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발광 효율이 개선된 반도체 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015169415
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 발광 소자가 개시된다. 상기 반도체 발광 소자는, n형 반도체층; p형 반도체층; 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층; 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 차단층; 상기 n형 반도체층에 전기적으로 연결된 n형 전극; 및 상기 p형 반도체층 상에 위치하는 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극을 포함하고, 상기 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극은 서로 이격되어 상기 p형 반도체층에 전기적으로 연결되며, 활성 전극 들은 다양한 형상의 구조를 갖는다. 이에 따라, 반도체 발광 소자의 활성층 내에 주입되는 정공의 수가 증가하여 발광 효율이 높아질 수 있다.
Int. CL H01L 33/38 (2010.01.01) H01L 33/14 (2010.01.01)
CPC H01L 33/382(2013.01) H01L 33/382(2013.01)
출원번호/일자 1020120102300 (2012.09.14)
출원인 포항공과대학교 산학협력단, 서울바이오시스 주식회사
등록번호/일자 10-1973765-0000 (2019.04.23)
공개번호/일자 10-2014-0035706 (2014.03.24) 문서열기
공고번호/일자 (20190430) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.13)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 서울바이오시스 주식회사 대한민국 경기도 안산시 단원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종규 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 황선용 대한민국 전라남도 광양시 광장로
3 김동영 대한민국 전라남도 여수시 신월*길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인에이아이피 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, AIP빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울바이오시스 주식회사 경기도 안산시 단원구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0746095-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-5126387-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5089977-41
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5110518-03
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2016-5192898-06
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0891439-73
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2017.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0929228-71
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.06.29 수리 (Accepted) 9-1-2018-0030900-03
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0568446-86
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0901727-32
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0901710-67
15 등록결정서
Decision to grant
2019.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0095897-26
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 반도체층;p형 반도체층;상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층;상기 활성층 및 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 차단층;상기 n형 반도체층에 전기적으로 연결된 n형 전극; 상기 p형 반도체층 상에 위치하는 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극; 및상기 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극에 서로 다른 전압을 인가할 수 있는 전압 공급원을 포함하고,상기 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극은 서로 이격되어 상기 p형 반도체층에 전기적으로 연결된 반도체 발광 소자
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 p형 활성 전극은 제1 p형 전극 패드 및 제1 p형 전극 연장부를 포함하고,상기 제2 p형 활성 전극은 제2 p형 전극 패드 및 제2 p형 전극 연장부를 포함하는 반도체 발광 소자
3 3
청구항 2에 있어서,상기 제1 p형 전극 연장부와 상기 제2 p형 전극 연장부는 각각 나선형으로 배치된 반도체 발광 소자
4 4
n형 반도체층;p형 반도체층;상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층;상기 활성층 및 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 차단층;상기 n형 반도체층에 전기적으로 연결된 n형 전극; 및상기 p형 반도체층 상에 위치하는 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극을 포함하고,상기 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극은 서로 이격되어 상기 p형 반도체층에 전기적으로 연결되며,상기 제1 p형 활성 전극은 제1 p형 전극 패드 및 제1 p형 전극 연장부를 포함하고,상기 제2 p형 활성 전극은 제2 p형 전극 패드 및 제2 p형 전극 연장부를 포함하며,상기 제1 p형 전극 연장부와 상기 제2 p형 전극 연장부는 각각 나선형으로 배치되고,상기 제1 p형 전극 패드는 상기 p형 반도체층의 하나의 모서리측에 치우쳐 배치되고, 상기 제2 p형 전극 패드는 상기 p형 반도체층의 중앙 부분 상에 배치된 반도체 발광 소자
5 5
청구항 2에 있어서,상기 제1 p형 전극 연장부와 상기 제2 p형 전극 연장부는 각각 전극 패드에서 연장하는 메인 브랜치와 상기 메인 브랜치에서 연장하는 서브 브랜지를 포함하고, 상기 제1 및 제2 p형 전극 연장부의 서브 브랜치는 서로 깍지낀(interdigitated) 형태로 배치된 반도체 발광 소자
6 6
청구항 5에 있어서,상기 제1 p형 전극 연장부와 상기 제2 p형 전극 연장부의 메인 브랜치는 서로 깍지낀 형태로 배치된 반도체 발광 소자
7 7
청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,상기 제1 p형 전극 패드와 상기 제2 p형 전극 패드는 서로 마주보도록 일측 및 타측 가장자리 근처에 배치된 반도체 발광 소자
8 8
n형 반도체층;p형 반도체층;상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층;상기 활성층 및 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 차단층;상기 n형 반도체층에 전기적으로 연결된 n형 전극; 및상기 p형 반도체층 상에 위치하는 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극을 포함하고,상기 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극은 서로 이격되어 상기 p형 반도체층에 전기적으로 연결되며,상기 제1 p형 활성 전극은 제1 p형 전극 패드 및 제1 p형 전극 연장부를 포함하고,상기 제2 p형 활성 전극은 제2 p형 전극 패드 및 제2 p형 전극 연장부를 포함하며,상기 제1 p형 전극 연장부는 메쉬 형상으로 형성되고,상기 제2 p형 전극 연장부는 상기 제1 p형 전극 연장부의 메쉬에 의해 형성되는 공간들 내에 배치된 아일랜드 연장부를 포함하는 반도체 발광 소자
9 9
청구항 8에 있어서,상기 아일랜드 연장부는 서로 전기적으로 연결된 반도체 발광 소자
10 10
청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,상기 제1 p형 전극 패드는 상기 p형 반도체층의 어느 한 모서리 상에 위치하고, 상기 제2 p형 전극 패드는 상기 p형 반도체층의 상기 어느 한 모서리에 대향하는 다른 모서리에 위치하는 반도체 발광 소자
11 11
청구항 8에 있어서,상기 제1 p형 전극 연장부와 상기 제2 p형 전극 연장부 사이에 배치된 절연체를 더 포함하는 반도체 발광 소자
12 12
청구항 8에 있어서,상기 제1 p형 활성 전극과 상기 제2 p형 활성 전극 사이에 배치된 절연체를 더 포함하는 반도체 발광 소자
13 13
청구항 4 또는 청구항 8에 있어서,제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극에 서로 다른 전압을 인가할 수 있는 전압 공급원을 더 포함하는 반도체 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.