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산화아연 나노막대 마스크를 이용한 발광다이오드의 제조방법

기술번호 : KST2015169458
담당센터 : 대구기술혁신센터
전화번호 : 053-550-1450

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 광 추출 효율이 우수한 나노 패턴 구조를 형성한 발광다이오드의 제조방법에 관한 것으로, (a) 질화물계 반도체층을 적층하여 발광 소자를 만드는 단계; (b) 상기 질화물계 반도체층의 상부에 산화아연 나노 구조물을 형성하기 위한 표면처리를 수행하는 단계; (c) 상기 발광 소자를 오토클레이브에 투입하고 산화아연 형성용 수용액을 사용하여 수열합성법으로 상기 표면처리된 질화물계 반도체층 표면에 산화아연으로 이루어진 나노 구조물을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 산화아연 나노 구조물이 형성된 질화물계 반도체층 표면을 건식에칭함으로써, 질화물계 반도체층 상에 질화물로 이루어진 나노 구조물이 형성되도록 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL	H01L 33/28 (2014.01)
CPC	H01L 33/0087(2013.01) H01L 33/0087(2013.01) H01L 33/0087(2013.01) H01L 33/0087(2013.01) H01L 33/0087(2013.01)
출원번호/일자	1020100139613 (2010.12.30)
출원인	포항공과대학교 산학협력단, 울산과학기술원 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2012-0077596 (2012.07.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항	심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.12.30)
심사청구항수	11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	포항공과대학교 산학협력단	대한민국	경상북도 포항시 남구
2	울산과학기술원 산학협력단	대한민국	울산광역시 울주군

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	이종람	대한민국	경상북도 포항시 남구
2	유학기	대한민국	경상북도
3	김범준	대한민국	경기도 고양시 일산동구
4	손준호	대한민국	경상북도 경산시 경안로*길
5	백정민	대한민국	울산광역시 울주군
6	예병욱	대한민국	대구광역시 서구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인아이엠	대한민국	서울특별시 강남구 봉은사로 *, *호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
최종권리자 정보가 없습니다

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2010-0878461-65
2	보정요구서 Request for Amendment	2011.01.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2011-0002144-78
3	[출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)	2011.01.10	수리 (Accepted)	1-1-2011-0012596-87
4	[출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status	2011.04.11	수리 (Accepted)	1-1-2011-0262221-23
5	보정요구서 Request for Amendment	2011.04.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2011-0032407-28
6	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2011.05.11	수리 (Accepted)	1-1-2011-0345038-43
7	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2011.06.02	수리 (Accepted)	1-1-2011-0415198-15
8	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.07.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0395552-97
9	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2012.09.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0728989-00
10	보정요구서 Request for Amendment	2012.09.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2012-0117117-43
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.10.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0823502-41
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0823504-32
13	[출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)	2012.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0755037-93
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.01.07	수리 (Accepted)	4-1-2013-5002604-31
15	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2013.02.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0098229-55
16	[법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)	2013.03.08	수리 (Accepted)	7-1-2013-0009167-07
17	심사관의견요청서 Request for Opinion of Examiner	2013.05.28	수리 (Accepted)	7-8-2013-0015847-39
18	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.06.13	수리 (Accepted)	4-1-2013-0025573-58
19	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5024386-11
20	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.12.31	수리 (Accepted)	4-1-2015-5176347-51
21	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.11.20	수리 (Accepted)	4-1-2019-5243581-27
22	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.11.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5245997-53
23	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2019-5247115-68

