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기판 상에 위치하는 캐소드전극;상기 캐소드전극 상에 위치하는 발광층;상기 캐소드전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 전자주입층;상기 발광층 상에 위치하는 애노드전극; 및상기 발광층과 상기 애노드전극 사이에 위치하는 정공수송층, 유기정공주입층 및 금속산화물정공주입층을 포함하며,상기 유기정공주입층은,상기 정공수송층과 상기 금속산화물정공주입층 사이에 위치하는 제1유기정공주입층과,상기 금속산화물정공주입층과 상기 애노드전극 사이에 위치하는 제2유기정공주입층을 포함하는 유기전계발광표시장치
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제1항에 있어서,상기 금속산화물정공주입층은,CeO2(산화 세륨), CuO(산화 구리), V2O5(산화 바나듐), SnO2(산화 주석), AgO(산화 은), MoO3(산화 몰리브데늄), WO3(산화 텅스텐), NiO(산화 니켈)을 포함하는 유기전계발광표시장치
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제1항에 있어서,상기 캐소드전극은 Al(알루미늄)으로 구성되고,상기 전자주입층은 LiF(리튬 플로라이드)로 구성되고,상기 발광층은 Alq3((tris(8-hydroxyquinolino)aluminum))로 구성되고,상기 정공수송층은 a-NPD(4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)로 구성되고,상기 제1 및 제2유기정공주입층 중 적어도 하나는 CuPc(copper phthalocyanine)로 구성되고,상기 애노드전극은 Au(금)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치
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기판 상에 위치하는 캐소드전극을 형성하는 단계;상기 캐소드전극 상에 전자주입층을 형성하는 단계;상기 전자주입층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상에 유기정공주입층을 형성하는 단계;상기 유기정공주입층 상에 금속산화물정공주입층을 형성하는 단계; 및상기 금속산화물정공주입층 상에 애노드전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 유기정공주입층은,상기 정공수송층과 상기 금속산화물정공주입층 사이에 위치하는 제1유기정공주입층과,상기 금속산화물정공주입층과 상기 애노드전극 사이에 위치하는 제2유기정공주입층을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 금속산화물정공주입층은,CeO2(산화 세륨), CuO(산화 구리), V2O5(산화 바나듐), SnO2(산화 주석), AgO(산화 은), MoO3(산화 몰리브데늄), WO3(산화 텅스텐), NiO(산화 니켈)을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 금속산화물정공주입층의 두께는,5 Å ~ 100 Å인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 금속산화물정공주입층은,RF 스퍼터, DC 스퍼터, 전자선 증착법 및 열증착법 중 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 캐소드전극의 표면에 질화물층이 형성되도록 질소 플라즈마 처리를 하는 단계와,상기 금속산화물정공주입층의 일함수가 커지도록 산소 플라즈마 처리를 하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속산화물정공주입층은,CeO2(산화 세륨), CuO(산화 구리), SnO2(산화 주석), AgO(산화 은) 및 NiO(산화 니켈) 중 하나를 포함하는 유기전계발광표시장치
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