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미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 미세 채널 트랜지스터 및 미세 채널 발광트랜지스터의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015169366
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 따라 미세 패턴 형성 방법이 제공된다. 상기 미세 패턴 형성 방법은 기판 위에 원형 또는 타원형의 단면을 가지고 있는 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴이 형성된 상기 기판의 전면(全面) 위에 물질층을 형성하는 단계; 및 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴이 형성되지 않은 부분의 상기 물질층만 남도록 상기 기판으로부터 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 제거하는 단계; 를 포함한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020110100763 (2011.10.04)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1407209-0000 (2014.06.05)
공개번호/일자 10-2012-0037882 (2012.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100097996   |   2010.10.07
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.04)
심사청구항수 34

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민성용 대한민국 광주광역시 동구
2 김태식 대한민국 경기도 하남시 신
3 이태우 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0773525-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.08.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0066961-36
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0272933-71
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0242059-80
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0505612-29
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0615915-50
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0615924-61
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0763133-92
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0001415-99
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0001401-50
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
14 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0333592-40
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 원형 또는 타원형의 단면을 가지고 있는 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴이 형성된 상기 기판의 전면(全面) 위에 물질층을 형성하는 단계; 및 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴이 형성되지 않은 부분의 상기 물질층만 남도록 상기 기판으로부터 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴의 형성은, 유기 또는 유무기 하이브리드 재료를 증류수 또는 유기 용매 중에 혼합한 유기 용액을 토출하는 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 이용하여 와이어 형태로 형성하며, 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 환풍기가 구비된 하우징 내에 배치하고 상기 환풍기를 이용하여 상기 하우징 내의 증기압을 조절하여서 용매의 증발 속도를 조절하는 것을 포함하는 것인,미세 패턴 형성 방법
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서, 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터는:토출용 용액을 공급하는 용액 저장 장치, 상기 용액 저장 장치로부터 공급받은 용액을 토출하는 노즐, 상기 노즐에 고전압을 인가하는 전압 인가 장치, 상기 노즐에서 토출되어 형성된 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어가 정렬되는, 편평하고 이동가능한 콜렉터, 상기 콜렉터 밑에 설치되어 상기 콜렉터를 x-y 방향(수평 방향)으로 움직일 수 있는 로봇 스테이지(Robot Stage), z 방향(수직방향)으로 상기 노즐과 상기 콜렉터 사이의 거리를 조절하는 마이크로 거리 조절기, 및 상기 콜렉터의 평면도를 유지하고 상기 로봇 스테이지의 작동 중 발생하는 진동을 억제하도록 상기 로봇 스테이지 밑에 위치한 석정반을 포함하는 것인,미세 패턴 형성 방법
4 4