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 (a) 질화물계 반도체층을 적층하여 발광 소자를 만드는 단계;(b) 상기 질화물계 반도체층의 상부에 산화아연 나노 구조물을 형성하기 위한 표면처리를 수행하는 단계;(c) 상기 발광 소자를 오토클레이브에 투입하고 산화아연 형성용 수용액을 사용하여 수열합성법으로 상기 표면처리된 질화물계 반도체층 표면에 산화아연으로 이루어진 나노 구조물을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 산화아연 나노 구조물이 형성된 질화물계 반도체층 표면을 건식에칭함으로써, 질화물계 반도체층 상에 질화물로 이루어진 나노 구조물이 형성되도록 하는 단계;를 포함하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 산화아연 형성용 수용액 아연염과 헥사메틸렌테트라아민을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 (d) 단계 후에 추가로 건식에칭시 제거되지 않은 산화아연 나노 구조물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는, UV/오존, 산소 플라즈마, 아르곤 플라즈마 또는 질소 플라즈마를 이용하여 표면처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는, HMDS, SAM(Self assembled monolayer) 또는 레이저 조사를 통해 표면처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계의 상기 오토클레이브의 산화아연 합성온도는 60℃ ~ 200℃인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
7	7 제 2 항에 있어서,상기 (c) 단계의 상기 아연염과 헥사메틸렌테트라아민의 몰 비율은 2:1 ~ 1:2인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
8	8 제 2 항에 있어서,상기 (c) 단계의 상기 아연염과 헥사메틸렌테트라아민 수용액의 몰 농도는 0
9	9 제 1 항에 있어서,상기 (d) 단계에서 형성된 나노 구조물의 모양은, 나노막대, 나노팁, 나노피라미드, 나노꽃, 나노튜브, 나노볼 또는 나노월인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 산화아연 나노막대의 직경이 10nm ~ 2㎛이고, 길이는 10nm ~ 20㎛인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
11	11 제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계에서 건식에칭 공정조건의 제어를 통해, 상기 나노 구조물의 형상을 제어하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
12	12 제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노 구조물을 제거하지 않은 상태에서, 상기 질화물보다 굴절율이 작은, MgO, ZnO, Al-doped ZnO, In-doped ZnO, Ga-doped ZnO, ZrO2, TiO2, SiO2, SiO, Al2O3, CuOx 또는 ITO 중에서 선택된 1종 이상의 굴절률 조절층을 적층하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
13	13 제 3 항에 있어서,상기 산화아연 나노 구조물을 제거한 후 상기 질화물 나노 구조물 상에, 상기 질화물보다 굴절율이 작은, MgO, ZnO, Al-doped ZnO, In-doped ZnO, Ga-doped ZnO, ZrO2, TiO2, SiO2, SiO, Al2O3, CuOx 또는 ITO 중에서 선택된 1종 이상의 굴절률 조절층을 적층하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법
14	14 (a) 질화물계 반도체층을 적층하여 발광 소자를 만드는 단계;(b) 상기 질화물계 반도체층의 상부에 산화아연 나노 구조물을 형성하기 위한 표면처리를 수행하는 단계;(c) 상기 발광 소자를 오토클레이브에 투입하고 산화아연 형성용 수용액을 사용하여 수열합성법으로 상기 표면처리된 질화물계 반도체층 표면에 산화아연으로 이루어진 나노 구조물을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 산화아연 나노 구조물상에 굴절률 조절층을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물계 발광다이오드의 제조방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	포항공과대학교 산학협력단	산업원천기술개발사업(산업기술)	180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2010-0878461-65
2	보정요구서	2011.01.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2011-0002144-78
3	[출원서등 보정]보정서(납부자번호)	2011.01.10	수리 (Accepted)	1-1-2011-0012596-87
4	[출원인변경]권리관계변경신고서	2011.04.11	수리 (Accepted)	1-1-2011-0262221-23
5	보정요구서	2011.04.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2011-0032407-28
6	[출원서등 보정]보정서	2011.05.11	수리 (Accepted)	1-1-2011-0345038-43
7	[출원서등 보정]보정서	2011.06.02	수리 (Accepted)	1-1-2011-0415198-15
8	의견제출통지서	2012.07.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0395552-97
9	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2012.09.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0728989-00
10	보정요구서	2012.09.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2012-0117117-43
11	[명세서등 보정]보정서	2012.10.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0823502-41
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0823504-32
13	[출원서등 보정]보정서(납부자번호)	2012.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0755037-93
14	출원인정보변경(경정)신고서	2013.01.07	수리 (Accepted)	4-1-2013-5002604-31
15	거절결정서	2013.02.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0098229-55
16	[법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2013.03.08	수리 (Accepted)	7-1-2013-0009167-07
17	심사관의견요청서	2013.05.28	수리 (Accepted)	7-8-2013-0015847-39
18	출원인정보변경(경정)신고서	2013.06.13	수리 (Accepted)	4-1-2013-0025573-58
19	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5024386-11
20	출원인정보변경(경정)신고서	2015.12.31	수리 (Accepted)	4-1-2015-5176347-51
21	출원인정보변경(경정)신고서	2019.11.20	수리 (Accepted)	4-1-2019-5243581-27
22	출원인정보변경(경정)신고서	2019.11.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5245997-53
23	출원인정보변경(경정)신고서	2019.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2019-5247115-68


과제고유번호	1415107189
세부과제번호	10035598
연구과제명	180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	포항공과대학교산학협력단
성과제출연도	2010
연구기간	201003~201502
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020100139640]	발광소자의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 발광소자	새창보기
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[1020100114098]	열적 안정성이 향상된 Ⅲ족 ｎ형 질화물계 반도체 소자 및 이의 제조방법	새창보기
[1020100067103]	Ｇａ 이온 임플란테이션된 질소 극성 표면을 포함하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 ｎ형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자	새창보기
[1020100063839]	질화갈륨계 반도체와 금속기판과의 접합방법과 반도체 소자	새창보기

중요키워드

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[KST2015186851][포항공과대학교 산학협력단]	ＩＩ-ＶＩ 반도체 화합물로 이루어진 고발광성 Ｉ형 적층구조 코어/2중 쉘 양자점 및 이의 제조 방법	새창보기
[KST2015169558][포항공과대학교 산학협력단]	ＭｇＯ피라미드 구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법	새창보기

번호	심판번호(숫자)	심판번호(문자)	사건의표시	청구일	심결일자
1	2013101002784	2013원2784	2010년 특허출원 제0139613호 거절결정불복	2013.04.16	2014.05.15

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