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집속이온빔을 이용한 저손상 대면적 원자침 분석용 시편 제작방법

  • 기술번호 : KST2015169213
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 집속이온빔(Focused Ion Beam)을 이용한 3차원 원자침(3-D Atom Probe)분석용 시편 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 웨이퍼 기반의 박막 시료를 원자침 분석용 시편으로 제작함에 있어서 Ga 이온에 의한 시편 손상을 최소화하고 종횡비를 크게 함으로써, 신뢰성과 안정성이 있는 원자침 분석을 가능하게 하는 시편 제작 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따른 원자침 분석용 시편 제작방법은, 박막 시편상에 제 1 금속 캡핑층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 금속 캡핑층 상에 제 2 금속 캡핑층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 및 제 2 금속 캡핑층이 형성된 박막 시편을 포스트에 고정한 후, 집속이온빔을 환형마스크에 통과시켜 상기 박막 시편의 반경이 일정 크기 이하가 될 때까지 밀링하는 1차 밀링단계 및 상기 1차 밀링 후 상기 환형마스크의 내부 마스크를 제거한 후 밀링하는 2차 밀링 단계를 통해, 상기 박막 시편의 첨단 반경이 20nm 이하가 되도록 하는 것을 특징으로 한다. 3차원 원자탐침, 3D-AP, FIB, 게이트 산화막, 보론 거동
Int. CL G01N 1/00 (2006.01) G01N 1/28 (2006.01)
CPC G01N 1/286(2013.01)G01N 1/286(2013.01)G01N 1/286(2013.01)
출원번호/일자 1020080103256 (2008.10.21)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1062794-0000 (2011.08.31)
공개번호/일자 10-2010-0043979 (2010.04.29) 문서열기
공고번호/일자 (20110906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구길호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 양요셉 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 박찬경 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0730772-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2010-0008964-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0415291-65
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0751680-68
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0832882-17
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0832872-50
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0080378-15
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0158613-55
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0158611-64
11 등록결정서
Decision to grant
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0298035-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
집속이온빔(FIB)을 이용하여 박막의 원자침 분석용 시편을 제작하는 방법으로서, 박막 시편상에 제 1 금속 캡핑층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 금속 캡핑층 상에 제 2 금속 캡핑층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 및 제 2 금속 캡핑층이 형성된 박막 시편을 포스트에 고정한 후, 집속이온빔을 내경이 0nm보다 크게 조절된 환형마스크에 통과시켜 상기 박막 시편의 반경이 일정 크기 이하가 될 때까지 밀링하는 1차 밀링단계 및, 상기 환형마스크의 내부 마스크를 제거한 후 밀링하는 2차 밀링단계를 통해, 상기 박막 시편의 첨단 반경이 20nm 이하가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 원자침 분석용 시편 제작방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 1차 밀링단계에 있어서, 환형마스크의 내경을 순차적으로 줄여가면서 밀링하는 것을 특징으로 하는 원자침 분석용 시편 제작방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 2차 밀링단계에 있어서, 1차 밀링단계보다 시편의 높이를 낮추는 것을 특징으로 하는 원자침 분석용 시편 제작방법
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 금속 캡핑층은 증발전계가 45V/nm 이하인 금속으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 원자침 분석용 시편 제작방법
5 5
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 금속 캡핑층은 집속이온빔 장치로 증착가능한 금속으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 원자침 분석용 시편 제작방법
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제 3 항에 있어서, 시편의 높이를 낮추는 범위는 1 ~ 2㎛로 하는 것을 특징으로 하는 원자침 분석용 시편 제작방법
7 7
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막은 실리콘 기판상에 형성된 박막인 것을 특징으로 하는 원자침 분석용 시편 제작방법
8 8
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막 시편의 하부 직경(b)이 100nm 이하가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 원자침 분석용 시편 제작방법
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