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반도체 나노결정을 이용하는 광전변환소자

  • 기술번호 : KST2015169183
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 광활성층을 포함하는 태양전지에 있어서, 상기 광활성층이 반도체 나노결정과 고분자의 복합 활성층이고, 상기 반도체 나노결정이 띠간격(band gap)이 교차하는 하나 이상의 계면을 갖는 다층 구조의 반도체 나노결정인 것을 특징으로 하는 광전변환소자에 관한 것으로, 본 발명의 광전변환소자는 높은 태양광 흡수 능력을 가질 수 있어 뛰어난 광전변환효율을 나타낼 수 있다. 광전변환소자, 반도체 나노결정, 띠간격 교차, 다층구조, 고분자
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 51/426(2013.01) H01L 51/426(2013.01)
출원번호/일자 1020080087631 (2008.09.05)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0028755 (2010.03.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.09)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
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대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김학제 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 ** 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)
2 문혜정 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 **, 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0632456-86
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0638529-50
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.11.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.12.04 수리 (Accepted) 9-1-2009-0065694-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0176523-78
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0307617-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극과 제 2 전극 사이에 광활성층을 포함하는 태양전지에 있어서, 상기 광활성층이 반도체 나노결정과 고분자의 복합 활성층이고, 상기 반도체 나노결정이 띠간격(band gap)이 교차하는 하나 이상의 계면을 갖는, 두 개 이상의 반도체층을 포함하는 다층 구조의 반도체 나노결정인 것을 특징으로 하는 광전변환소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 반도체 나노결정이 표면에 전하가 도입된 대전된 반도체 나노결정인 것을 특징으로 하는 광전변환소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 여기시 전자 또는 정공이 공간적으로 분리되어, 전자와 정공이 서로 다른 반도체층에 편재되는 것을 특징으로 하는 광전변환소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 복합 활성층의 고분자는 P3HT(폴리(3-헥실티오펜), 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, 폴리에틸렌 옥사이드, (폴리(1-메톡시-4-(0-디스퍼스레드1)-2,5-페닐렌-비닐렌), 폴리인돌, 펄리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리비닐피리딘, 폴리티오펜, 폴리플루오렌 및 폴리피리딘 폴리(3-옥틸티오펜), 폴리(2,5-비스(3-알킬티오펜-2-일)티에노[3,2-b]티오페넨)] (poly[2,5-bis(3-alkylthiophene-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene)]), 폴리(2,6-(4,4-비스-(2-에틸헥실)-4H-사이클로펜타[2,1-b;3,4-b']-디티오펜-alt-4,7-(2,1,3-벤젠티아디아졸)],(poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethlyhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b']-dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), 폴리[5,7,-비스(4-데카닐-2-티에닐)티에노[3,4-b]디아티아졸-티오펜-2,5)] (poly[5,7-bis(4-decanyl-2-thienyl)thieno[3,4-b] diathiazole-thiophene-2,5)]), 폴리[2,5-(7,7-디옥틸)-사이클로펜타디티오펜] (poly[2,5-(7,7-dioctyl)-cyclopentadithiophene]), 폴리(트리아릴아민), 폴리(티에닐렌 비닐렌) (poly(thienylene vinylene)), 폴리[2-메톡시-5-(3',7'-디메틸옥틸옥시)-1,4-페닐렌비닐렌] (poly[2-methoxy-5-(3',7'-dimethyloctyloxy)-1,4-phenylenevinylene]), 폴리[2-메톡시,5-(2'-에틸-헥실옥시)-p-페닐렌비닐렌)](poly[2-methoxy, 5-(2'-ethyl-hexyloxy)-p-phenylenevinylene)]) 및 폴리[2-메톡시-5-(3',7'-디메틸옥틸옥시)-p-페닐렌비닐렌)] (poly[2-methoxy-5-(3',7'-dimethyloctyloxy)-p-phenylenevinylene] )으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 광전변환소자
5 5
제 1항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 코어-쉘, 코어-멀티쉘, 멀티코어-멀티쉘, 또는 코어-중간층-쉘 구조인 것을 특징으로 하는 광전변환소자
6 6
제 5항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, 및 이들의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자
7 7
제 6항에 있어서, 상기 II-VI족 화합물은 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe의 이원소 화합물 및 ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe의 삼원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이고, 상기 III-V족 화합물 반도체는 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb의 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP의 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이고, 상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe의 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe의 삼원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질인 것을 특징으로 광전변환소자
8 8
제 5항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 쉘은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 화합물 및 이들의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자
9 9
제 8항에 있어서, 상기 II-VI족 화합물은 ZnS, ZnSe, ZnTe의 이원소 화합물, 또는 ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe의 삼원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이고, 상기 III-V족 화합물 반도체는 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb의 이원소 화합물, 또는 GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP의 삼원소 화합물, 또는 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이고, 상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe의 이원소 화합물 또는 SnSeS, SnSeTe, SnSTe의 삼원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질인 것을 특징으로 하는 광전변환소자
10 10
제 5항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 ZnTe/ZnO, ZnO/ZnTe, ZnSe/ZnO, ZnO/ZnTe, ZnS/ZnO, ZnO/ZnS, ZnTe/ZnSe, ZnSe/ZnTe ZnTe/ZnS, ZnS/ZnTe, InP/ZnTe 및 ZnTe/InP로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 광전변환소자
11 11
제 1항에 있어서, 상기 광전변환소자가 상기 제1전극 위에 위치하는 정공주입층 및 상기 광활성층 위에 위치하는 전자수용층 중 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자
12 12
제 12항에 있어서, 상기 정공주입층은 PEDOT (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜))- PSS(폴리(스티렌설포네이트)), 폴리아닐린-CSA, 펜타센, Cu-PC(구리 프탈로시아닌), P3HT(폴리(3-헥실티오펜), 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, 폴리에틸렌 옥사이드, (폴리(1-메톡시-4-(0-디스퍼스레드1)-2,5-페닐렌-비닐렌), 폴리인돌, 펄리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리비닐피리딘, 폴리티오펜, 폴리플루오렌, 및 폴리피리딘으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하고, 상기 전자수용층은 플러렌 유도체, 탄소나노튜브 및 PCBM([6,6]-phenyl-C61 butyric acid methyl ester)으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.