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발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015169463
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 건식에칭 시 나노구조체와 반도체층 간의 에칭속도(에칭비) 차이를 이용하여 건식에칭 조건의 변화를 통해 반도체층에 생성되는 요철부의 경사각을 조절함으로써, 광 추출 효율이 향상된 발광다이오드를 제조하는 방법과 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드에 관한 것이다.본 발명은 제1 반도체층 상에 활성층 및 제2 반도체층이 순차적으로 형성된 발광다이오드의 제조방법으로서, 상기 제2 반도체층 상에 나노구조체를 코팅하는 단계와, 상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층과 함께 건식에칭하여 상기 제2 반도체층에 요철부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 나노구조체는 상기 제2 반도체층에 비해 건식에칭이 용이한 물질을 사용하고, 상기 제2 반도체층과 나노구조체 사이의 에칭속도 차이를 고려하여 건식에칭 조건을 설정함으로써, 상기 제2 반도체에 생성된 요철부의 측면 경사각을 조절하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110006113 (2011.01.21)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1229063-0000 (2013.01.28)
공개번호/일자 10-2012-0084838 (2012.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (20130204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김종욱 대한민국 경상북도 경산시 대학로*길 **
3 손준호 대한민국 경상북도 경산시
4 송양희 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 김범준 대한민국 경기도 고양시 일산동구
6 유철종 대한민국 부산광역시 연제구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0049855-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0009999-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0340320-34
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0647296-45
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0737331-90
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0737330-44
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0042787-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
제1 반도체층 상에 활성층 및 제2 반도체층이 순차적으로 형성된 발광다이오드의 제조방법으로서,상기 제2 반도체층 상에 나노구조체를 코팅하는 단계와,상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층과 함께 건식에칭하여 상기 제2 반도체층에 원추형 또는 절두원추형의 요철부를 형성하는 단계와,상기 요철부 상에 수열합성법으로 나노선 또는 나노막대를 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 나노구조체는 상기 제2 반도체층에 비해 건식에칭이 용이한 물질을 사용하고, 상기 제2 반도체층과 나노구조체 사이의 에칭속도 차이를 고려하여 건식에칭 시간을 조절함으로써, 상기 제2 반도체에 생성된 요철부의 측면과 상기 제2 반도체층의 법선방향 사이의 각도가 30°이하가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제2 반도체층은 질화갈륨으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 나노구조체는 실리카(SiO2), ZnO, 알루미늄 산화물, MgO, TiO2, SnO2, 리튬 산화물, 인듐 산화물, 구리 산화물 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 나노구조체는 구 모양인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 건식에칭 전에 상기 제2 반도체층의 표면을 표면처리하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제2 반도체층이 n-face를 갖는 n형인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
9 9
제 4 항에 있어서,상기 구 모양의 나노구조체는 서로 다른 직경을 갖는 2 종 이상의 것이 혼합된 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
10 10
제 4 항에 있어서,상기 구 모양의 나노구조체의 직경은 100nm ~ 3㎛인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
11 11
삭제
12 12
삭제
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1 WO2012099436 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2012099436 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2012099436 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 180LW/W급 고효율 나노기반 LED 개발