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치아미백용 플라즈마 장치에 있어서,
유전체 튜브;
상기 유전체 튜브의 외부에 형성된 외부전극;
상기 유전체 튜브의 내부에 형성된 내부전극;
상기 유전체 튜브의 일 측에 형성되어 가스가 공급되는 가스유입구;
상기 외부전극에 전원을 인가하여 상기 유전체 튜브 내에 공급된 가스를 플라즈마화 시키는 전원공급부; 및
상기 유전체 튜브 내에서 플라즈마화된 가스를 피처리 대상인 치아에 조사하는 가스배출구;를 구비하고,
상기 플라즈마장치는 상압 하에서 40℃ 이하의 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 치아미백용 플라즈마 장치
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제1항에 있어서,
상기 피처리 대상인 치아에 과산화수소를 공급하는 과산화수소 공급부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 치아미백용 플라즈마 장치
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3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 내부전극은
상기 유전체 튜브의 외부와 격리되어 있는 것을 특징으로 하는 치아미백용 플라즈마 장치
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4
제3항에 있어서, 상기 내부전극은
상기 가스 유입구에 유입된 가스가 통과되는 관통홀이 그 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 치아미백용 플라즈마 장치
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5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전원공급부는
20kHz의 저주파 및 5kV의 고전압을 상기 외부전극에 인가하는 것을 특징으로 하는 치아미백용 플라즈마 장치
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6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 내부전극 및 상기 외부전극은
알루미늄(Al)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 치아미백용 플라즈마 장치
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7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 내부전극 및 상기 외부전극은
상기 가스배출구의 끝단으로부터 소정 거리 만큼 이격되어 위치함으로써 피처리 대상인 치아에 직접 접촉하는 것을 방지하는 특징으로 하는 치아미백용 플라즈마 장치
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8
플라즈마 장치를 이용한 치아미백방법에 있어서,
(a) 피처리 대상인 치아를 격리시키는 단계;
(b) 상기 격리된 치아에 과산화수소를 공급하는 단계; 및
(c) 상기 격리된 치아에 상압에서 플라즈마화된 저온의 플라즈마 가스를 조사하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치를 이용한 치아미백방법
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제8항에 있어서,
상기 (c) 단계를 진행하는 동안, 상기 피처리 대상인 치아의 표면온도는 40℃ 이하로 유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치를 이용한 치아미백방법
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10
제8항에 있어서, 상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계는
동시에 진행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치를 이용한 치아미백방법
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11
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계는
1 내지 10분 동안 진행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치를 이용한 치아미백방법
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