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선택적 에피 성장과 블록공중합체 나노템플레이트를 이용한나노점의 제조방법 및 이에 의한 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015169227
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기조립 블록공중합체 나노템플레이트를 실리콘 기판의 산화막 상에 형성하고 산화막을 건식식각하여 블록공중합체 나노템플레이트의 나노패턴을 산화막에 이전한 후, 나노패턴이 이전된 실리콘 산화막을 이용한 실리콘 게르마늄의 선택적 에피 성장을 통해 균일하고 정렬도가 높은 나노점을 대면적으로 제조할 수 있는 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 형성된 나노점은 메모리 소자, 광소자 등에 직접적으로 이용할 수 있다. 나노점, 실리콘 게르마늄, 블록공중합체, 선택적 에피 성장
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02639(2013.01) H01L 21/02639(2013.01) H01L 21/02639(2013.01)
출원번호/일자 1020080101003 (2008.10.15)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0991861-0000 (2010.10.28)
공개번호/일자 10-2010-0041946 (2010.04.23) 문서열기
공고번호/일자 (20101104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.15)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황인찬 대한민국 경기도 시흥시
2 김형준 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 박상준 대한민국 경상남도 남해군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0716851-55
2 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0328105-73
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
나노점을 형성하는 방법으로, (a) 산화막이 형성된 실리콘 기판상에 블록공중합체의 자기조립을 통해 다수의 구멍이 형성된 제 1 나노템플레이트를 형성하는 단계; (b) 블록공중합체 나노템플레이트의 구멍 바닥을 식각하여 기판상의 산화막에 상기 블록공중합체 나노템플레이트의 나노패턴이 상기 산화막에 전사되도록 함으로써 제 2 나노템플레이트가 형성되도록 하는 단계; (c) 상기 제 1 나노템플레이트를 제거하는 단계; (d) 실리콘 게르마늄의 선택적 에피 성장을 통해 실리콘 기판이 노출된 상기 제 2 나노템플레이트의 구멍 바닥으로부터 실리콘 게르마늄이 성장되도록 하는 단계; 및 (e) 상기 제 2 나노템플레이트를 제거하는 단계;를 포함하는 나노점의 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계의 블록공중합체의 자기조립 과정의 공정 조건의 제어를 통해, 형성되는 제 1 나노템플레이트의 구멍의 크기와 간격, 길이를 조절함으로써, 최종적으로 형성되는 나노점의 크기, 밀도를 조절하는 것을 특징으로 하는 나노점의 형성방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계의 식각은 건식식각을 사용하며, 상기 실리콘의 산화막이 제거되어 실리콘층이 노출될 때까지 실시하는 것을 특징으로 하는 나노점의 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계의 제 1 나노템플레이트는 건식식각 방법에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 나노점의 형성방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계의 선택적 에피 성장 시간의 조절을 통해 형성되는 나노점의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 나노점의 형성방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계의 실리콘 게르마늄 대신에 실리콘 또는 게르마늄의 선택적 에피 성장을 통해, 실리콘 또는 게르마늄의 나노점을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노점의 형성방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계의 실리콘 게르마늄의 선택적 에피 성장은, 초고진공 화학적 기상 증착법 중 염소(Cl2)을 흘려줌으로써 산화 실리콘 영역에서의 실리콘 게르마늄의 성장 억제에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노점의 형성방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계의 실리콘 게르마늄의 선택적 에피 성장 온도는 500 ~ 550℃로 하는 것을 특징으로 하는 나노점의 형성방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계의 실리콘 게르마늄의 선택적 에피 성장시, 실리콘 소스와 게르마늄 소스의 비율을 조절하여, 형성된 실리콘 게르마늄 나노점의 게르마늄 농도를 조절하는 것을 특징으로 하는 나노점의 형성방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 (e) 단계의 제 2 나노템플레이트의 제거는 기판을 BOE 용액에 침지시켜 실리콘 산화물만을 선택적으로 제거하는 방법을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노점의 형성방법
11 11
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 형성된 나노점을 사용한 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.