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기판, 절연막, 활성층 및 전극을 포함하는 비휘발성 메모리 소자에 있어서, 상기 활성층이 하기 화학식 1의 아닐린계 고분자 화합물을 포함함을 특징으로 하는, 비휘발성 메모리 소자:화학식 1상기 식에서,R1 및 R3은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로, 수소, 하이드록실기, 카르복실기, 할로겐 원자, 할라이드, C1-50알킬기, C1-50알콕시기, C1-50알킬카르복실기, C1-50알킬에스터기, C1-50알킬하이드록실기, 니트로C1-50알킬기, 시아노C1-50알킬기, 할로C1-50알킬기, 옥시할로C1-50알킬기, 니트로C1-50알킬기, 시아노할로C1-50알킬기, 페닐기, 아미노아릴기, 옥시아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 옥시할로C1-50알킬아릴기, 할로C1-50알킬아릴기, 니트로할로C1-50알킬아릴기 및 시아노할로C1-50알킬아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고(단, R1과 R3이 동시에 수소는 아님),R2 및 R4는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 아미노 또는 이미노이고,x 및 y는 몰분율로서 각각 0<x≤1
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제 1 항에 있어서,R1 및 R3가 -H, -OH, -Cl, -Br, -F, -CN, -NO2, -COOH, -CH2, -OCH3, -CH2OCH3, -CH2OH, -CH2COOCH3, -Ph 및 -CH2Ph-로 이루어진 군으로부터 선택되는, 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,아닐린계 고분자 화합물의 중량평균 분자량이 1,000 내지 500,000인, 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,아닐린계 고분자 화합물의 고유 점도가 0
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제 1 항에 있어서,아닐린계 고분자 화합물이 산 도핑제로 도핑된 것인, 비휘발성 메모리 소자
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제 5 항에 있어서,도핑제가 황산, 염산, 인산, 질산, 도데실벤젠설폰산, 캠포설폰산, 설포살리실산, 톨루엔설폰산, 벤젠설폰산, 설퍼민산, 나프탈렌설폰산, 4-설포프탈산, 말론산, 또는 이들의 혼합물, 또는 나프탈렌설폰산, 디메틸설페이트, 디에틸설페이트, 디프로필설페이트, 디(2-에틸헥실)설포석시네이트, 또는 이들의 혼합물인, 비휘발성 메모리 소자
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제 5 항에 있어서,아닐린계 고분자 화합물의 단량체 대 도핑제의 당량 비가 0
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제 1 항에 있어서,활성층의 두께가 1 내지 1000nm인, 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,구동전압이 -2
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