제3 항에 있어서, 상기 노즐과 상기 콜렉터 사이의 거리는 10㎛ 내지 20㎜ 의 범위에 있는 미세 패턴 형성 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 형성하는 단계는, 유기 또는 유무기 하이브리드 재료를 증류수 또는 유기 용매 중에 혼합하여 유기 용액을 준비하는 단계; 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터의 상기 용액 저장 장치 내에 상기 유기 용액을 담는 단계; 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터의 상기 전압 인가 장치를 통하여 상기 노즐에 고전압을 인가하면서 상기 노즐로부터 상기 용액 저장 장치 내의 상기 유기 용액을 토출시키는 단계; 및 상기 노즐로부터 토출되는 상기 유기 용액으로부터 형성되는 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어를 상기 콜렉터를 이동하면서 상기 콜렉터 위의 상기 기판 위에 정렬시키는 단계; 를 포함하는 미세 패턴 형성 방법
6 6
제5 항에 있어서, 상기 유기 재료는 유기 저분자 반도체, 유기 고분자 반도체, 전도성 고분자, 절연성 고분자 또는 이들의 혼합물을 포함하는 미세 패턴 형성 방법
7 7
제6 항에 있어서, 상기 유기 재료는 6,13-비스(트리아이소프로필실릴에티닐)펜타센(6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene), 트리에틸실릴에티닐 안트라디타이오펜(triethylsilylethynyl anthradithiophene: TES ADT) 및 [6,6]-페닐 C61 부티르산메틸에스테르([6,6]-phenyl C61 butyric acid methyl ester: PCBM)을 포함하는 군으로부터 선택되는 유기 저분자 반도체 재료, polythiophene,P3HT(Poly(3-hexylthiophene)), PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), PVK(Poly(9-vinylcarbazole)) 또는 이의 유도체, 폴리(p-페닐렌 비닐렌)(poly(p-phenylene vinylene) 또는 이의 유도체, 폴리플루오렌(polyfluorene) 또는 이의 유도체, poly(spiro fluorine) 또는 이의 유도체, 폴리아닐린(polyaniline) 또는 이의 유도체 및 폴리피롤(polypyrrole) 또는 이의 유도체를 포함하는 군으로부터 선택되는 유기 고분자 반도체 또는 전도성 고분자 재료, 또는 PEO(Polyethylene oxide), PS(Polystyrene), PCL(Polycaprolactone), PAN(Polyacrylonitrile), PMMA(Poly(methyl methacrylate)), 폴리이미드(Polyimide), PVDF(Poly(vinylidene fluoride)) 및 PVC(Polyvinylchloride)를 포함하는 군으로부터 선택되는 유기 절연성 고분자를 포함하는 미세 패턴 형성 방법
8 8
제5 항에 있어서, 상기 유무기 하이브리드 재료는 나노 크기의 입자, 와이어, 리본(ribbon), 막대(rod) 형태를 갖는 반도체, 금속, 금속 산화물, 금속 또는 금속 산화물의 전구체(precursor), 탄소나노튜브(CNT), 환원된 그래핀 산화물(reduced graphene oxide), 그래핀(graphene), 그래핀 양자점, 그래핀 나노리본, 그래파이트(graphite) 또는 나노크기의 화합물 반도체 입자가 중심(core)을 이루는 양자점을 적어도 하나 이상을 포함하는 미세 패턴 형성 방법
9 9
제1 항에 있어서, 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴은 10㎚ 내지 100㎛ 의 직경을 갖는 미세 패턴 형성 방법
10 10
제1 항에 있어서, 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴은 무작위 패턴 또는 정렬 패턴을 갖는 미세 패턴 형성 방법
11 11
제10 항에 있어서, 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어의 정렬 패턴은 2 개 이상의 평행인 와이어들이 이루는 각도가 0° 내지 10° 의 각도 오차 범위을 갖는 미세 패턴 형성 방법
12 12
제10 항에 있어서, 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어의 정렬 패턴은 각 와이어의 직경에 대해 0 % 내지 10 % 의 범위에서 직진도(straightness)를 갖는 미세 패턴 형성 방법
13 13
제1 항에 있어서, 상기 물질층은 금속, 반도체 무기물, 전도성 무기물, 절연성 무기물, 유기 고분자 반도체, 유기 저분자 반도체, 유기 전도성 고분자, 유기 절연성 고분자 또는 이들의 혼합물을 포함하는 미세 패턴 형성 방법
14 14
제13 항에 있어서, 상기 물질층은 금, 백금, 은, 니켈, 구리, 알루미늄, 타이타늄, 코발트, 철, 텅스텐, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 몰리브덴, 카드뮴, 바나듐, 크롬, 아연, 인듐, 이트륨, 리튬, 주석, 납 및 이들의 합금을 포함하는 군으로부터 선택되는 금속 또는 전도성 무기물, p- 또는 n- 도핑된 실리콘, 산화 아연, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물(ITO), 또는 인듐 아연 산화물(IZO), 아연 산화물 (ZnO), 실리콘 및 게르마늄을 포함하는 군으로부터 선택되는 반도체 무기물, SiO2및 SiN을 포함하는 군으로부터 선택되는 절연성 무기물, P3HT(poly 3-hexylthiophene), P3OT(poly 3-octlythiophene), PBT(poly butylthiopehene), PEDOT(polyethylenedioxythiophene)/ PSS(polystyrenesulfonate), F8T2(poly(9,9'-dioctylfluorene-co-bithiophene)), 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene) 또는 이의 유도체, PTV(poly(thienylene vinylene)) 또는 이의 유도체,　 폴리아세틸렌(polyacetylene) 또는 이의 유도체, 폴리아닐린(polyaniline) 또는 이의 유도체, 폴리피롤(polypyrrole) 또는 이의 유도체, 및 폴리플로렌(polyfluorene) 또는 이의 유도체를 포함하는 군으로부터 선택되는 유기 고분자 반도체 또는 유기 전도성 고분자, TIPS 펜타센(triisopropylsilylethynyl pentacene), 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 및 루브렌(rubrene), α-6T(alpha-hexathienylene)을 포함하는 군으로부터 선택되는 유기 저분자 반도체, 또는 PEO(Polyethylene oxide), PS(Polystyrene), PCL(Polycaprolactone), PAN(Polyacrylonitrile), PMMA(Poly(methyl methacrylate)), Polyimide, PVDF(Poly(vinylidene fluoride)) 및 PVC(Polyvinylchloride)을 포함하는 군으로부터 선택되는 유기 절연성 고분자 및 이들의 혼합물을 포함하는 미세 패턴 형성 방법
