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평행하게 정렬된 나노선과 정렬된 나노선을 이용한 센서 구조의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서소자

  • 기술번호 : KST2015169205
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 일정한 간격을 갖는 수십 나노 미터 굵기를 갖는 나노선을 테라스가 형성된 기판 위에 형성시켜 정렬시키는 방법을 이용하여 가스 센서 또는 바이오 센서의 제작에 필요한 원천기술을 제공한다. 나노선을 기반으로 하는 센서는 표면적 대 부피의 비가 크기 때문에 박막 기반의 센서에 비해 높은 감도를 얻을 수 있는 장점을 갖는다. 그러나 일반적인 나노선 공정으로 센서를 만들 경우 분산과정 및 E-beam lithography와 같은 공정이 필요하므로 공정상에 많은 비용이 발생한다. 본 발명에 따른 테라스 기반 나노선을 이용한 센서 구조의 제조방법은 나노선과 전극 형성의 간단한 공정만으로 성능이 우수한 센서 구조를 저비용으로 제조할 수 있다. 나노선, 가스 센서, 바이오 센서, 테라스
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020080093534 (2008.09.24)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0034416 (2010.04.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손종역 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김형준 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 이흥순 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0669984-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0044757-44
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0354503-96
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.10.15 무효 (Invalidation) 1-1-2010-0668793-93
6 보정요구서
Request for Amendment		 2010.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0094075-60
7 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2010.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0104378-79
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0559949-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
평행하게 정렬된 나노선의 제조방법으로서, 단결정 기판을 경사지게 절단하고 열처리하여 테라스를 형성한 후, 상기 테라스가 형성된 기판에 나노선을 형성하는 물질을 증착하여 상기 테라스의 모서리에 나노선이 형성되도록 하며, 상기 증착시 타겟과 기판의 사이의 중심에 쉐도우마스크(shadow mask)를 배치함으로써, 나노점의 생성을 막고 나노선의 두께를 조절할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 나노선의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 테라스는 Al2O3 단결정의 (001)면에서 0
3 3
나노선을 이용한 센서 구조의 제조방법으로서, (a) 기판상에 테라스를 형성하는 단계; (b) 테라스가 형성되어 있는 기판상에 나노선을 형성하는 물질을 증착하여 테라스의 모서리에 나노선들이 평행하게 정렬되어 형성되도록 하는 단계; 및 (c) 평행하게 정렬되어 형성된 나노선들의 단부에 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 구조의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 나노선을 형성하는 물질의 증착시 타겟과 기판의 사이에 쉐도우마스크를 배치하여 증착하는 것을 특징으로 하는 센서 구조의 제조방법
5 5
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 기판은 알루미나인 것을 특징으로 하는 센서 구조의 제조방법
6 6
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 나노선을 형성하는 물질은 반도체인 것을 특징으로 하는 센서 구조의 제조방법
7 7
제 3 항 또는 제 4 항에 기재된 방법에 의해 형성된 센서 구조를 이용한 센서소자
8 8
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 방법에 의해 형성된 나노선을 이용한 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.