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펜타신 결정형 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169417
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 펜타신 결정형 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 펜타신 1D 결정형은 주 결정면이 (001) 및 (010)이고 와이어(wire) 형상을 가지며, 광발광 특성을 나타낸다. 본 발명의 펜타신 1D 결정형에 따르면, 광발광 특성을 갖는 신규한 펜타신 결정형을 제공함으로써 광발광 현상을 이용한 전기/전자 소자에 유용하게 이용할 수 있다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01) C07C 15/56 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01)
출원번호/일자 1020120045514 (2012.04.30)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1361755-0000 (2014.02.05)
공개번호/일자 10-2013-0122297 (2013.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (20140214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.30)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박지은 대한민국 경남 창원시 진해구
2 최희철 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0345356-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.24 수리 (Accepted) 9-1-2013-0039721-08
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0792551-32
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0055347-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0055349-72
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0078352-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
주 결정면이 (001) 및 (010)이고 와이어(wire) 형상을 갖는 펜타신 1D 결정형
2 2
제1항에 있어서, 광발광(photoluminescence) 활성을 갖는 펜타신 1D 결정형
3 3
제2항에 있어서, 560 내지 750nm파장에서 광발광 강도가 0
4 4
제3항에 있어서, 400 내지 500nm파장에서 광발광 강도가 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 와이어 형상을 갖는 펜타신 1D 결정형은 평균 길이가 5 내지 30um인 펜타신 1D 결정형
6 6
제1항에 있어서, X선 회절 패턴에 있어서 2θ값이 6
7 7
펜타신 분말을 실온에서 350 내지 400℃까지 온도를 상승시킨 후 상승된 온도를 10분 이상 유지하여 기화시키는 단계; 상기 기화된 펜타신을 운반 가스에 의해 기재로 이동시키는 단계; 및상기 기재로 이동된 펜타신을 재결정화시키는 단계를 포함하는 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 펜타신 1D 결정형의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 상승된 온도를 10 분 내지 20분 동안 유지하는 단계를 포함하는 펜타신 1D 결정형의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 기재는 Si 또는 SiO2를 포함하는 기판인 펜타신 1D 결정형의 제조방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 펜타신 분말은 다결정 또는 단결정 분말인 펜타신 1D 결정형의 제조방법
11 11
펜타신 분말을 실온에서 325 내지 330℃까지 온도를 상승시킨 후 상승된 온도를 5분 이상 유지하여 기화시키는 단계; 상기 기화된 펜타신을 운반 가스에 의해 기재로 이동시키는 단계; 및상기 기재로 이동된 펜타신을 재결정화시키는 단계를 포함하는 펜타신 2D 결정형의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 상승된 온도를 5 분 내지 20분 동안 유지하는 단계를 포함하는 펜타신 2D 결정형의 제조방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 기재는 Si 또는 SiO2를 포함하는 기판인 펜타신 2D 결정형의 제조방법
14 14
제11항에 있어서, 상기 펜타신 분말은 다결정 또는 단결정 분말인 펜타신 2D 결정형의 제조방법
15 15
제11항에 있어서, 상기 펜타신 2D 결정형은 (001)의 주 결정면을 가지며, 디스크(disk) 형상을 갖는 펜타신 2D 결정형의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.