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반도체층이 형성된 기판을 마련하는 단계;상기 반도체층 상에 Cu, In, Mg, Zn, Sb, Sn, Li, Be, B, Al, Ca, Sr, Ba 및 이들의 합금 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 접합 금속층과, 반사 금속층을 순차적으로 형성하는 단계;열처리 공정을 실시하여 상기 접합 금속층과 상기 반사 금속층을 층반전시켜 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하는 금속 전극 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 접합 금속층은 상기 반사 금속층 보다 밀도가 낮고, 안정한 산화물을 형성할 수 있는 금속을 사용하는 금속 전극 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 반사 금속층으로 Al, Au, Pd, Pt, Rh, Ru, Ir, Ag 및 이들의 합금 금속 중 적어도 어느 하나를 사용하는 금속 전극 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 열처리 공정은 산소 분위기, 대기 분위기, 질소 분위기, 아르곤 분위기, 산소와 질소 혼합 분위기 및 아르곤과 산소 혼합분위기 중 어느 하나의 분위기와, 350 내지 600도의 온도에서 10 내지 1000초간 실시하는 금속 전극 형성 방법
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기판 상에 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 P형 반도체층 상에 접합 금속층 및 반사 금속층을 형성하는 단계;열처리 공정을 실시하여 상기 접합 금속층과 상기 반사 금속층을 층반전시켜 P형 전극을 형성하는 단계;상기 P형 전극 상에 금속 지지층을 부착하는 단계;상기 기판을 제거하는 단계;상기 N형 반도체층 상에 N형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 접합 금속층은 상기 반사 금속층 보다 밀도가 낮고, 안정한 산화물을 형성할 수 있는 금속을 사용하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 접합 금속층으로 Cu, In, Mg, Zn, Sb, Sn, Li, Be, B, Al, Ca, Sr, Ba 및 이들의 합금 금속 중 적어도 어느 하나를 사용하고, 상기 반사 금속층으로 Al, Au, Pd, Pt, Rh, Ru, Ir, Ag 및 이들의 합금 금속 중 적어도 어느 하나를 사용하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 열처리 공정은 산소 분위기, 대기 분위기, 질소 분위기, 아르곤 분위기, 산소와 질소 혼합 분위기 및 아르곤과 산소 혼합분위기 중 어느 하나의 분위기와 350 내지 600도의 온도에서 10 내지 1000초간 실시하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 기판 상에 상기 N형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 P형 반도체층을 형성하는 단계 이후, 상기 P형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 N형 반도체층의 일부를 제거하여 개개의 셀 별로 분리하는 단계를 더 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 기판 상에 상기 N형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 P형 반도체층을 형성하는 단계 이후,상기 P형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 N형 반도체층의 측면을 보호하는 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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청구항 14에 있어서, 상기 P형 전극을 형성하는 단계 이후, 상기 보호막과, 상기 P형 전극을 감싸는 금속 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 기판을 제거하는 단계 이후, 노출된 상기 N형 반도체층 상에 반사 방지막을 형성하는 단계;상기 반사 방지막을 제거하여 상기 N형 전극 형성 영역의 N형 반도체층을 노출하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법
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질화물계 화합물 반도체 발광 소자에 있어서, p형 질화물계 화합물 반도체층과,광반사 특성 및 오믹 특성을 갖고 상기 p형 질화물계 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극을 포함하며, 상기 전극은 열처리를 통한 층반전에 의해 상기 p형 질화물계 화합물 반도체층과 접촉하는 반사 금속층과, 상기 반사 금속층의 상부에 마련되고, 적어도 일부에 산소를 함유하고 있고, Cu, In, Mg, Zn, Sb, Sn, Li, Be, B, Al, Ca, Sr, Ba 및 이들의 합금 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반전 금속층을 포함하는 질화물계 화합물 반도체 발광 소자
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청구항 17에 있어서, 상기 반사 금속층으로 Al, Au, Pd, Pt, Rh, Ru, Ir, Ag 및 이들의 합금 금속 중 적어도 어느 하나를 사용하는 질화물계 화합물 반도체 발광 소자
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