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캐리어 증폭기 및 제 1, 2 피킹 증폭기를 포함하는 고주파용 3-스테이지(three-stage) 질화 갈륨계 고전자 이동도 트랜지스터(GaN HEMT) 도허티 전력증폭기에 있어서, 상기 캐리어 증폭기와 제 1, 2 피킹 증폭기로 입력 신호를 분배하기 위한 10-dB 전력 분배기; 상기 캐리어 증폭기의 입력 전력을 조절하기 위한 제 1 경로부; 및40 dBm에서 50 dBm의 출력 범위에서 40% 이상의 효율을 유지시키기 위한 제 2 경로부를 포함하고,상기 제 2 경로부는 상기 캐리어 증폭기 출력의 λ/4 전송선로를 보상하기 위해 지연선로 앞의 λ/4 전송선로를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 경로부는, 상기 입력 신호의 크기에 따라 상기 캐리어 증폭기를 제어하기 위한 구동 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 경로부는, 수백 mV의 전압 크기를 증폭시켜주는 게이트 바이어스 조절기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 경로부는 상기 캐리어 증폭기를 포함하고, 상기 캐리어 증폭기는 GaN HEMT로 이루어진 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 경로부는, 상기 제 1 피킹 증폭기와 제 2 피킹 증폭기에 같은 크기와 90°만큼 서로 위상차를 만들기 위한 하이브리드 3-dB 전력분배기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 경로부는 상기 제 1 피킹 증폭기를 포함하고, 상기 제 1 피킹 증폭기는 GaN HEMT로 이루어진 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 경로부는 상기 제 2 피킹 증폭기를 포함하고, 상기 제 2 피킹 증폭기는 GaN HEMT로 이루어진 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
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제 1 항에 있어서, 상기 캐리어 증폭기, 제 1 피킹 증폭기 및 제 2 피킹 증폭기의 입력과 출력에 각각 입력 정합 회로과 출력 정합 회로가 연결되는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
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제 9 항에 있어서, 상기 출력 정합 회로에 출력 λ/4 전송선로가 연결되는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
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제 10 항에 있어서, 상기 출력 λ/4 전송선로는 상기 캐리어 증폭기, 제 1 피킹 증폭기 및 제 2 피킹 증폭기에서 사용되는 소자 용량에 따라서 임피던스 값이 달라지는 것을 특징으로 하는 고주파용 3-스테이지 GaN HEMT 도허티 전력증폭기
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