15 15
제1 항에 있어서, 상기 기판으로부터 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 제거하는 단계는 접착성 테이프를 사용하여 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 들어올리는(lift off) 단계를 포함하는 미세 패턴 형성 방법
16 16
제1 항에 있어서, 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 제거하는 단계는 상기 물질층이 증착된 상기 기판을 음파 처리용 유기 용매 내에 담그고 상기 음파 처리용 유기 용매를 고주파로 음파 처리(sonication)하는 단계를 포함하는 미세 패턴 형성 방법
17 17
제1 항 및 제10 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어의 정렬 패턴을 이용하여 형성된 상기 미세 패턴은 10㎚ 내지 100㎝의 폭을 갖는 미세 패턴 형성 방법
18 18
기판 위에 패턴형성층을 형성하는 단계; 상기 기판 위에 원형 또는 타원형의 단면을 가지고 있는 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 식각 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 패턴형성층을 식각하는 단계; 및 상기 기판으로부터 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 식각 마스크 패턴을 선택적으로 제거하는 단계; 를 포함하고,상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 식각 마스크 패턴의 형성은, 유기 또는 유무기 하이브리드 재료를 증류수 또는 유기 용매 중에 혼합한 유기 용액을 토출하는 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 이용하여 와이어 형태로 형성하며, 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 환풍기가 구비된 하우징 내에 배치하고 상기 환풍기를 이용하여 상기 하우징 내의 증기압을 조절하여서 용매의 증발 속도를 조절하는 것을 포함하는 것인,미세 패턴 형성 방법
19 19
삭제
20 20
제18 항에 있어서, 상기 패턴형성층은 금속, 전도체, 유기 반도체, 무기 반도체, 나노크기의 산화물 반도체 입자가 중심(core)을 이루는 양자점 반도체, 유기 절연체, 무기 절연체 물질 및 풀러렌(fullerene)을 포함하는 군으로부터 선택된 물질로 형성되는 0차원 소재, 반도체 리본, 금속 나노 리본, 탄소나노튜브, 반도체 나노와이어 및 금속 나노와이어을 포함하는 군으로부터 선택되는 1차원 소재, 그래핀, MoS2 및 육방정계(hexagonal) BN을 포함하는 군으로부터 선택되는 물질로 형성되는 2차원 소재, 또는 유기 재료, 고분자 재료, 무기 재료 및 유무기 하이브리드 재료를 포함하는 군으로부터 선택되는 전도체, 반도체 또는 절연체 특성을 지니는 박막 또는 패턴, 또는 포토레지스트 패턴을 포함하는 미세 패턴 형성 방법
21 21
제18 항에 있어서, 상기 패턴형성층을 식각하는 단계는 가스 플라즈마 식각 공정, 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 공정 또는 이온 빔 밀링(ion beam milling) 공정을 포함하는 건식 식각(dry etching) 공정, 또는 습식 식각(wet etching) 공정을 사용하는 미세 패턴 형성 방법
22 22
삭제
23 23
기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 위에 원형 또는 타원형의 단면을 가지고 있는 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 및 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴 위에 소스 전극 및 드레인 전극용 물질층을 형성하는 단계;상기 기판으로부터 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 리프트 오프하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 활성층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴의 형성은, 유기 또는 유무기 하이브리드 재료를 증류수 또는 유기 용매 중에 혼합한 유기 용액을 토출하는 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 이용하여 와이어 형태로 형성하며, 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 환풍기가 구비된 하우징 내에 배치하고 상기 환풍기를 이용하여 상기 하우징 내의 증기압을 조절하여서 용매의 증발 속도를 조절하는 것을 포함하는 것인,바텀-게이트(bottom-gate) 구조의 미세 채널 트랜지스터의 형성 방법
24 24
기판 위에 원형 또는 타원형의 단면을 가지고 있는 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴 위에 소스 전극 및 드레인 전극용 물질층을 형성하는 단계;상기 기판으로부터 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 리프트 오프하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴의 형성은, 유기 또는 유무기 하이브리드 재료를 증류수 또는 유기 용매 중에 혼합한 유기 용액을 토출하는 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 이용하여 와이어 형태로 형성하며, 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 환풍기가 구비된 하우징 내에 배치하고 상기 환풍기를 이용하여 상기 하우징 내의 증기압을 조절하여서 용매의 증발 속도를 조절하는 것을 포함하는 것인,탑-게이트(top-gate) 구조의 미세 채널 트랜지스터의 형성 방법
