 저분자량 유기물 반도체인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
41 41
제35항 또는 제36항에 있어서, 상기 유기 반도체층은 6,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐)펜타센인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
42 42
동심원을 이루도록 상호간에 원형 갭이 형성된 원형 타입의 소스와 드레인전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08455373 US 미국 FAMILY
2 US20110180787 US 미국 FAMILY
3 WO2010002048 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011180787 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8455373 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2010002048 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 나노소재기술개발사업 유연소재용 고경도 내마모성 유기/무기 하이브리드 나노코팅기술