맞춤기술찾기

이전대상기술

고주파용 3-스테이지 질화 갈륨계 고전자 이동도 트랜지스터(GaN HEMT) 도허티 전력증폭기

  • 기술번호 : KST2015169411
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화 갈륨계 고전자 이동도 트랜지스터(GaN HEMT) 전력 소자를 이용하여 넓은 범위에서 높은 효율을 갖도록 한 고주파용 3-스테이지(Three-Stage) GaN HEMT 도허티 전력증폭기에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 캐리어 증폭기 및 제 1, 2 피킹 증폭기를 포함하는 고주파용 3-스테이지(three-stage) 질화 갈륨계 고전자 이동도 트랜지스터(GaN HEMT) 도허티 전력증폭기에 있어서, 상기 캐리어 증폭기와 제 1, 2 피킹 증폭기로 입력 신호를 분배하기 위한 10-dB 전력 분배기; 상기 캐리어 증폭기의 입력 전력을 조절하기 위한 제 1 경로부; 및 넓은 출력 전력 범위에서 높은 효율을 유지시키기 위한 제 2 경로부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H03F 1/07 (2006.01) H03F 3/60 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110016645 (2011.02.24)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1145666-0000 (2012.05.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120525) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.24)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정윤하 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 이문우 대한민국 대구광역시 달서구
3 감상호 대한민국 경상남도 김해시 가락로 **

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0135575-24
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0281940-22
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0005585-02
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.02.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0106167-75
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0132235-36
6 등록결정서
Decision to grant
2012.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0134753-68
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
캐리어 증폭기 및 제 1, 2 피킹 증폭기를 포함하는 고주파용 3-스테이지(three-stage) 질화 갈륨계 고전자 이동도 트랜지스터(GaN HEMT) 도허티 전력증폭기에 있어서, 상기 캐리어 증폭기와 제 1, 2 피킹 증폭기로 입력 신호를 분배하기 위한 10-dB 전력 분배기; 상기 캐리어 증폭기의 입력 전력을 조절하기 위한 제 1 경로부; 및40 dBm에서 50 dBm의 출력 범위에서 40% 이상의 효율을 유지시키기 위한 제 2 경로부를 포함하고,상기 제 2 경로부는 상기 캐리어 증폭기 출력의 λ/4 전송선로를 보상하기 위해 지연선로 앞의 λ/4 전송선로를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 경로부는, 상기 입력 신호의 크기에 따라 상기 캐리어 증폭기를 제어하기 위한 구동 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 경로부는, 수백 mV의 전압 크기를 증폭시켜주는 게이트 바이어스 조절기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 경로부는 상기 캐리어 증폭기를 포함하고, 상기 캐리어 증폭기는 GaN HEMT로 이루어진 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 경로부는, 상기 제 1 피킹 증폭기와 제 2 피킹 증폭기에 같은 크기와 90°만큼 서로 위상차를 만들기 위한 하이브리드 3-dB 전력분배기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 경로부는 상기 제 1 피킹 증폭기를 포함하고, 상기 제 1 피킹 증폭기는 GaN HEMT로 이루어진 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 경로부는 상기 제 2 피킹 증폭기를 포함하고, 상기 제 2 피킹 증폭기는 GaN HEMT로 이루어진 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 캐리어 증폭기, 제 1 피킹 증폭기 및 제 2 피킹 증폭기의 입력과 출력에 각각 입력 정합 회로과 출력 정합 회로가 연결되는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 출력 정합 회로에 출력 λ/4 전송선로가 연결되는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 출력 λ/4 전송선로는 상기 캐리어 증폭기, 제 1 피킹 증폭기 및 제 2 피킹 증폭기에서 사용되는 소자 용량에 따라서 임피던스 값이 달라지는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02493069 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02493069 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05122688 JP 일본 FAMILY
4 JP24178821 JP 일본 FAMILY
5 US08466746 US 미국 FAMILY
6 US20120218044 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2493069 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2493069 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2012178821 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5122688 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2012218044 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US8466746 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.