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발광 구조를 갖는 반도체층;
상기 반도체층 상에 형성된 나노 도트층, 접촉층, 확산 방지층 및 캡핑층을 구비하는 오믹 전극; 을 포함하고,
상기 나노 도트층은 상기 반도체층의 질소 극성면 상에 형성되고, Ag, Al, Au 중 적어도 하나의 물질로 형성되며,
상기 접촉층은 Ti, Ti-Al 합금, Ti-Ni 합금, Ta, Al, W, W-Ti 합금 중 적어도 하나의 물질로 형성되고,
상기 확산 방지층은 Cr, Ru, Pt, Ni, Pd, Ir, Rh, Nb 중 적어도 하나의 금속층, 또는 RuOx, NiOx, IrOx, RhOx, NbOx, TiOx, TaOx, CrOx 중 적어도 하나의 산화막으로 형성되고,
상기 캡핑층은 Au, Al 중 적어도 하나의 물질로 형성되는 반도체 발광 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 나노 도트층은 Ag를 증착한 후 질소 분위기에서 열처리하여 형성한 나노 크기의 Ag 도트들로 이루어진 반도체 발광 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 나노 도트층은 5Å 내지 50Å의 두께로 형성되는 반도체 발광 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 접촉층은 Ti, 상기 확산 방지층은 Cr, 캡핑층은 Au로 형성되는 반도체 발광 소자
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5
청구항 1에 있어서,
상기 접촉층은 1Å 내지 1000Å의 두께로 형성되는 반도체 발광 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 확산 방지층은 1000Å 내지 3000Å의 두께로 형성되는 반도체 발광 소자
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7
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반도체층은 n형층, 활성층 및 p형층을 포함하고,
상기 오믹 전극은 상기 n형층의 질소 극성면 상에 형성되는 반도체 발광 소자
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8
발광 구조를 갖는 반도체층을 형성하는 단계;
상기 반도체층의 질소 극성면 상에 나노 도트층을 형성하는 단계; 및
상기 나노 도트층 상에 접촉층, 확산 방지층 및 캡핑층을 구비하는 오믹 전극을 형성하는 단계; 를 포함하고,
상기 나노 도트층은 Ag, Al, Au 중 적어도 하나의 물질로 형성하고,
상기 접촉층은 Ti, Ti-Al 합금, Ti-Ni 합금, Ta, Al, W, W-Ti 합금 중 적어도 하나의 물질로 형성하고,
상기 확산 방지층은 Cr, Ru, Pt, Ni, Pd, Ir, Rh, Nb 중 적어도 하나의 금속층, 또는 RuOx, NiOx, IrOx, RhOx, NbOx, TiOx, TaOx, CrOx 중 적어도 하나의 산화막으로 형성하고,
상기 캡핑층은 Au, Al 중 적어도 하나의 물질로 형성하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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청구항 8에 있어서,
상기 나노 도트층은 상기 반도체층의 질소 극성면 상에 Ag을 증착한 후 이를 질소 분위기에서 열처리하여 형성하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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10
청구항 8에 있어서,
상기 접촉층은 Ti, 상기 확산 방지층은 Cr, 캡핑층은 Au로 형성하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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11
청구항 8에 있어서,
상기 오믹 전극의 형성 전에 상기 반도체층에 대한 표면 처리를 실시하는 단계; 를 더 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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청구항 11에 있어서,
상기 표면 처리 단계는,
왕수 수용액에 상기 반도체 표면을 담근 다음 탈 이온수로 세척하는 단계;
상기 반도체 표면을 질소로 건조시키는 단계; 를 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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