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상부 표면이 N-면(face)인 발광 구조체; 및상기 발광 구조체 상에 위치하는 오믹 전극 구조체를 포함하고,상기 오믹 전극 구조체는,상기 발광 구조체의 N-면 상에 위치하는 접촉층;상기 접촉층 상에 위치하는 Al 보호층;상기 접촉층과 상기 발광 구조체의 N-면 사이에 개재된 하부 확산 방지층; 및상기 접촉층과 Al 보호층 사이에 개재된 상부 확산 방지층을 포함하고,상기 하부 확산 방지층은 상기 N-면인 상부 표면에 접하는 반도체 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 하부 확산 방지층은 Mo 및 W 중 적어도 하나의 물질을 포함하고,상기 접촉층은 Ti, TiN, Ti-Ni 합금, Ta, 및 W-Ti 합금 중 적어도 하나의 물질을 포함하고,상기 상부 확산 방지층은 W, Cr, Ru, Pt, Ni, Pd, Ir, Rh 및 Nb 중 적어도 하나의 금속층을 포함하거나, 또는 RuOx, NiOx, IrOx, RhOx, NbOx, TiOx, TaOx, CrOx 및 WOx 중 적어도 하나의 산화막을 포함하는 반도체 발광 소자
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청구항 2에 있어서,상기 하부 확산 방지층은 Mo층 또는 W층을 포함하는 반도체 발광 소자
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청구항 2에 있어서,상기 접촉층은 Ti층을 포함하는 반도체 발광 소자
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청구항 2에 있어서,상기 접촉층은 Ti를 포함하고, 상기 상부 확산 방지층은 W을 포함하는 반도체 발광 소자
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6
청구항 2에 있어서,상기 하부 확산 방지층은 1Å 내지 10Å의 범위 내의 두께를 갖는 반도체 발광 소자
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7
청구항 2에 있어서,상기 접촉층은 10Å 내지 50Å의 범위 내의 두께를 갖는 반도체 발광 소자
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8
청구항 2에 있어서,상기 상부 확산 방지층은 100Å 내지 1000Å의 범위 내의 두께를 갖는 반도체 발광 소자
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9
청구항 1 내지 청구항 8의 어느 한 항에 있어서,상기 발광 구조체는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하고,상기 오믹 전극 구조체는 상기 n형 반도체층 상에 위치하는 반도체 발광 소자
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10
청구항 9에 있어서,상기 p형 반도체층에 접촉하는 오믹 전극을 더 포함하는 반도체 발광 소자
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상부 표면이 N-면(face)인 발광 구조체를 형성하고;상기 발광 구조체의 N-면 상에 하부 확산 방지층, 접촉층, 상부 확산 방지층 및 Al 보호층을 구비하는 오믹 전극 구조체를 형성하는 것을 포함하되,상기 하부 확산 방지층은 상기 N-면인 상부 표면에 접하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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12
청구항 11에 있어서,상기 하부 확산 방지층은 Mo 및 W 중 적어도 하나의 물질을 포함하고,상기 접촉층은 Ti, TiN, Ti-Ni 합금, Ta 및 W-Ti 합금 중 적어도 하나의 물질을 포함하고,상기 상부 확산 방지층은 W, Cr, Ru, Pt, Ni, Pd, Ir, Rh 및 Nb 중 적어도 하나의 금속층을 포함하거나, 또는 RuOx, NiOx, IrOx, RhOx, NbOx, TiOx, TaOx, CrOx 및 WOx 중 적어도 하나의 산화막을 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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13
청구항 12에 있어서,상기 접촉층은 Ti를 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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청구항 13에 있어서, 상기 상부 확산 방지층은 W을 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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청구항 11에 있어서,상기 오믹 전극 구조체를 형성하기 전에, 상기 발광 구조체를 표면 처리하는 것을 더 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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청구항 15에 있어서,상기 표면 처리는,왕수 수용액에 상기 발광 구조체의 표면을 담근 다음 탈 이온수로 세척하고;상기 발광 구조체의 표면을 질소를 이용하여 건조시키는 것을 포함하는 반도체 발광 소자 제조 방법
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17
청구항 11에 있어서,상기 오믹 전극 구조체를 열처리하는 것을 더 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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청구항 17에 있어서,상기 열처리는 150℃ 내지 600℃의 온도 범위에서 수행되는 반도체 발광 소자 제조 방법
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