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n형 반도체층;p형 반도체층;상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층;상기 활성층 및 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 차단층;상기 n형 반도체층에 전기적으로 연결된 n형 전극; 상기 p형 반도체층 상에 위치하는 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극; 및상기 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극에 서로 다른 전압을 인가할 수 있는 전압 공급원을 포함하고,상기 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극은 서로 이격되어 상기 p형 반도체층에 전기적으로 연결된 반도체 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1 p형 활성 전극은 제1 p형 전극 패드 및 제1 p형 전극 연장부를 포함하고,상기 제2 p형 활성 전극은 제2 p형 전극 패드 및 제2 p형 전극 연장부를 포함하는 반도체 발광 소자
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3 |
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청구항 2에 있어서,상기 제1 p형 전극 연장부와 상기 제2 p형 전극 연장부는 각각 나선형으로 배치된 반도체 발광 소자
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4 |
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n형 반도체층;p형 반도체층;상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층;상기 활성층 및 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 차단층;상기 n형 반도체층에 전기적으로 연결된 n형 전극; 및상기 p형 반도체층 상에 위치하는 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극을 포함하고,상기 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극은 서로 이격되어 상기 p형 반도체층에 전기적으로 연결되며,상기 제1 p형 활성 전극은 제1 p형 전극 패드 및 제1 p형 전극 연장부를 포함하고,상기 제2 p형 활성 전극은 제2 p형 전극 패드 및 제2 p형 전극 연장부를 포함하며,상기 제1 p형 전극 연장부와 상기 제2 p형 전극 연장부는 각각 나선형으로 배치되고,상기 제1 p형 전극 패드는 상기 p형 반도체층의 하나의 모서리측에 치우쳐 배치되고, 상기 제2 p형 전극 패드는 상기 p형 반도체층의 중앙 부분 상에 배치된 반도체 발광 소자
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5 |
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청구항 2에 있어서,상기 제1 p형 전극 연장부와 상기 제2 p형 전극 연장부는 각각 전극 패드에서 연장하는 메인 브랜치와 상기 메인 브랜치에서 연장하는 서브 브랜지를 포함하고, 상기 제1 및 제2 p형 전극 연장부의 서브 브랜치는 서로 깍지낀(interdigitated) 형태로 배치된 반도체 발광 소자
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6
청구항 5에 있어서,상기 제1 p형 전극 연장부와 상기 제2 p형 전극 연장부의 메인 브랜치는 서로 깍지낀 형태로 배치된 반도체 발광 소자
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7 |
7
청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,상기 제1 p형 전극 패드와 상기 제2 p형 전극 패드는 서로 마주보도록 일측 및 타측 가장자리 근처에 배치된 반도체 발광 소자
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8 |
8
n형 반도체층;p형 반도체층;상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층;상기 활성층 및 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 차단층;상기 n형 반도체층에 전기적으로 연결된 n형 전극; 및상기 p형 반도체층 상에 위치하는 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극을 포함하고,상기 제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극은 서로 이격되어 상기 p형 반도체층에 전기적으로 연결되며,상기 제1 p형 활성 전극은 제1 p형 전극 패드 및 제1 p형 전극 연장부를 포함하고,상기 제2 p형 활성 전극은 제2 p형 전극 패드 및 제2 p형 전극 연장부를 포함하며,상기 제1 p형 전극 연장부는 메쉬 형상으로 형성되고,상기 제2 p형 전극 연장부는 상기 제1 p형 전극 연장부의 메쉬에 의해 형성되는 공간들 내에 배치된 아일랜드 연장부를 포함하는 반도체 발광 소자
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9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 아일랜드 연장부는 서로 전기적으로 연결된 반도체 발광 소자
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10
청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,상기 제1 p형 전극 패드는 상기 p형 반도체층의 어느 한 모서리 상에 위치하고, 상기 제2 p형 전극 패드는 상기 p형 반도체층의 상기 어느 한 모서리에 대향하는 다른 모서리에 위치하는 반도체 발광 소자
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11 |
11
청구항 8에 있어서,상기 제1 p형 전극 연장부와 상기 제2 p형 전극 연장부 사이에 배치된 절연체를 더 포함하는 반도체 발광 소자
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12
청구항 8에 있어서,상기 제1 p형 활성 전극과 상기 제2 p형 활성 전극 사이에 배치된 절연체를 더 포함하는 반도체 발광 소자
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13
청구항 4 또는 청구항 8에 있어서,제1 p형 활성 전극 및 제2 p형 활성 전극에 서로 다른 전압을 인가할 수 있는 전압 공급원을 더 포함하는 반도체 발광 소자
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