25 25
삭제
26 26
제23항 또는 제24항에 있어서, 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 형성하는 단계는,유기 또는 유무기 하이브리드 재료를 증류수 또는 유기 용매 중에 혼합하여 유기 용액을 준비하는 단계; 토출용 용액을 공급하는 용액 저장 장치, 상기 용액 저장 장치로부터 공급받은 용액을 토출하는 노즐, 상기 노즐에 고전압을 인가하는 전압 인가 장치, 상기 노즐에서 토출되어 형성된 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어가 정렬되는, 편평하고 이동가능한 콜렉터, 상기 콜렉터 밑에 설치되어 상기 콜렉터를 x-y 방향(수평 방향)으로 움직일 수 있는 로봇 스테이지(Robot Stage), z 방향(수직방향)으로 상기 노즐과 상기 콜렉터 사이의 거리를 조절하는 마이크로 거리 조절기, 및 상기 콜렉터의 평면도를 유지하고 상기 로봇 스테이지의 작동 중 발생하는 진동을 억제하도록 상기 로봇 스테이지 밑에 위치한 석정반을 포함하는 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터의 상기 용액 저장 장치 내에 상기 유기 용액을 담는 단계; 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터의 상기 전압 인가 장치를 통하여 상기 노즐에 고전압을 인가하면서 상기 노즐로부터 상기 용액 저장 장치 내의 상기 유기 용액을 토출시키는 단계; 및 상기 노즐로부터 토출되는 상기 유기 용액으로부터 형성되는 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어를 상기 콜렉터를 이동하면서 상기 콜렉터 위의 상기 기판 위에 정렬시키는 단계; 를 포함하는 미세 채널 트랜지스터의 형성 방법
27 27
제23 항 또는 제24 항에 있어서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 간격이 10㎚ 내지 100㎛의 범위를 갖는 미세 채널 트랜지스터의 형성 방법
28 28
제23 항 또는 제24 항에 있어서, 상기 활성층은 실리콘, 게르마늄 및 산화아연(ZnO)을 포함하는 군으로부터 선택되는 무기 반도체 재료, P3HT(poly 3-hexylthiophene), P3OT(poly 3-octlythiophene), PBT(poly butylthiopehene) 및 폴리피롤(polypyrrole) 또는 이의 유도체를 포함하는 군으로부터 선택되는 유기 고분자 반도체 재료, 또는 TIPS 펜타센(triisopropylsilylethynyl pentacene), 펜타센(pentacene), 안트라센(anthracene)를 포함하는 군으로부터 선택되는 유기 저분자 반도체 재료를 포함하는 미세 채널 트랜지스터의 형성 방법
29 29
제23 항 또는 제24 항에 있어서, 상기 활성층은 열증착(Thermal evaporation), 전자빔 증착(E-beam evaporation), 원자층 증착(Atomic Layer Depostion), 화학기상 증착 (Chemical Vapor Deposition), 스핀코팅(Spin-coating), 딥코팅(Dip-coating), 드랍캐스팅(Drop-casting) 또는 스퍼터링(Sputtering)에 의하여 형성하는 미세 채널 트랜지스터의 형성 방법
30 30
제23 항 또는 제24 항에 있어서, 상기 활성층을 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 이용하여 유기 와이어 형태로 형성하는 미세 채널 트랜지스터의 형성 방법
31 31
제30 항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계는 활성층 재료를 증류수 또는 유기 용매 중에 혼합하여 활성층 재료 용액을 준비하는 단계; 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터의 상기 용액 저장 장치 내에 상기 활성층 재료 용액을 담는 단계; 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터의 전압 인가 장치를 통하여 상기 노즐에 고전압을 인가하면서 상기 노즐로부터 상기 용액 저장 장치 내의 상기 활성층 재료 용액을 토출시키는 단계; 및 상기 노즐로부터 토출되는 상기 활성층 재료 용액으로부터 형성되는 유기 와이어를 콜렉터를 이동하면서 상기 콜렉터 상의 상기 기판 위에 정렬시키는 단계; 를 포함하는 미세 채널 트랜지스터의 형성 방법
32 32
기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 위에 원형 또는 타원형의 단면을 가지고 있는 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 및 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴 위에 소스 전극 및 드레인 전극용 물질층을 형성하는 단계;상기 기판으로부터 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 리프트 오프하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 발광성 활성층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴의 형성은, 유기 또는 유무기 하이브리드 재료를 증류수 또는 유기 용매 중에 혼합한 유기 용액을 토출하는 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 이용하여 와이어 형태로 형성하며, 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 환풍기가 구비된 하우징 내에 배치하고 상기 환풍기를 이용하여 상기 하우징 내의 증기압을 조절하여서 용매의 증발 속도를 조절하는 것을 포함하는 것인,바텀-게이트(bottom-gate) 구조의 미세 채널 발광트랜지스터의 형성 방법
