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패터닝된 사파이어 기판에 성장된 ＬＥＤ 에피층을 이용하는 수직형 발광다이오드의 제조방법과 이에 의해 제조된 수직형 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015169459
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직형 발광다이오드의 광 추출 효율을 높이기 위해 반도체층 상에 요철부를 형성하는 별도의 공정을 사용하지 않고, 레이저 리프트오프(laser lift-off, LLO) 후 사파이어 기판상의 패턴이 n형 질화물갈륨계 반도체 표면에 그대로 전사되도록 함으로써, 광 추출 효율이 향상된 발광다이오드를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 방법은, (a) 패턴이 형성된 사파이어 기판상에 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 형성하는 단계; (b) 상기 패턴이 형성된 사파이어 기판의 이면(裏面)의 표면거칠기를 조절하는 단계; 및 (c) 상기 사파이어 기판의 이면에 레이저를 조사하여 사파이어기판과 발광다이오드를 분리함으로써, 상기 사파이어 기판상에 형성된 패턴이 상기 제1 반도체층에 전사되도록 하는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020110006114 (2011.01.21)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1299942-0000 (2013.08.20)
공개번호/일자 10-2012-0084839 (2012.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (20130826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 손준호 대한민국 경상북도 경산시
3 송양희 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 김범준 대한민국 경기도 고양시 일산동구
5 유철종 대한민국 부산광역시 연제구
6 김종욱 대한민국 경상북도 경산시 대학로*길 **

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0049856-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0010000-40
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0340321-80
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0646098-33
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0737340-01
7 보정요구서
Request for Amendment		 2012.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0118951-73
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2012.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0765920-73
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0830676-30
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0830678-21
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0121736-22
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0343444-00
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0343443-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
15 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0556183-64
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 패턴이 형성된 사파이어 기판상에 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 형성하는 단계;(b) 상기 패턴이 형성된 사파이어 기판과 제1 반도체층의 계면에 에너지 전달이 용이하도록 사파이어 기판 이면(裏面)의 표면거칠기를 조절하는 단계; 및 (c) 상기 사파이어 기판의 이면에 레이저를 조사하여 상기 사파이어기판과 상기 제1 반도체층을 분리함으로써, 상기 사파이어 기판상에 형성된 패턴이 상기 제1 반도체층에 전사되도록 하여 상기 제 1 반도체층에 요철부가 형성되도록 하는 단계;를 포함하고,상기 (b) 단계의 표면거칠기 조절은, 랩핑 또는 폴리싱에 의한 제1 표면거칠기 조절단계와, 샌드블라스팅에 의한 제2 표면거칠기 조절단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계 후, 추가로 상기 제1 반도체층에 전사된 패턴을 습식에칭하여 패턴의 내부에 미세패턴이 형성되도록 하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계의 표면거칠기를 조절하는 단계에서 표면 평탄화 작업이 함께 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 반도체층이 n-face를 갖는 n형인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
8 8
제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 반도체층이 질화갈륨으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
9 9
제 2 항에 있어서,상기 습식에칭은 1M ~ 8M 농도의 KOH 또는 NaOH 용액에서 5분 ~ 60분간 침지시키는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 180LW/W급 고효율 나노기반 LED 개발