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금속 표면에 자기 조립 분자막을 형성하기 전에 금속 표면을 과산화수소수의 전처리 용액에 침지하여 금속 표면에 금속 수산화막을 형성하는 전처리 단계를 포함하는 자기 조립 분자막 형성에 의한 금속표면처리방법
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금속 표면의 세척 단계;세척된 금속 표면을 과산화수소수의 전처리 용액에 침지하여 금속 표면에 금속 수산화막을 형성하는 전처리 단계;상기 금속 수산화막 위에 자기 조립 분자막을 형성하는 자기 조립 분자막 형성 단계;자기 조립 분자막이 형성된 금속 표면을 세척하는 단계; 및 상기 자기 조립 분자막의 열처리단계를 포함하는 자기 조립 분자막 형성에 의한 금속표면처리방법
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제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 과산화수소수 전처리 용액은 1M 내지 100M 농도임을 특징으로 하는 금속표면처리방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속은 아연, 마그네슘, 구리, 철, 망간, 크롬, 텅스텐, 몰리브덴, 납, 인듐, 칼륨, 칼슘, 티타늄, 탄탈륨, 루테늄, 금, 은, 및 백금으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 금속임을 특징으로 하는 금속표면처리방법
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제 6항에 있어서, 상기 금속은 아연 혹은 마그네슘 금속임을 특징으로 하는 금속표면처리방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전처리 단계는 금속 표면을 0℃ 내지 70℃의 전처리 용액에 침지하여 행함을 특징으로 하는 금속표면처리방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전처리 단계는 금속 표면을 전처리 용액에 1초 내지 1시간 동안 침지하여 행함을 특징으로 하는 금속표면처리방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 자기조립 분자막은 옥타데실트리클로로실란, 부틸트리클로로실란, 3-클로로프로필트리클로로실란, 3-브로모프로필트리클로로실란, 트리클로로(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로옥틸-트리클로로실란, 펜에틸트리클로로실란, 4-(클로로메틸)페닐트리클로로실란, 2-(4-클로로설포닐페닐)에틸트리클로로실란, 헥사노익산, 헵타노익산, 옥탄산, 노나노익산, 데카노익산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 아라키딕산, 12-아미노도데카노익산,1,11-운데칸디카르복시산, 메틸포스폰산, 페닐포스폰산, 옥타데실포스폰산, 및 3-머캅토프로필포스폰산으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종의 자기 조립 분자막 형성물질로 형성됨을 특징으로 하는 금속표면처리방법
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제2항에 있어서, 상기 열처리 단계는 100℃ 내지 200℃에서 1분 내지 30분 동안 행함을 특징으로 하는 금속표면처리방법
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