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기판 위에 원형 또는 타원형의 단면을 가지고 있는 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴 위에 소스 전극 및 드레인 전극용 물질층을 형성하는 단계;상기 기판으로부터 상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴을 리프트 오프하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 발광성 활성층을 형성하는 단계;상기 발광성 활성층 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 유기 와이어 또는 유무기 하이브리드 와이어 마스크 패턴의 형성은, 유기 또는 유무기 하이브리드 재료를 증류수 또는 유기 용매 중에 혼합한 유기 용액을 토출하는 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 이용하여 와이어 형태로 형성하며, 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 환풍기가 구비된 하우징 내에 배치하고 상기 환풍기를 이용하여 상기 하우징 내의 증기압을 조절하여서 용매의 증발 속도를 조절하는 것을 포함하는 것인,탑-게이트(top-gate) 구조의 미세 채널 발광트랜지스터의 형성 방법
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삭제
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제32 항 또는 제33 항에 있어서, 상기 발광성 활성층은 GaAs, AlGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, GaN, InGaN, ZnSe, CdSe, CdTe 및 CdS 을 포함하는 군으로부터 선택되는 무기 발광성 반도체 입자, 양자점, 막대, 와이어, 박막 재료, 폴리(9-비닐카바졸)(Poly(9-vinylcarbazole)) 또는 이의 유도체, F8T2(poly(9,9'-dioctylfluorene-co-bithiophene)) 또는 이의 유도체, F8BT(poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)) 또는 이의 유도체, 폴리(p-페닐비닐렌)(poly(p-phenylenevinylene)) 또는 이의 유도체, 폴리(p-페닐렌)(poly(p-phenylene)) 또는 이들의 유도체, 폴리아닐린(polyaniline) 또는 이의 유도체, 폴리타이오펜(polythiophene) 또는 이의 유도체, 폴리피롤(polypyrrole) 또는 이들의 유도체, 폴리플로렌(polyfluorene) 또는 이의 유도체 및 폴리(스피로-플루오렌)(poly(spiro-fluorene)) 또는 이의 유도체를 포함하는 군으로부터 선택되는 유기 발광성 고분자 반도체 재료, 테트라센(tetracene), 루브렌(rubrene), BP3T(α,ω-Bis(biphenylyl)terthiophene), α-5T(α-quinquethiophene), α-6T(α-sexithiophene) 및 P13(N,N'-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylic　diimide)을 포함하는 군으로부터 선택되는 유기 발광성 저분자 반도체 재료, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 미세 채널 발광트랜지스터의 형성 방법
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제32 항 또는 제33 항 에 있어서, 상기 발광성 활성층은 정공과 전자의 주입을 용이하게 하는 이온성 도펀트(ionic dopant)를 포함하는 미세 채널 발광트랜지스터의 형성 방법
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제36 항에 있어서, 상기 이온성 도펀트(ionic dopant)는 TPABF4(Tetrapropylammonium tetrafluoroborate), TBABF4(Tetrabutylammonium tetrafluoroborate), LiOTf(Lithium trifluoromethanesulfonate), KTf(Potassium trifluoromethanesulfonate) 및 NaTf(Sodium trifluoromethanesulfonate)를 포함하는 군으로부터 선택되는 미세 채널 발광트랜지스터의 형성 방법
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제32 항 또는 제33 항에 있어서, 상기 발광성 활성층은 열증착(Thermal evaporation), 전자빔 증착(E-beam evaporation), 원자층 증착(Atomic Layer Depostion), 화학기상 증착 (Chemical Vapor Deposition), 스핀코팅(Spin-coating), 딥코팅(Dip-coating), 드랍캐스팅(Drop-casting) 또는 스퍼터링(Sputtering)에 의하여 형성하는 미세 채널 발광트랜지스터의 형성 방법
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제32 항 또는 제33 항에 있어서, 상기 발광성 활성층을 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터를 이용하여 유기 와이어 형태로 형성하는 미세 채널 발광트랜지스터의 형성 방법
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1 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 기후변화대응기초원천기술 용액공정을 통한 고효율탠덤유기태양전지구현을 위한 원천기술연구
2 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 일반_신진연구 고효율 및 장수명을 위한 유기 태양 전지의 전하추출층 및 계면 조절 연구
3 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 일반_기본_개인 유기 반도체 나노 와이어 전자 소자 연구 개발